T/IAWBSXXX—XXXX

碳化硅晶片邊緣輪廓檢驗方法

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅晶片邊緣輪廓（包含切口）的檢驗方法。

本文件適用于檢驗倒角后碳化硅晶片的邊緣輪廓（包含切口），其他材料晶片邊緣輪廓的檢驗可參照

本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文

件。

GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語

3術(shù)語和定義

GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。

4方法提要

將碳化硅晶片放置在光源下，光源照在碳化硅晶片邊緣，CCD相機將碳化硅晶片邊緣（不包括參考

面）或切口的輪廓形狀的圖像導(dǎo)入電腦，進(jìn)行二值化（即將圖像上的像素點的灰度值設(shè)置為0或255，將整

個圖像呈現(xiàn)出明顯的黑白效果的過程）處理后，通過曲率及直線切點計算得出邊緣輪廓長度。

5干擾因素

5.1空間中肉眼可見的顆粒、已倒角碳化硅晶片邊緣的表面大顆粒，會掩蓋晶片的輪廓形狀，對測試結(jié)

果產(chǎn)生誤差，因此應(yīng)保證潔凈的環(huán)境。

5.2碳化硅晶片的平整度會對測試結(jié)果產(chǎn)生誤差。

5.3碳化硅晶片邊緣厚度的變化會對測試結(jié)果有影響，因此應(yīng)保證晶片邊緣厚度均勻。

6儀器設(shè)備

輪廓儀一般由光源、CCD相機、載物臺及數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)等部分組成。

6.1光源：提供邊緣輪廓的光照亮度；

6.2CCD相機：在2倍/4倍鏡頭下采集碳化硅晶片邊緣輪廓（切口）形貌，2倍鏡頭測晶片厚度范圍

400～1400um，4倍鏡頭測量晶片厚度范圍200~500um。

6.3載物臺：它是支撐測量碳化硅晶片的平臺，通過旋轉(zhuǎn)載物臺旋鈕可以測量邊緣不同位置。

6.4數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)：圖像二值化處理后，提取邊緣輪廓（切口）形貌，通過曲率及直線切點計算得出邊

緣輪廓長度。

7試樣

碳化硅晶片測試前應(yīng)經(jīng)過倒角，且邊緣清潔、干燥。

8測試程序

1

T/IAWBSXXX—XXXX

8.1校準(zhǔn)

使用校正樣塊對設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)，校正樣塊只校準(zhǔn)厚度，所測得的校準(zhǔn)樣塊與標(biāo)準(zhǔn)值的差在標(biāo)準(zhǔn)誤差范

