物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（選3）【高考定位】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的常見(jiàn)題型為綜合題,常以元素推斷或某一主題兩種方式引入，考查學(xué)生的歸納推理能力、信息遷移能力以及綜合應(yīng)用能力。物質(zhì)結(jié)構(gòu)包括原子結(jié)構(gòu)（原子核外電子排布、原子的雜化方式、元素電負(fù)性大小比較、元素金屬性、非金屬性的強(qiáng)弱）、分子結(jié)構(gòu)（化學(xué)鍵、分子的電子式、結(jié)構(gòu)式、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式的書(shū)寫、化學(xué)式的種類、官能團(tuán)等）、晶體結(jié)構(gòu)（晶體類型的判斷、物質(zhì)熔沸點(diǎn)的高低、影響因素、晶體的密度、均攤方法的應(yīng)用等）?！局R(shí)講解】一、 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)在高考中常見(jiàn)的命題角度有原子核外電子的排布規(guī)律及其表示方法、原子結(jié)構(gòu)與元素電離能和電負(fù)性的關(guān)系及其應(yīng)用。在高考試題中，各考查點(diǎn)相對(duì)獨(dú)立，難度不大。試題側(cè)重原子核外電子排布式或軌道表示式，未成對(duì)電子數(shù)判斷，電負(fù)性、電離能、原子半徑和元素金屬性與非金屬性比較的考查。高考中考查點(diǎn)主要集中在電子排布的書(shū)寫及電離能、電負(fù)性大小比較上，所以在書(shū)寫基態(tài)原子電子排布時(shí)，應(yīng)避免違反能量最低原理、泡利原理、洪特規(guī)則及特例；還需注意同能級(jí)的軌道半充滿、全充滿或全空狀態(tài)的原子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定如Cr：3d54si、Mn：3d54s2、Cu：3dio4si、Zn：3dio4s2；另外需理解電離能與金屬性及金屬元素價(jià)態(tài)的關(guān)系，電負(fù)性與非金屬性及組成化合物所形成的化學(xué)鍵的關(guān)系。二、 分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)在高考中的常見(jiàn)命題角度有圍繞某物質(zhì)判斷共價(jià)鍵的類型和數(shù)目，分子的極性、中心原子的雜化方式，微粒的立體構(gòu)型，氫鍵的形成及對(duì)物質(zhì)的性質(zhì)影響等，考查角度較多，但各個(gè)角度獨(dú)立性大，難度不大。試題側(cè)重微粒構(gòu)型、雜化方式、中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)、配位原子判斷與配位數(shù)、化學(xué)鍵類型、分子間作用力與氫鍵、分子極性的考查。?？键c(diǎn)有對(duì)o鍵和n鍵判斷，要掌握好方法；雜化軌道的判斷，要理解常見(jiàn)物質(zhì)的雜化方式；通過(guò)三種作用力對(duì)性質(zhì)的影響解釋相關(guān)現(xiàn)象及結(jié)論。注意以下三個(gè)誤區(qū)：不要誤認(rèn)為分子的穩(wěn)定性與分子間作用力和氫鍵有關(guān)，其實(shí)分子的穩(wěn)定性與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)；不要誤認(rèn)為組成相似的分子，中心原子的雜化類型相同，關(guān)鍵是要看其o鍵和孤電子對(duì)數(shù)是否相同。如BC13中B原子為sp2雜化，NC13中N原子為sp3雜化；不要誤認(rèn)為只要含有氫鍵物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)就高，其實(shí)不一定，分子間的氫鍵會(huì)使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)升高，而分子內(nèi)氫鍵一般會(huì)使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)降低。