1、項目一 認識、檢測常用電子元器件,任務1 正確使用萬用表 任務2 學會識別電子元件 任務3 認識二極管 任務4 學習晶體管 操作指導,看一看、認一認,電子電路中主要包括以下元件：,1）電阻器：是電子電路中使用率最高的耗能元件。在電路中有穩(wěn)定和調節(jié)電流、電壓的作用，可以作為分流器、分壓器等使用。 2）電容器：是電子電路中使用率僅次于電阻器的一種能夠儲存電場能的元件，具有“隔直流通交流”的本領，通常起濾波、旁路、耦合等作用。 3）電感器：是一種能夠儲存磁場能的元件，具有“通直流阻交流”的本領，通常用于濾波、振蕩、延遲等電路中。 4）二極管：具有單向導電特性。二極管有普通和特殊之分，可以起到整流、穩(wěn)

2、壓、檢波、保護及發(fā)光等作用。 5）晶體管：具有電流放大和開關作用。,元器件選擇,元器件明細表,任務1 正確使用萬用表,500型萬用表 MF47 型萬用表 數字式萬用表,一、MF47型指針式萬用表的組成,主要包括三部分,介紹面板,表頭 轉換開關 （又稱選擇開關） 測量線路,1.表頭,表頭采用高靈敏度的磁電系測量機構，是測量的顯示裝置。表頭上的表盤印有多種符號、刻度線和數值。,標度尺,MF47型萬用表是多用途、多量程儀表。它的刻度盤上共有六條 標度尺，不同項目或擋位的測量，分別從對應標度尺上讀取數據,直流電阻的測量 交流電壓的測量 直流電壓的測量 直流電流的測量 晶體管放大倍數的測量 電容的測量

3、電感的測量 音頻電平的測量,2.轉換開關,電阻擋,直流電流擋 晶體管放大倍數擋,直流 電壓擋,交流電壓擋,3.測量線路,二、指針式萬用表的使用,1. 電阻的測量 1）選擋位：歐姆擋 2）選量程：使指針盡量指在歐姆擋刻度尺1/2左右處（歐姆中心值處） 3）歐姆調零：短接紅、黑兩只表筆，調整“”調零旋鈕，使指針指在0位置 4）連接電阻：把兩只表筆分開任意去接被測電阻的兩端 5）讀數：電阻值刻度值該擋倍率,2. 交流電壓的測量 1）選擋位：交流電壓擋 2）選量程：當不知電壓范圍時先用高擋再換低擋，使指針落在滿刻度2/3以上區(qū)域 3）選刻度：選標有“V ”刻度線，讀取合適的刻度 4）測量：表筆與被測電

4、路并聯(lián)，不分極性 5）讀數：根據所選量程來選擇合適標度尺，讀取被測電壓數值,3. 直流電壓的測量 1）選擋位：直流電壓擋 2）選量程：當不知電壓范圍時先用高擋再換低擋，使指針落在滿刻度2/3以上區(qū)域 3）選刻度：選標有“V -”刻度線，讀取合適的刻度 4）測量：表筆與被測電路并聯(lián)。紅筆接電路高電位端，黑筆接電路低電位端 5）讀數：根據所選量程來選擇合適標度尺，讀取被測電壓數值,4. 直流電流的測量 1）選擋位：直流電流擋 2）選量程：當不知電流范圍時先用高擋再換低擋，使指針落在滿刻度2/3以上區(qū)域 3）選刻度：選標有“mA”刻度線，讀取合適的刻度 4）測量：斷開被測電路 ，將萬用表紅、黑表筆串