圍（≤1μm）。

8.2測量

8.2.1根據(jù)晶片尺寸調(diào)整載物臺導(dǎo)柱位置，并將碳化硅晶片按照Si面朝上放置在載物臺上。

8.2.2根據(jù)晶片類型及測試要求，選擇CCD相機類型（Edge相機和Notch相機）及磨石樣式（T型磨石

和R型磨石）；

8.2.3根據(jù)CCD相機提取靜止圖像并進(jìn)行二值化圖像處理，開始測量。邊緣輪廓形狀和測試結(jié)果會顯示

在顯示屏上，并根據(jù)需要可以打印。該方法可以測試R型（見圖1）、T型（見圖2）、切口（見圖3）

等的輪廓形狀。

其中：

A1、A2、B1、B2——輪廓長度；R——邊緣輪廓頂部圓弧半徑；

t——碳化硅晶片厚度；Ang1、Ang2——邊緣輪廓夾角。

圖1Type-R型

其中：

A1、A2、B1、B2——輪廓長度；R1、R2——邊緣輪廓頂部兩側(cè)圓弧半徑；

t——碳化硅晶片厚度；Ang1、Ang2——邊緣輪廓夾角。

圖2Type-T型

2

T/IAWBSXXX—XXXX

說明：

Vw——切口寬度；Vh——切口深度；

Vr——切口曲率半徑；AngV——切口角度；

P2——3mm（Pin）頂部到切口底部距離；P1=P2-Vh；

R1、R2——切口與碳化硅晶片輪廓交接圓弧半徑。

圖3切口

8.3測試點的位置和數(shù)量由供需雙方協(xié)商確定。

9精密度

選取3片直徑100mm的R型邊緣輪廓碳化硅晶片，采用輪廓儀按照本文件規(guī)定的方法分別進(jìn)行測

試。邊緣輪廓長度（A1、A2、B1、B2）的單個實驗室標(biāo)準(zhǔn)偏差不大于15%，多個實驗室再現(xiàn)性標(biāo)準(zhǔn)偏

不大于20%；半徑（R）的單個實驗室標(biāo)準(zhǔn)偏差不大于15%，多個實驗室再現(xiàn)性標(biāo)準(zhǔn)偏差不大于20%；

角度（Ang1、Ang2）的單個實驗室標(biāo)準(zhǔn)偏差不大于20%，多個實驗室再現(xiàn)性標(biāo)準(zhǔn)偏差不大于20%。

10試驗報告

試驗報告應(yīng)至少包括以下內(nèi)容：

a)測試日期；

b)測試人員姓名；

c)測試類型（R型、T型、V型切口）；

d)碳化硅晶片邊緣檢測點的位置；

e)測試結(jié)果（包括輪廓長度、邊緣輪廓夾角、切口深度、切口深度、切口角度）；

f)本標(biāo)準(zhǔn)編號。

_________________________________

3

ICS29.045（ICS國際標(biāo)準(zhǔn)分類號）

H80/84（中國標(biāo)準(zhǔn)文獻(xiàn)分類）

團體標(biāo)準(zhǔn)

T/IAWBS×××-×××

代替T/IAWBS（替代號）

碳化硅晶片邊緣輪廓檢驗方法

Testmethodsforedgecontourofsilicon

carbidewafers

征求意見稿

××××-××-××發(fā)布××××-××-××實施

中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟發(fā)布

T/IAWBSXXX—XXXX

碳化硅晶片邊緣輪廓檢驗方法

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅晶片邊緣輪廓（包含切口）的檢驗方法。

本文件適用于檢驗倒角后碳化硅晶片的邊緣輪廓（包含切口），其他材料晶片邊緣輪廓的檢驗可參照

本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文

件。

GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語

3術(shù)語和定義

GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。

4方法提要

將碳化硅晶片放置在光源下，光源照在碳化硅晶片邊緣，CCD相機將碳化硅晶片邊緣（不包括參考

面）或切口的輪廓形狀的圖像導(dǎo)入電腦，進(jìn)行二值化（即將圖像上的像素點的灰度值設(shè)置為0或255，將整

個圖像呈現(xiàn)出明顯的黑白效果的過程）處理后，通過曲率及直線切點計算得出邊緣輪廓長度。

5干擾因素

5.1空間中肉眼可見的顆粒、已倒角碳化硅晶片邊緣的表面大顆粒，會掩蓋晶片的輪廓形狀，對測試結(jié)

果產(chǎn)生誤差，因此應(yīng)保證潔凈的環(huán)境。

5.2碳化硅晶片的平整度會對測試結(jié)果產(chǎn)生誤差。

5.3碳化硅晶片邊緣厚度的變化會對測試結(jié)果有影響，因此應(yīng)保證晶片邊緣厚度均勻。

6儀器設(shè)備

輪廓儀一般由光源、CCD相機、載物臺及數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)等部分組成。

6.1光源：提供邊緣輪廓的光照亮度；

6.2CCD相機：在2倍/4倍鏡頭下采集碳化硅晶片邊緣輪廓（切口）形貌，2倍鏡頭測晶片厚度范圍

400～1400um，4倍鏡頭測量晶片厚度范圍200~500um。

6.3載物臺：它是支撐測量碳化硅晶片的平臺，通過旋轉(zhuǎn)載物臺旋鈕可以測量邊緣不同位置。

6.4數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)：圖像二值化處理后，提取邊緣輪廓（切口）形貌，通過曲率及直線切點計算得出邊

緣輪廓長度。

7試樣

碳化硅晶片測試前應(yīng)經(jīng)過倒角，且邊緣清潔、干燥。

8測試程序

1

T/IAWBSXXX—XXXX

8.1校準(zhǔn)

使用校正樣塊對設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)，校正樣塊只校準(zhǔn)厚度，所測得的校準(zhǔn)樣塊與標(biāo)準(zhǔn)值的差在標(biāo)準(zhǔn)誤差范

圍（≤1μm）。

8.2測量

8.2.1根據(jù)晶片尺寸調(diào)整載物臺導(dǎo)柱位置，并將碳化硅晶片按照Si面朝上放置在載物臺上。

8.2.2根據(jù)晶片類型及測試要求，選擇CCD相機類型（Edge相機和Notch相機）及磨石樣式（T型磨石

和R型磨石）；

8.2.3根據(jù)CCD相機提取靜止圖像并進(jìn)行二值化圖像處理，開始測量。邊緣輪廓形狀和測試結(jié)果會顯示

在顯示屏上，并根據(jù)需要可以打印。該方法可以測試R型（見圖1）、T型（見圖2）、切口（見圖3）

等的輪廓形狀。

其中：

A1、A2、B1、B2——輪廓長度；R——邊緣輪廓頂部圓弧半徑；

t——碳化硅晶片厚度；A