三、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)在高考中常見(jiàn)的命題角度有晶體的類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，晶體熔沸點(diǎn)高低的比較，配位數(shù)、晶胞模型分析及有關(guān)計(jì)算等是物質(zhì)結(jié)構(gòu)選考模塊的必考點(diǎn)。試題側(cè)重晶體類型判斷、物質(zhì)熔沸點(diǎn)的比較與原因、晶胞中微粒數(shù)的判斷、配位數(shù)、晶胞密度計(jì)算、晶胞參數(shù)、空間利用率計(jì)算的考查。物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的難點(diǎn)就是涉及到晶胞特點(diǎn)的計(jì)算類題目，涉及有關(guān)晶胞的計(jì)算時(shí)，注意單位的換算。如面心立方晶胞與體心立方晶胞的配位數(shù)不同；晶胞參數(shù)給定單位是nm或pm時(shí)，忽略換算成cm?！具^(guò)關(guān)搏殺】元素周期表中第四周期某些過(guò)渡元素(如Ti、Mn、Zn等)在生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉?wèn)題：鈦的應(yīng)用越來(lái)越受到人們的關(guān)注。第四周期元素中，基態(tài)原子的未成對(duì)電子數(shù)與鈦相同的有 (填元素符號(hào))。鈦比鋼輕、比鋁硬，是一種新興的結(jié)構(gòu)材料。鈦硬度比鋁大的原因 。錳及其化合物的應(yīng)用研究是前沿科學(xué)之一①已知金屬錳有多種晶型，Y型錳的面心立方晶胞俯視圖符合下列 (選填字母編號(hào))。三醋酸錳［(C^COO'Mn］是一種很好的有機(jī)反應(yīng)氧化劑。三醋酸錳［(CH3COO)3Mn］中陽(yáng)離子的價(jià)層電子排布式中電子的自旋狀態(tài) (填“相同”或“相反”)。Mn2+能形成配離子為八面體的配合物MnClmnNH3，在該配合物的配離子中，Mn2+位于八面體的中心。若含1mol該配合物的溶液與足量AgNO3溶液作用可生成lmolAgCl沉淀,則該配離子化學(xué)式為 。比較Fe和Mn的第三電離能，I3(Fe) I3(Mn)(填“大于”或“小于”)，原因是某鈣鈦型復(fù)合氧化物如圖，以A原子為晶胞的頂點(diǎn)，A位可以是Ca、Sr、Ba或Pb,當(dāng)B位是V、Cr、Mn、Fe時(shí)，這種化合物具有巨磁電阻效應(yīng)。已知La為+3價(jià)，當(dāng)被鈣等+2價(jià)元素A替代時(shí)，可形成復(fù)合鈣鈦礦化合物L(fēng)axA]-xMnO3,(x>0.9)，此時(shí)一部分+3價(jià)錳轉(zhuǎn)變?yōu)?4價(jià)，導(dǎo)致材料在某一溫度附近有反鐵磁-鐵磁、鐵磁-順磁轉(zhuǎn)變及金屬-半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變，則復(fù)合鈣鈦礦化合物中+3價(jià)錳與+4價(jià)錳的物質(zhì)的量之比為 (用含x的代數(shù)式表示)。具有較高催化活性的材料金紅石的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知該晶體的密度為dg?cm-3,Ti、O原子半徑分別為apm和bpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則金紅石晶體的空間利用率為 (列出計(jì)算式)。金屬陶瓷是一種復(fù)合材料，兼有金屬和陶瓷的優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用非常廣泛，金屬基體可為Co，Cr，Ni，陶瓷基體為碳化硅等?回答下列問(wèn)題：Co位于元素周期表中第四周期 族,Cr與Ni的基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)之比TOC\o"1-5"\h\z為 。⑵與C相比，Si原子之間難以形成雙鍵的原因是 。已知CO的一種晶體結(jié)構(gòu)與SiO、SiC相似，則該CO晶體的熔點(diǎn)比SiO晶體的2222 (填“高”、“低")，原因是 。鈷獻(xiàn)菁可顯著提升二次電池的充放電效率，為增強(qiáng)水溶性將其改性為四氨基鈷酞菁，其結(jié)構(gòu)如圖所示：