5、入，電流從紅筆入黑筆出 5）讀數：根據所選量程來選擇合適標度尺，讀取被測電流數值,5. 晶體管hFE的測量 1）選擋調零：將轉換開關撥到ADJ擋，調零后將開關撥到hFE擋 2）測量：將E、B、C三引腳插入萬用表對應插座,其中PNP管插P座內,NPN管插N座內 3）讀表：在hFE刻度線上讀出被測晶體管hFE的值,任務2 學會識別電子元件,一、識別電阻器,電阻器的分類,常用電阻器實物及圖形符號,1. 電阻器標稱阻值和偏差的標注方法,電阻器的單位：國際單位是歐姆（），常用單位：千歐（K），兆歐（M）。 1 M 103 k 106 。 1）直標法：是用阿拉伯數字和單位符號將電阻值 直接標注在電阻體上

6、2）文字符號法：是用阿拉伯數字和文字符號兩者 有規(guī)律的組合來表示標稱阻值。如5K1表示 5.1K，51表示5.1，4M7表示4.7M 3）數碼法：是用兩位或三位阿拉伯數字表示電阻 值。前面的數字表示有效數字,末位數字表示 零的個數。三位數字，如“103”表示10000。 4）色標法：是將電阻器的類別及主要技術參數的數值用顏色（色環(huán)或色點）標注在它的外表面上，可分兩位、三位有效數字的阻值色標法,兩位有效數字的阻值色標法,棕紅1、2，橙是3； 4、5黃綠，6是藍； 7紫、8灰，白取9； 黑色圓圓是0蛋； 金銀代表負1、2， 顏色數碼要記全。 常用電阻四個環(huán)， 環(huán)靠哪頭從哪算， 一、二環(huán)是有效數，

7、三環(huán)乘倍是關鍵， 四環(huán)表示誤差數， 一般使用不用管。,三位有效數字的阻值色標法,精密電阻有五環(huán)， 前三環(huán)是有效數， 倍乘誤差四五環(huán)， 運用自如真方便。,舉例： 1. 四環(huán)電阻 色環(huán)順序：棕黑黑金阻值為10 ,誤差為5% 2. 五環(huán)電阻,色環(huán)順序：灰紅黑黑金阻值為820 ,誤差為5%,2. 電阻器的額定功率,電阻器長期連續(xù)工作并能滿足規(guī)定的性能要求時，所允許耗散的最大功率稱為電阻器的額定功率,二、識別電容器,常見電容及其圖形符號,1.電容器的標注方法,電容器的單位：國際單位是法拉（F）。常用單位有微法（F）、微微法（PF）。1F106F1012PF 1）直標法 2）數字表示法 3）數字字母法 4

8、）數碼法 5）色標法,例1直標法,耐壓 容量 極性 負極 正極 表示容量為220 F，耐壓為50V的電解電容器,例2數字表示法,容量：6800pF 耐壓：1500V 表示容量為6800pF 耐壓為1500V 圓片瓷介電容器,滌綸薄膜電容 耐壓：400V 容量：33X104F 誤差：J為5 表示容量為33X104F 誤差為5 耐壓為400V 滌綸薄膜電容器,耐壓為“2A”1.0102=100V 容量為“104”10104pF 誤差為“J” 5 滌綸薄膜電容器,滌綸電容器耐壓的標注是采用一個數字和一個字母組合而成。數字表示10的冪指數，字母表示數值，單位是V（伏）。 字母=數值 A=1.0 B=1

9、.25 C=1.6 D=2.0 E=2.5 F=3.15 G=4.0 H=5.0 J=6.3 K=8.0 Z=9.0 例如： 2A代表 1.0*100=100V 1J代表 6.3*10=63V 2G代表 4.0*100=400V 1K代表 8.0*10=80V,例3數字表示法,CL 滌綸薄膜電容,容量為47n=47 103pF 誤差為J 5 耐壓為63V,三、識別電感器,電感器實物及圖形符號,電感器的單位及符號,電感器用L表示，單位為亨利，符號為H。 常用單位還有毫亨（mH）、微亨（H），換算關系：1H103mH=106H。,容量,任務3 認識二極管,一、常用二極管實物及圖形符號,常用二極管實

