高壓變頻器研發(fā)工程師崗位招聘考試試卷及答案高壓變頻器研發(fā)工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（共10題，每題1分，共10分）1.高壓變頻器常見主電路拓?fù)浒╛_____、三電平和H橋級(jí)聯(lián)等。2.能實(shí)現(xiàn)無靜差調(diào)速的高壓變頻器控制方式是______。3.高壓IGBT額定電壓需留______倍系統(tǒng)峰值電壓裕量。4.高壓變頻器冷卻方式含風(fēng)冷、水冷和______。5.H橋級(jí)聯(lián)單元通常由整流橋、IGBT橋和______組成。6.抑制輸入側(cè)諧波的常用電抗器是______電抗器。7.10kV系統(tǒng)高壓變頻器絕緣等級(jí)需滿足______kV耐壓要求。8.矢量控制將定子電流分解為勵(lì)磁分量和______分量。9.EMC設(shè)計(jì)需考慮______干擾和輻射干擾兩類。10.變頻器效率=______功率/輸入功率。二、單項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分，共20分）1.10kV及以上大容量變頻器首選拓?fù)涫?？A.兩電平B.NPC三電平C.級(jí)聯(lián)H橋D.五電平2.高壓IGBT關(guān)斷時(shí)間通常為？A.微秒級(jí)B.毫秒級(jí)C.納秒級(jí)D.秒級(jí)3.響應(yīng)速度最快的控制方式是？A.V/f控制B.矢量控制C.直接轉(zhuǎn)矩控制（DTC）D.標(biāo)量控制4.輸入側(cè)諧波治理不包括？A.12脈沖整流B.APFC.無源濾波D.增加輸入電容5.高壓IGBT不常用封裝是？A.模塊封裝B.壓接式C.貼片封裝D.平板式6.保護(hù)功能不包括？A.過流B.過壓C.欠溫保護(hù)D.缺相7.實(shí)時(shí)控制首選通信協(xié)議是？A.ModbusRTUB.ProfibusDPC.TCP/IPD.FTP8.效率損耗不包括？A.開關(guān)損耗B.導(dǎo)通損耗C.鐵損D.機(jī)械損耗9.級(jí)聯(lián)單元數(shù)與輸出電壓關(guān)系是？A.正相關(guān)B.負(fù)相關(guān)C.無關(guān)D.反比10.常用絕緣材料是？A.銅箔B.環(huán)氧樹脂C.鋼片D.鋁箔三、多項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分，共20分）1.級(jí)聯(lián)H橋優(yōu)點(diǎn)包括？A.輸出諧波小B.模塊化易維護(hù)C.效率高D.無需隔離變壓器2.三電平拓?fù)漕愋陀校緼.NPC三電平B.飛跨電容三電平C.T型三電平D.五電平3.諧波抑制方法含？A.多脈沖整流B.有源濾波C.輸出LC濾波D.載波移相PWM4.控制方式包括？A.V/f控制B.矢量控制C.DTCD.無速度傳感器控制5.冷卻方式有？A.風(fēng)冷B.水冷C.油冷D.熱管冷卻6.IGBT關(guān)鍵參數(shù)含？A.額定電壓B.額定電流C.開關(guān)頻率D.結(jié)溫7.EMC措施含？A.屏蔽電纜B.濾波電路C.接地設(shè)計(jì)D.軟啟動(dòng)8.應(yīng)用領(lǐng)域含？A.風(fēng)機(jī)B.水泵C.壓縮機(jī)D.電梯9.故障類型含？A.過流B.過壓C.功率單元故障D.通信故障10.矢量控制核心步驟含？A.坐標(biāo)變換B.電流解耦C.速度環(huán)調(diào)節(jié)D.