SiC的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示?晶胞參數(shù)為cPm，阿伏加德羅常數(shù)的值為Na，SiC晶體的密度為 g/cm3.以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系，可以表示晶胞中各原子的位置，313稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，若圖中原子1的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(4,4,4)，則原于2的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為原子。因此，硼的一些化合物表現(xiàn)出缺電子特征?；卮鹣铝袉?wèn)題：BF3與nh3可通過(guò) 鍵形成氨合三氟化硼(BF3?NH3),在該鍵中由 原子提供空軌道。硼酸分子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可寫為B(OH)3，其晶體為層型片狀結(jié)構(gòu)，容易在層與層之間裂解，這是因?yàn)樵谄矫鎸觾?nèi)硼酸分子之間通過(guò) 結(jié)合，而層與層之間通過(guò) 結(jié)合硼砂是硼含氧酸的重要鈉鹽，其陰離子的結(jié)構(gòu)如圖所示，其中B原子的雜化方式為 。硼砂晶體中結(jié)晶水與硼的物質(zhì)的量比為2：1，硼砂的化學(xué)式為 。

固態(tài)硼化物可用作耐火材料、火箭外殼和渦輪機(jī)的葉片等，在超導(dǎo)領(lǐng)域也有重要應(yīng)用潛質(zhì)。如圖為一種金屬鈣硼化物的立方晶胞，該化合物的化學(xué)式為 ，鈣原子的配位數(shù)為 。若由硼原子組成的正八面體棱長(zhǎng)為apm，連接兩個(gè)八面體的B—B鍵長(zhǎng)為bpm，該物質(zhì)的密度為 g?cm-3(列表達(dá)式)。4．W、R、X、Y、Z是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，其元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下：元素元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)W基態(tài)原子L能層所有能級(jí)上電子數(shù)相同R第二周期元素基態(tài)原子中未成對(duì)電子最多X基態(tài)原子核外s能級(jí)上電子總數(shù)與p能級(jí)上電子總數(shù)相等，且第一電離能低于同周期相鄰元素Y次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)的2倍Z最外層只有1個(gè)電子，其它所有軌道電子均成對(duì)請(qǐng)按要求填空：Y的基態(tài)原子有 種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，Z的價(jià)電子軌道表示式為W、R、X的簡(jiǎn)單氫化物中，鍵角由大到小排列是 (用對(duì)應(yīng)的分子式表示)，原因 已知：羧酸的酸性可用pKa(pKa=-lgKa)的大小來(lái)衡量，pKa越小，酸性越強(qiáng)；羧酸pKa三氯乙酸(CClfOOH)0.65三氟乙酸(CF3COOH)0.23由表可見(jiàn)，酸性：三氯乙酸 三氟乙酸(填“大于”、“小于”或“等于”)，從鍵的極性角度解釋原因 W和Y兩種元素可形成一種熔點(diǎn)為2700°C、摩氏硬度為9.5的化合物，該化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，Y原子緊鄰的Y原子有 個(gè)；若晶胞參數(shù)為anm,晶體密度為⑴明朝《天工開(kāi)物》中就已經(jīng)記載了我國(guó)古代的煉鋅技術(shù)：以爐甘石(ZnCO3)和木炭為原料高溫制取鋅。請(qǐng)寫出Zn2+的核外電子排布式 ，ZnCO3中C原子的雜化形式為_(kāi)_，Zn、C、O的電負(fù)性由小到大的順序是___?！按宋?“鋅火”)無(wú)銅收伏，入火即成煙飛去”，意思是鋅的沸點(diǎn)(907口)較低，宜與銅熔合制成黃銅。