10、物展示,二極管圖形符號： 文字符號：VD,箭頭方向表示二極管正向導通時電流的方向,實物外形正負電極的識別,二、二極管的導電特性實驗,觀察二極管和導電特性 1. VD正接時,電路原理圖,VD正接時實物示意圖,2. VD反接時,電路原理圖,VD反接時實物示意圖,為,何,不,亮,？,1. 正向偏置 燈泡亮時，與電源正極靠近的就是二極管正極，與電源負極靠近的就是二極管負極，這叫給二極管加上了正向電壓稱為正向偏置（簡稱正偏）。 此時二極管的正向電阻很小，如同開關閉合。 2. 反向偏置 燈泡不亮時說明二極管兩端加了反向電壓，稱為反向偏置（簡稱反偏），此時的反向電阻很大，二極管如同開關斷開。,結論,二極管是

11、有極性的器件，具有單向導電性，即加正向電壓導通，加反向電壓截止,？,三、二極管的結構與分類,1. 二極管的結構 二極管是由半導體材料制成的，其核心是PN結。PN結具有單向導電性，這也是二極管的主要特性。它是由管芯（主要是PN結）正、負極（從P區(qū)和N區(qū)分別焊出兩根金屬引線），封裝外殼組成。,半導體材料制成的,奧妙之處！,PN結為何有單向導電性?認識半導體,（1）半導體的定義 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質稱為半導體。 它一般為四價元素,化學結構比較穩(wěn)固，所以非常純凈的半導體，即本征半導體導電能力很差。但半導體的導電能力隨著摻入雜質、溫度和光照的不同而發(fā)生很大變化，具有摻雜性、光敏性、熱敏性等

12、導電性。,電子技術中常用的半導體材料是硅和鍺,載流子：能夠運載電荷的粒子稱為載流子。 半導體中的載流子有兩種： 自由電子：帶負電荷 空穴：帶與自由電子等量的負電荷。 特性：載流子在外電場作用下可以做定向移動，形成電流。只是本征半導體中的截流子很少，導電性能很差，為提高導電性能，需摻雜，形成雜質半導體。,本征半導體導電示意圖,（2）雜質半導體及分類 定義： 摻雜后的半導體為雜質半導體。 分類：按所摻入雜質類型不同，分為P型半導體和 N型半導體。 1）P型半導體：在本征半導體硅（或鍺）中摻入微量的三價元素，就形成P型半導體（空穴型半導體）。其內部有兩種運載電荷的粒子，即載流子,其中空穴是多數載流子

13、（簡稱多子），自由電子是少數載流子（簡稱少子）。 2）N型半導體：在本征半導體硅（或鍺）中摻入微量的五價元素，就形成N型半導體（或電子型半導體）。其中自由電子是多數載流子（簡稱多子），空穴是少數載流子（簡稱少子）。,（3）PN結： 1）定義：利用特殊的摻雜工藝，在一塊晶片兩邊分別生成N型和P型半導體，兩者的交界處就會出現(xiàn)一個特殊的接觸面，稱為PN結,PN結的形成示意圖,一定要注意??！ 由N區(qū)指向P 區(qū),2）PN結 的特性 PN結上加正向電壓，即P區(qū)接電源正極，N區(qū)接電源負極，這時外加電壓產生的外電場與PN結的內電場方向相反，內電場被削弱，形成較大的擴散電流，即正向電流。這時PN結的正向電阻很低

14、，處于正向導通狀態(tài)。 PN結加反向電壓， 即N區(qū)接電源正極，P區(qū)接電源負極，這時外電場與內電場方向一致，增強了內電場，使PN結的反向電阻大，處于反向截止狀態(tài)。所以說PN結具有單向導電性。,2. 分類,硅管 鍺管 塑料 玻璃 金屬封裝 點接觸型 面接觸型 平面型,按封裝形式分,按材料分,按管芯結構分,適宜在小電流狀態(tài)下使用,適合在大電流場合使用,3. 二極管的主要參數,1最大整流電流IFM 指二極管長時間工作時允許通過的最大直流電流。使用二極管時，應注意流過二極管的正向電流不能大于這個數值，否則可能損壞二極管。 2最高反向工作電壓URM 指二極管正常使用時所允許加的最高反向電壓。使用中如果超過此