轉(zhuǎn)矩環(huán)調(diào)節(jié)四、判斷題（共10題，每題2分，共20分）1.級(jí)聯(lián)H橋必須用隔離變壓器。（）2.矢量控制可實(shí)現(xiàn)高精度調(diào)速。（）3.高壓IGBT可直接并聯(lián)。（）4.變頻器諧波可完全消除。（）5.水冷散熱效率比風(fēng)冷高。（）6.絕緣等級(jí)F滿足10kV系統(tǒng)要求。（）7.V/f控制是無靜差調(diào)速。（）8.EMC只需考慮傳導(dǎo)干擾。（）9.變頻器啟動(dòng)必須降壓。（）10.載波比越大，諧波越小。（）五、簡答題（共4題，每題5分，共20分）1.簡述級(jí)聯(lián)H橋拓?fù)浼皟?yōu)點(diǎn)。2.IGBT選型關(guān)鍵參數(shù)有哪些？3.矢量控制在高壓變頻器中的優(yōu)勢？4.諧波抑制常用方法？六、討論題（共2題，每題5分，共10分）1.如何平衡高壓變頻器設(shè)計(jì)的效率與成本？2.從設(shè)計(jì)和運(yùn)維角度解決絕緣失效問題。---答案部分一、填空題答案1.NPC三電平（中性點(diǎn)鉗位三電平）2.矢量控制（磁場定向控制）3.2-3（或2.5）4.油冷（熱管冷卻）5.直流電容6.輸入（串聯(lián)）7.108.轉(zhuǎn)矩9.傳導(dǎo)10.輸出二、單項(xiàng)選擇題答案1.C2.A3.C4.D5.C6.C7.B8.D9.A10.B三、多項(xiàng)選擇題答案1.ABC2.ABC3.ABCD4.ABCD5.ABCD6.ABCD7.ABC8.ABC9.ABCD10.ABCD四、判斷題答案1.×2.√3.×4.×5.√6.×7.×8.×9.×10.√五、簡答題答案1.拓?fù)洌憾鄠€(gè)獨(dú)立H橋單元級(jí)聯(lián)，每單元含整流橋、IGBT逆變橋、直流電容，單元輸出串聯(lián)得高壓。優(yōu)點(diǎn)：①輸出諧波低，無需復(fù)雜濾波；②模塊化，故障單元可旁路；③效率高，開關(guān)損耗小；④適合10kV及以上大容量。2.①額定電壓（2-3倍系統(tǒng)峰值裕量）；②額定電流（負(fù)載+過載裕量）；③開關(guān)頻率（匹配控制與損耗）；④結(jié)溫（高于環(huán)境+溫升）；⑤封裝（壓接/模塊式）；⑥均流能力（并聯(lián)時(shí)）。3.①解耦勵(lì)磁與轉(zhuǎn)矩分量，無靜差調(diào)速（<0.1%靜差）；②寬調(diào)速范圍（低速到高速）；③快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)（轉(zhuǎn)矩響應(yīng)<10ms）；④適合重載啟動(dòng)與轉(zhuǎn)矩控制；⑤可無速度傳感器控制，降本維護(hù)。4.①輸入側(cè)：多脈沖整流、無源/有源濾波；②輸出側(cè)：載波移相PWM、LC濾波；③拓?fù)鋬?yōu)化：三電平/級(jí)聯(lián)H橋；④控制：SVPWM等策略降低開關(guān)諧波。六、討論題答案1.平衡策略：①拓?fù)溥m配：小容量選NPC三電平，大容量選級(jí)聯(lián)H橋；②器件選型：選效率與成本均衡的IGBT，控制數(shù)量；③冷卻優(yōu)化：按需選水冷（高效）或風(fēng)冷（低成本）；④控制算法：用DPWM降低開關(guān)損耗，減少濾波成本；⑤模塊化：減少冗余，?？删S護(hù)性。依應(yīng)用場景（風(fēng)機(jī)重效率，小功率重成本）調(diào)整。2.設(shè)計(jì)角度：①材料：選H/C級(jí)絕緣（環(huán)氧樹脂等）；②結(jié)構(gòu)：多層絕緣，避免電場集