已知Zn與Cu的能量變化如下所示：Cu(g)———+746kJmol-1———>Cu+(g)——+——195——8kJ——mol-——1—>Cu2+(g)①②Zn(g) +9061Jmol-1 >Zn+(g) +17331Jmol-1 >Zn2+(g)③④銅和鋅的第一電離能大小比較為I(Cu)_I(Zn)，試解釋步驟②吸收能量大于步驟④的原因金屬鋅采取如圖1所示堆積方式:@1該堆積方式類型為_(kāi)__堆積，與金屬銅的堆積方式__（填“相同”或“不相同”）。（3）我國(guó)科學(xué)家最新研制成功了一種納米半導(dǎo)體材料可以高效實(shí)現(xiàn)光化學(xué)轉(zhuǎn)換，該種材料主要成分為硫化鎘和硫化鋅。Cd與Zn位于同一副族，且在Zn的下一周期。已知ZnS熔點(diǎn)為2830口；CdS熔點(diǎn)為1750口，ZnS熔點(diǎn)更高的原因?yàn)開(kāi)_。⑷圖2為ZnS晶胞，圖3為晶胞沿z軸的1：1投影平面圖：XX?2 ?3晶胞中最近的兩個(gè)S原子之間的距離為pm（寫計(jì)算表達(dá)式）。已知S2-半徑為bpm，若晶胞中S2-、Zn2+相切，則Zn2+半徑為_(kāi)_m（寫計(jì)算表達(dá)式）。（寫計(jì)算表達(dá)式）。6.過(guò)渡金屬硫族化合物CuZnSbS為具有良好可控性的半導(dǎo)體材料，可用于太陽(yáng)能電池24制備、激光技術(shù)、光催化水的裂解等領(lǐng)域。CuZnSbS的其中一種制備方法是以CuS、ZnS、24Sb2S3和Cu為原料高能球磨后，在H2S氣氛中退火?；卮鹣铝袉?wèn)題:（1）所給電子排布圖中，能表示基態(tài)S原子3p軌道電子狀態(tài)的是 （填標(biāo)號(hào)）。A.A.TOC\o"1-5"\h\z⑵基態(tài)Cu+的價(jià)層電子排布式是 。CuS由Cu(N0)與H2S反應(yīng)制備。根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型，H2S中心原子價(jià)層電子3222對(duì)數(shù)為 。N0-的空間構(gòu)型為 。3Sb2S3的晶體類型與CuS相同，除上述用途外，Sb2S3也用于制作火柴頭?；鸩袢紵龝r(shí)，SbS轉(zhuǎn)化為SbO和S02,這三種物質(zhì)熔點(diǎn)由高到低的順序是 。23 2 3 2CU2ZnSbS4的四方晶胞如圖所示。①Sb位于晶胞的頂點(diǎn)和體心，則圖中A代表的原子是 ②原子A的坐標(biāo)為)，原子b的坐標(biāo)為(2，0，4)，則原子c的坐標(biāo)為.③設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則Cu2ZnSbS4的密度為 g-cm-3(列出計(jì)算表達(dá)A 2 4式)。。7．鐵被譽(yù)為“第一金屬”，鐵及其化合物在生活中有廣泛應(yīng)用。⑴基態(tài)Fe原子的價(jià)電子排布式為 。N、O、S三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)(用元素符號(hào)表示)，苯酚中碳原子的雜化軌道類型為_(kāi)_。⑶Fee.的熔點(diǎn)為306口，沸點(diǎn)為315口。FeC、的晶體類型是_。FeSO。常作凈水劑和補(bǔ)鐵劑，SO2-的立體構(gòu)型是__。4羰基鐵［Fe(C0)5］可用作催化劑、汽油抗爆劑等。1molFMC0^分子中含_molq鍵,與CO互為等電子體的離子是_(填化學(xué)式，寫一種)。氮化鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。該晶體中鐵、氮的微粒個(gè)數(shù)之比為_(kāi)_。(6)氧化亞鐵晶體的晶胞如圖2所示。已知：圖1圖2氧化亞鐵晶體的密度為Pgcm-3,NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值。在該晶胞中，與Fe2+緊鄰且等距離的Fe2+數(shù)目為 ；Fe2+與O2-最短核間距為 m?！?．“嫦娥五號(hào)”首次實(shí)現(xiàn)了我國(guó)地外天體采樣返回，它的成功發(fā)射標(biāo)志著我國(guó)航天向前邁出了一大步。其制作材料中包含了Ti、Fe、Al、Cr、Ni、Mo、S、0、N等多種元素?；卮鹣铝袉?wèn)題：鉻(Cr)、鉬(Mo)位于同一副族相鄰周期，具有相同的價(jià)電子排布特征，則基態(tài)Cr原子的核外價(jià)電子排布圖為 ；基態(tài)Mo3+最高能層中成對(duì)電子與未成對(duì)電子的數(shù)目TOC\o"1-5"\h\z比為 。