一、物質(zhì)的分類物質(zhì)根據(jù)其導電能力分為3類：導體：能導電的物體絕緣體：不能導電的物體一、物質(zhì)的分類物質(zhì)根據(jù)其導電能力分為3類：半導體：指常溫下導電性能介于導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。隨著摻入雜質(zhì)、輸入電壓（電流）、溫度和光照條件的不同而發(fā)生很大變化。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等本征半導體：不含雜質(zhì)的純凈半導體。二、載流子載流子運載電荷的粒子稱為載流子。本征半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均與導電。二、載流子自由電子：帶負電荷空穴：帶與自由電子等量的正電荷特性：在外電場作用下，載流子都可以做定向移動，形成電流。三、N型半導體及其特性N型半導體在本征半導體中摻入少量的5價元素而形成的一種雜質(zhì)型半導體。硅的共價鍵硅的化學元素圖及電子空穴對示意圖三、N型半導體及其特性硅中每參入1個五價元素，其中5個價電子中的4個與硅原子的價電子形成共價鍵，剩下一個成為自由電子。+5價元素=參入五價元素越多，自由電子數(shù)量就越大，從而增強導電能力。三、N型半導體及其特性N型半導體多數(shù)載流子是：電子N型半導體少數(shù)載流子是：空穴因此，N型半導體主要是靠電子導電，又稱為電子型半導體。四、P型半導體及其特性P型半導體在本征半導體中摻入少量的3價元素而形成的一種雜質(zhì)型半導體。每參入1個三價元素的原子，其中3個與硅原子的價電子形成共價鍵后還差一個電子，便多出一個空穴。+3價元素=參入三價元素越多，空穴數(shù)量就越大，從而增強導電能力。四、P型半導體及其特性P型半導體多數(shù)載流子是：空穴P型半導體少數(shù)載流子是：電子因此，P型半導體主要是靠空穴導電，又稱為空穴型半導體。五、PN結(jié)1.PN結(jié)的形成采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)五、PN結(jié)在P型半導體和N型半導體結(jié)合后，由于N型區(qū)內(nèi)自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而P型區(qū)內(nèi)空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差。五、PN結(jié)由于自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區(qū)向P型區(qū)擴散，也有一些電子要從P型區(qū)向N型區(qū)漂移。它們擴散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質(zhì)離子，N區(qū)一邊失去電子，留下了帶正電的雜質(zhì)離子。開路中半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近，形成了一個空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)的薄厚和摻雜物濃度有關(guān)。五、PN結(jié)PN結(jié)的形成過程五、PN結(jié)PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉诱螂妷海ㄕ娫凑龢O接P區(qū)，負極接N區(qū)外電場的方向與內(nèi)電場方向相反。外電場削弱內(nèi)電場→耗盡層變窄→擴散運動>>漂移運動→多子擴散形成正向電流（與外電場方向一致）五、PN結(jié)PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉?、PN結(jié)PN結(jié)的單向?qū)щ娦苑雌臃聪螂妷海ǚ雌娫凑龢O接N區(qū)，負極接P區(qū)外電場的方向與內(nèi)電場方向相同。外電場加強內(nèi)電場→耗盡層變寬→漂移運動>>擴散運動→少子漂移形成反向電流IR五、PN結(jié)PN結(jié)的單向?qū)щ娦苑雌⒍O管的結(jié)構(gòu)七、常見的二極管晶體二極管整流二極管

穩(wěn)壓二極管八、二極管的特性及作用重要特性：

單向?qū)щ娦裕≒接+N接—則二極管導通）二極管的作用：整流電路，檢波電路，穩(wěn)壓電路，各種調(diào)制電路九、二極管的檢測2.用萬用表檢測二極管在R100或

R1k

擋測量紅表筆是(表內(nèi)電源)負極，黑表筆是(表內(nèi)電源)正極。

正反向電阻各測量一次，測量時手不要接觸引腳。(1)

用指針式萬用表檢測

一般硅管正向電阻為幾