15、值，二極管將有被擊穿的危險。,分析二極管的單向導電特性,1定義：用來描述二極管兩端的電壓和流過的電流之間的關系曲線叫作二極管的伏安特性。,二極管的伏安特性曲線,（1）正向特性（縱軸右側）：表示二極管加正向電壓時，該電壓與流過二極管電流之間的關系。正向特性分為兩個區(qū)： 1）死區(qū)（OA段） ：當正向電壓較小時，正向電流極小，二極管呈現(xiàn)很大的電阻，通常把這個范圍稱為死區(qū)。 死區(qū)電壓 2）正向導通區(qū)（AB段）：當正向電壓超過死區(qū)電壓時，二極管正向電阻變得很小，正向電流迅速增大，二極管正向導通。正向導通后，二極管有很小的管壓降。 管壓降,0.5V（Si）,0.2V（Ge）,0.60.7V（Si）,0.2

16、0.3V（Ge）,（2）反向特性（縱軸左側）：表示給二極管加反向電壓時，該電壓與流過二極管電流之間的關系。反向特性也分兩個區(qū)： 1）反向截止區(qū)（OC段）：當反向電壓在一定數值范圍內時，二極管反向電阻很大，反向電流很小，可以認為二極管反向截止。此時的反向電流稱為反向飽和電流。在實際使用中，反向飽和電流值越小，二極管的單向導電性越好。 2）反向擊穿區(qū)（CD段）：當反向電壓增到一定數值時（圖118中C點），反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象叫反向擊穿。C點對應的電壓就叫反向擊穿電壓UBR。擊穿后會因電流過大會將管子損壞，因此除穩(wěn)壓二極管外，普通二極管不允許出現(xiàn)反向擊穿現(xiàn)象。 結論：二極管的內阻不是常數，它是

17、非線性器件。,任務4 學習晶體管,一、認識晶體管外形、分類與符號,常見的各種晶體管,晶體管的分類,小功率管（耗散功率小于1W） 大功率管（耗散功率不低于1W） 放大管 開關管 低頻管（工作頻率在3MH以下） 高頻管（工作頻率不低于3MH） 合金管 平面管 NPN型 PNP型 硅管 鍺管,按功率分,按用途分,按工作頻率,按結構工藝分,按內部基本結構分,按管芯所用半導體材料,內部結構及圖形符號,PNP晶體管,NPN晶體管,二、晶體管的電流放大作用,看原理圖,連電路,實物示意圖,1. 測試：調節(jié)電位器RP可改變基極電流IB。 晶體管各極電流 2. 實驗數據分析 1）晶體管各極電流分配關系是： IE

18、=IB +IC 2）IE ICIB,2）IE ICIB 3）IB的微小變化會引起IC較大的變化 注意：晶體管的電流放大作用，實質上是用較小的基極電流信號控制較大的集電極電流信號，是“以小控大”的作用。 晶體管放大作用的實現(xiàn)需要一定的外部條件，即必須保證發(fā)射結加正向偏置電壓，集電結加反向偏置電壓。 晶體管的電流放大作用：基極電流IB的微小變化會引起集電極電流IC的較大變化，這就是晶體管的電流放大作用。,認識放大電路為共發(fā)射極放大電路,NPN型晶體管的共發(fā)射極接法,基極和發(fā)射極作為信號輸入端,集電極與發(fā)射極作為信號輸出端,發(fā)射極是輸入、輸出回路的公共端,PNP型晶體管的共發(fā)射極接法,基極和發(fā)射極作