S與O可形成多種酸根離子及化合物S02-、S02-、SO、SO等，其中SO2-的空間構(gòu)3 4 3 2 3型為 ；寫出一種與SO2-互為等電子體的陰離子 ；已知酸性3HSO>HSO，原因是\o"CurrentDocument"2 4 2 3元素N有多種氫化物均具有重要的用途。N2H4分子的電子式為 ；NH3的VSEPR模型是 ；NH3與52+形成的配離子為[Cu仗氣)]2+，在該配離子中，zHNH鍵角比獨(dú)立存在的nh3分子中鍵角略大，其原因是 。⑷Ni2+與丁二酮肟生成鮮紅色丁二酮肟鎳沉淀(分子結(jié)構(gòu)如圖)，該反應(yīng)可用于檢驗(yàn)Ni2+分子內(nèi)微粒之間存在的化學(xué)鍵有 (填標(biāo)號(hào))。

A.離子鍵B.配位鍵C.氫鍵D.范德華力 E.共價(jià)鍵參考答案【過(guò)關(guān)搏殺】⑴①Ni、Ge、Se②Ti原子的價(jià)電子數(shù)比Al多，金屬鍵更強(qiáng)(2)①D②相同③[Mn(NH3)5Cl]+x(3)小于(4)Mn2啲3d能級(jí)是半充滿的相對(duì)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失去電子； (5)1-xnN(a3nN(a3+2b3)?lO-3oA60xlOO%【解析】(1)①Ti是22號(hào)元素，價(jià)電子排布是3d24s2，Ti的基態(tài)未成對(duì)電子數(shù)為2個(gè)，同周期中未成對(duì)電子數(shù)為2個(gè)的價(jià)電子排布還有Ni(3d84s2)、Ge(4s24p2)、Se(4s24p4)共3種；②Ti原子的價(jià)電子數(shù)比Al多，金屬鍵更強(qiáng)；①金屬錳的晶胞構(gòu)型和氯化鈉的相同，都屬于面心立方構(gòu)型，晶胞俯視圖符合D；Mn是25號(hào)元素，根據(jù)構(gòu)造原理知，Mn的基態(tài)原子核外電子排布式[Ar]3d54s2，失電子時(shí)，從最外層失去，即失去4s上2個(gè)電子和3d上一個(gè)電子，Mn3+核外價(jià)電子排布為3d4，則電子的自旋狀態(tài)相同；配離子是八面體，即中心離子的配體共6個(gè)，含1mol該配合物的溶液與足量AgNO3溶液作用可生成lmolAgCl沉淀，說(shuō)明外界有1個(gè)Cl-，其余Cl-和氨都在內(nèi)界，作為配體，外界是一個(gè)單位負(fù)電荷，則整個(gè)內(nèi)界應(yīng)帶一個(gè)單位正電荷，錳離子有兩個(gè)單位正電荷，氨不帶電荷，只需要一個(gè)帶負(fù)電荷的氯離子即可，故配離子的化學(xué)式為[Mn(NH)Cl]+35⑶Fe的電子排布是[Ar]3d64s2，Mn的電子排布為[Ar]3d54s2,則Fe2+的電子排布為[Ar]3d6，Mn2啲電子排布為[Ar]3d5,Mn2啲3d能級(jí)是半充滿相對(duì)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失去電子，故第三電離能I3(Fe)較??；

⑷設(shè)LaAMnO中三價(jià)錳與四價(jià)錳的物質(zhì)的量分別是m和n,則有3x+2(l-x)+3m+4n=6,x1-x3xm+n=1,解得m=x,n=1-x，則LaAMnO中三價(jià)錳和四價(jià)錳的物質(zhì)的量之比為 ；x1-x31-x(5)晶胞中Ti原子數(shù)目=1+8?!=2,O原子數(shù)目=2+4?1=4，因此該物質(zhì)的化學(xué)式為TiO2,82244晶胞的質(zhì)量=則晶胞中原子總體積為3n(a?10-io)3cm3?2+3n(b?10-io)3cm3?4晶胞的質(zhì)量=2?48+4?16

NAg，則晶胞體積=2?48+4?16dNAcm2?48+4?16

NAg，則晶胞體積=2?48+4?16dNAcm3，故晶胞的空間利用率是3n(a?1O-1o)3cm3?2+善n(b?1O-1o)3cm3?42?48+4?16cm3dNAx100%=ndN(a3+2b3)?1O-3o A6o?1oo%(1)口；3:1(2)Si的原子半徑大于C的原子半徑，原子間難以形成n鍵(3)高；碳氧鍵的鍵長(zhǎng)比硅氧鍵短、鍵能比硅氧鍵大，碳氧鍵的共價(jià)鍵比硅氧鍵強(qiáng)(4)1,3；氨基中氮原子能與水16o1o3o 111分子形成氫鍵(5)時(shí)1030;(孑孑衛(wèi)A【解析】(1)鉆元素的原子序數(shù)為27,位于元素周期表第四周期□族；鉻元素的原子序數(shù)為24,價(jià)電子排布式為3d54s1,核外有6個(gè)不成對(duì)電子，鎳元素的原子序數(shù)為28,價(jià)電子排布式為3d84s2,核外有2個(gè)不成對(duì)電子，則鉻與鎳的基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)之比為3:1；C原子的原子半徑較小，C原子中p軌道能形成肩并肩的n鍵，與C原子相比，Si原子的原子半徑較大，Si原子中p軌道難以形成肩并肩的n鍵，則Si原子之間難以形成雙鍵；由題意可知，二氧化碳晶體和二氧化硅晶體都為原子晶體，原子晶體的熔點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)弱，由于碳原子的原子半徑比硅原子小，非金屬性比硅原子強(qiáng)，二氧化碳晶體中碳氧鍵的鍵長(zhǎng)比二氧化硅晶體中硅氧鍵短、鍵能比硅氧鍵大，則二氧化碳晶體中碳氧鍵的共價(jià)鍵二氧化硅晶體中比硅氧鍵強(qiáng)，熔點(diǎn)比二氧化硅晶體大；含有孤對(duì)電子的氮原子與鉆離子通過(guò)配位鍵結(jié)合，形成配位鍵后氮原子能形成4個(gè)共價(jià)鍵，由鉆酞菁的結(jié)構(gòu)可知，1、3號(hào)氮原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，2、4號(hào)氮原子形成3個(gè)共價(jià)鍵，則四氨基鉆酞菁中與鉆離子通過(guò)配位鍵結(jié)合的氮原子為1、3號(hào)；四氨基鉆酞菁中含有4個(gè)氨基，氨基中氮原子能與水分子形成氫鍵，增大在水中的溶解性；11由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于頂點(diǎn)和面心的碳原子的個(gè)數(shù)為8x+6x =4,位于體內(nèi)的硅原子個(gè)數(shù)為4設(shè)晶體的密度為硅原子個(gè)數(shù)為4設(shè)晶體的密度為dg/cm3，由質(zhì)量公式可得:4x(28+12)=(CX1O—1O)3，解160313得d=C3亍x1030；由位于體對(duì)角線四分之一處上部原子1的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(4,4,才)可知,A晶胞的邊長(zhǎng)為1，則位于體對(duì)角線四分之一處下部原子2的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。(1)配位;B(硼)(2)氫鍵；范德華力(3)sp2、sp3；Na2B4O5(OH)4^8H2O(或Na2B4O7^10H2O)40+6x11⑷CaB6；24；[G-'2a+b)x10-10]3NA【解析】(1)BF3與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3,B與N之間形成配位鍵，N原子含有孤對(duì)電子，N提供孤電子對(duì)，B原子提供空軌道；⑵1molB(OH)3含有3mol氫鍵，該平面層內(nèi)硼酸分子之間通過(guò)氫鍵結(jié)合，由于在層與層之間容易裂解，說(shuō)明作用力不強(qiáng)，則層與層之間通過(guò)范德華力結(jié)合；由圖看出與B相連的共價(jià)鍵有3和4條，則B原子的雜化方式為sp2、sp3；由硼砂陰離子的結(jié)構(gòu)可得HB02-,陽(yáng)離子為Na+,有2個(gè),結(jié)晶水與硼的物質(zhì)的量比為2：1，則H2O449有8個(gè)，則硼砂的化學(xué)式為：Na2B4O5(OH)4?8H2O(或Na2B4O7^10H2O)；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，一個(gè)Ca原子和1個(gè)單元有6個(gè)B原子，該化合物的化學(xué)式為CaB6,鈣1 「廠、(40+11x6)原子的配位數(shù)為6x4=24；該晶胞的質(zhì)量為m=〒x(40+11x6)二 n，八面體棱AA40+6x11長(zhǎng)為a,則高h(yuǎn)=p2a，立方晶胞邊長(zhǎng)為(P2a+b)x10-1040+6x11V=(、；'2a+b)3V=(、；'2a+b)3x10-30cm3則該物質(zhì)的密度為P=V=[G/2a+b)x10-10]3N cm3°A(1)14； (2)CH4>NH3>H2O；NH3中心原子有一對(duì)孤電子對(duì)H2O中心：: -三 4 3 2 3 2原子有兩對(duì)孤電子對(duì)，ch4中心原子沒(méi)有孤電子對(duì)，而孤電子對(duì)排斥力比鍵合電子對(duì)排斥力大,所以孤電子對(duì)越多，鍵角減?