19、為信號輸入端,集電極與發(fā)射極作為信號輸出端,發(fā)射極是輸入、輸出回路的公共端,三、晶體管的主要參數,（1）電流放大系數 它是表征晶體管電流放大能力的參數。 直流電流放大系數 （hFE）：集電極直流電流與基極直流電流之比即 : 交流電流放大系數 （hfe）：集電極電流的變化量與基極電流的變化量之比，即：,（2）極間反向飽和電流 這是衡量晶體管質量優(yōu)劣的重要指標 1）集電極 基極反向飽和電流ICBO 2）集電極 發(fā)射極反向飽和電流ICEO ICBO測量電路 ICEO測量電路,（3）極限參數 指晶體管使用時電壓、電流、及功率的極限值 1）集電極最大允許電流ICM 2）反向擊穿電壓： UCEO、 UCB

20、O、 UEBO 3）集電極最大允許耗散功率PCM 晶體管在使用時要注意：ICICM，UCE UCEO，PCPCM，晶體管才能長期安全工作，即應使晶體管工作在下圖所示的安全工作區(qū)內。,判定電路中晶體管的工作狀態(tài),結合圖中所示的晶體管內部結構與PN結的正向偏置示意圖，比較三個電極電位的高低，并判定晶體管工作狀態(tài)。,分析工作狀態(tài),當VPVN，則稱PN結正偏，反之稱為反偏。（以NPN管為例PNP管與此相反） 1）VCVBVE ，為發(fā)射結正偏，集電結反偏，晶體管工作處于放大狀態(tài)。 2）VBVCVE，為發(fā)射結正偏，集電結正偏，晶體管工作處于飽和狀態(tài)。 3）VCVEVB，為發(fā)射結反偏，集電結反偏，晶體管工作

21、處于截止狀態(tài)。,分析晶體管的特性曲線,測量晶體管特性的實驗電路,1. 輸入特性曲線,定義 指當晶體管的輸出電壓UCE為某一定值時，IB與UBE對應關系的曲線。輸入特性曲線曲線反映了輸入回路電壓和輸入電流之間的 關系。,正常導通時，發(fā)射結正向壓降UBE：硅管約0.7 鍺管為0.3V,死區(qū)電壓： 硅管約0.5V，鍺管約0.2V,晶體管輸入特性曲線類似于二極管的正向特性曲線,2. 輸出特性曲線,（1）定義 是反映晶體管輸出回路電壓、電流之間的關系，指當晶體管的輸入電流IB為某一定值時，集電極電流IC與集電極、發(fā)射極間的電壓UCE之間對應關系的一族曲線。,（2）分析 晶體管的輸出特性曲線可分為三個區(qū)域

22、，即截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。晶體管各區(qū)工作狀態(tài)特點見下表NPN晶體管截止、放大、飽和工作狀態(tài)特點,操作指導,？,一、用萬用表檢測電阻器,1電阻器阻值測量 測量時應注意： 電阻器需從電路中斷開，不允許帶電測量； 不允許手接觸表筆的金屬部分，以免引起測量誤差。,電阻器的萬用表檢測,2檢測電位器 （1） 首先要看旋柄轉動是否平滑，開關是否靈活，開關通、斷時“喀噠”聲是否清脆，并聽聽電位器內部接觸點和電阻體摩擦的聲音，如有“沙沙”聲，說明質量不好。 （2）用萬用表測試時，選擇合適的萬用表的電阻擋位，先測其標稱阻值是否正確，再測其阻值變化是否正常，如為0、或指針跳動，說明電位器已損壞或質量不佳。,電阻器的萬用表檢測,二、用萬用表檢測電容器,（1）容量大于5100PF的電容 選擋： 用“R1K”或“R10K”擋測量（小容量電容選低擋測量，大容量電容選高擋測量）。表針向右擺后退回到為正常；如退不到而停在某一數值上，該數值就是電容器的絕緣電阻（也稱漏電電阻)；若為零，則表明電容器已擊穿；若表針不動，則表明