、切∮?；F的電負(fù)性比Cl大,F-C極性大于Cl-C的極性，使F3C-C極性大于Cl3C-C的極性，導(dǎo)致三氟乙酸的羧基中的羥基的極性更大，更易電離出12x4+28x4氫離子(4)12；P?(ax10-7了【解析】W基態(tài)原子L能層所有能級(jí)上電子數(shù)相同，W的電子排布式為1s22s22p2，為C元素；R第二周期元素基態(tài)原子中未成對(duì)電子最多，故R為N元素；X基態(tài)原子核外s能級(jí)上電子總數(shù)與p能級(jí)上電子總數(shù)相等，且第一電離能低于同周期相鄰元素，X為O元素；Y次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)的2倍,K、L、M層電子數(shù)分別為2、8、4,故Y為Si元素；Z最外層只有1個(gè)電子，其它所有軌道電子均成對(duì)，電子排布式為Is22s22p63s23p63dio4si,為Cu元素。根據(jù)分析，Y是Si元素，核外所有電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)均不同，因此有14種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)[TT的電子；Z為Cu,價(jià)電子為3dio4si,價(jià)電子排布圖為 ；3d 4e⑵W、R、X的簡(jiǎn)單氫化物分別為CH4、NH3、H2O,三個(gè)分子的中心原子均為sp3雜化，孤電子對(duì)排斥力比鍵合電子對(duì)排斥力大，所以孤電子對(duì)越多，鍵角減小，CH4、NH3、H2O中中心原子的孤電子對(duì)分別為0、1、2,故鍵角CH4>NH3>H2O；由于pKa越小，酸性越強(qiáng)，由表可以看出，三氯乙酸的pKa大于三氟乙酸的，故酸性三氯乙酸小于三氟乙酸；同主族元素電負(fù)性從上到下依次減弱，F(xiàn)的電負(fù)性比Cl大，所以F與C形成的共價(jià)鍵極性較大，cf3cooh中f3c-c極性大于cci3cooh中Cl3C-C的極性，導(dǎo)致三氟乙酸的負(fù)電性偏向-cf3，致使羧基中的羥基的極性更大，更易電離出氫離子，酸性更強(qiáng)；由均攤法可知，晶胞中W的個(gè)數(shù)為8x1+6X1=4,Y的個(gè)數(shù)為4,故該物質(zhì)的化學(xué)式為82SiC,由圖可以看出，C在8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，與C緊鄰的C有12個(gè),由于化學(xué)式為SiC,4x(12+28)故Si原子緊鄰的Si原子也有12個(gè)；晶胞密度c_m_NA_4x(12+28)，故P— — A V (ax10-7)3 N(ax10-7)3A12x4+28竺弘p(ax10一7}(1)1s22s22p63s23p63d10(或[Ar]3d10)；sp2；Zn<C<O(2)①v；Cu+的3d軌道為全滿結(jié)構(gòu)，能量低，更穩(wěn)定，再失去一個(gè)電子時(shí)需要的能量更多②六方最密；不相同(3)由于離子半徑Cd2+大于Zn2+,故晶格能ZnS>CdS，則熔點(diǎn)ZnS>CdS(4)①2a②(g6a-b)pm【解析】(1)Zn的原子序數(shù)為30,其核外電子排布式為[Ar]3d104s2,Zn2+是鋅原子失去2個(gè)

電子所形成的，Zn2+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d10或[Ar]3d10。根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互

斥理論判斷，C的雜化形式為sp2。根據(jù)非金屬越強(qiáng)，電負(fù)性越大，進(jìn)行判斷Zn、C、O的

電負(fù)性由小到大的順序是Zn<C<O。①銅和鋅的第一電離能大小比較為I(Cu)<I(Zn),步驟②吸收能量大于步驟④的原因?yàn)镃u+的3d軌道為全滿結(jié)構(gòu)，能量低，更穩(wěn)定，再失去一個(gè)電子時(shí)需要的能量更多；②鋅的堆積方式為“...ABAB...”形式，為鎂型堆積(hep)，也稱為六方最密堆積，Cu為銅型(cep),面心立方最密堆積，故不相同。ZnS、CdS都屬于離子晶體，由于離子半徑Cd2+大于Zn2+，故晶格能ZnS>CdS，則熔點(diǎn)ZnS>CdS。①最近的兩個(gè)S原子之間的距離是面對(duì)角線的一半，根據(jù)圖2可知面對(duì)角線長(zhǎng)為4apm。最近的兩個(gè)S原子之間的距離是2apm。/2②晶胞的邊長(zhǎng)為 x4a=2j2a，晶胞的體對(duì)角線為春3x2邁a=2拓a。由于晶體中Zn2+21和S2-原子之間的最短距離為體對(duì)角線的-，所以該晶體中Zn2+和S2-之間的最短距離為—x2^6a=^—^。若要使S2-、Zn2+相切，則Zn2+半徑為(6a—b)pm。4 2 2—36.(1)AC(2)3d—o(3)4；正三角形(4)SbO>SbS>SO(5)①Cu②(1,2，-)@2323222122+32x4+65+64x2a3x—0-30NA【解析】(1)硫元素的原子序數(shù)為16,基態(tài)硫原子的價(jià)電子排布式為3s23p4；B.由洪特規(guī)則可知，電子在能量相同的軌道上排布時(shí)，總是盡可能分占不同的軌道且自旋D.由泡利不相容原理可知，一個(gè)原子軌道里最多只能容納2個(gè)電子，而且自旋相反，則

銅元素的原子序數(shù)為29,價(jià)層電子排布式為3dio4si,則基態(tài)亞銅離子的價(jià)層電子排布式為3d10；硫化氫分子中硫原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4；硝酸根離子中氮原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,孤孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為0,則離子的空間構(gòu)型為平面正三角形；分子晶體的熔點(diǎn)小于離子晶體,二氧化硫?yàn)榉肿泳w,三氧化二銻和三硫化二銻都為離子化合物,則二氧化硫的熔點(diǎn)最低；離子晶體中,離子鍵越強(qiáng),晶體的熔點(diǎn)越高,由于氧離子的離子半徑小于硫離子,銻離子和氧離子形成的離子鍵強(qiáng)于銻離子和硫離子形成的離子鍵三氧化二銻的熔點(diǎn)高于三硫化二銻,則三種物質(zhì)熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镾bO>SbS>SO23232①由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于頂點(diǎn)和體心的銻原子個(gè)數(shù)為8x1+1=2，位于面上的小8黑球的個(gè)數(shù)為8x2=4,位于面心和棱上的小灰球的個(gè)數(shù)為22+4X4=2，位于體內(nèi)的大白球的個(gè)數(shù)為8,由晶體的化學(xué)式為C^ZnSbS”可知，小黑球A、B、C均為銅原子，小灰24球?yàn)殇\原子，大白球?yàn)榱蛟樱虎谟晌挥趛z面上的原子A的坐標(biāo)為(0,2,-4和位于xz面上的原子B的坐標(biāo)為(2，°，4可2(122+32x4+65+64x2(122+32x4+65+64x2)

NA③設(shè)晶胞的密度為dg/cm3,由晶胞的質(zhì)量公式可得:122+32x4+65+64x2=[(ax1°—10)2x2ax1°—10]xd，解得d= a3xI。_3oNA7.(1)[Ar]3d64S2(2)N>O>S；sp2雜化；分子晶體(3)正四面體形(4)10；cn-或C；-(5)3:1(6)12；x3:1(6)12；x1010【解析】(l)Fe位于第四周期VIII族，基態(tài)Fe原子價(jià)電子排布式為[Ar]3d64s2；(2)同周期從左向右第一電離能逐漸增大，但I(xiàn)IA>IIIA，VA>VIA，同主族從上到下第一電離能減小，即三種元素的第一電離能大小順序是N>O>S；苯環(huán)的立體構(gòu)型為平面正六邊形，即C的雜化類型為sp2；FeCl3的熔沸點(diǎn)低，符合分子晶體的性質(zhì)，即FeCl3屬于分子晶體，SO2-中中心原子S有6+2—4x24個(gè)o鍵，孤電子對(duì)數(shù)為 =0，價(jià)層電