1、3.2 結(jié)型場效應(yīng)管,JFET結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號,N溝道JFET管外部工作條件,VDS 0 (保證柵漏PN結(jié)反偏),VGS 0 (保證柵源PN結(jié)反偏),3.2.1 JFET管工作原理,VGS對溝道寬度的影響,若VDS=0,VDS很小時(shí) VGD VGS,由圖 VGD = VGS - VDS,因此 VDSID線性 ,若VDS 則VGD 近漏端溝道 Ron增大。,此時(shí) Ron ID 變慢,VDS對溝道的控制（假設(shè)VGS 一定）,此時(shí)W近似不變,即Ron不變,當(dāng)VDS增加到使VGD =VGS(off)時(shí) A點(diǎn)出現(xiàn)預(yù)夾斷,若VDS 繼續(xù)A點(diǎn)下移出現(xiàn)夾斷區(qū),此時(shí) VAS =VAG +VGS =-VGS(

2、off) +VGS （恒定）,若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則近似認(rèn)為l 不變（即Ron不變）。,因此預(yù)夾斷后：,VDS ID 基本維持不變。,利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場效應(yīng)，通過柵源電壓VGS的變化，改變阻擋層的寬窄，從而改變導(dǎo)電溝道的寬窄，控制漏極電流ID。,JFET工作原理：,綜上所述，JFET與MOSFET工作原理相似，它們都是利用電場效應(yīng)控制電流，不同之處僅在于導(dǎo)電溝道形成的原理不同。,NJFET輸出特性,非飽和區(qū)(可變電阻區(qū)),特點(diǎn)：,ID同時(shí)受VGS與VDS的控制。,3.2.2 伏安特性曲線,線性電阻:,飽和區(qū)(放大區(qū)),特點(diǎn)：,ID只受VGS控制，而與VDS近似無關(guān)。,數(shù)學(xué)模型：,在飽和區(qū)，

3、JFET的ID與VGS之間也滿足平方律關(guān)系，但由于JFET與MOS管結(jié)構(gòu)不同，故方程不同。,截止區(qū),特點(diǎn)：,溝道全夾斷的工作區(qū),條件：,VGS VGS(off),IG0，ID=0,擊穿區(qū),VDS 增大到一定值時(shí) 近漏極PN結(jié)雪崩擊穿, 造成 ID劇增。,VGS 越負(fù) 則VGD 越負(fù) 相應(yīng)擊穿電壓V(BR)DS越小,JFET轉(zhuǎn)移特性曲線,同MOS管一樣，JFET的轉(zhuǎn)移特性也可由輸出特性轉(zhuǎn)換得到(略)。,ID =0 時(shí)對應(yīng)的VGS值 夾斷電壓VGS（off） 。,VGS=0 時(shí)對應(yīng)的ID 值 飽和漏電流IDSS。,JFET電路模型同MOS管相同。只是由于兩種管子在飽和區(qū)數(shù)學(xué)模型不同，因此，跨導(dǎo)計(jì)算公式不同。,JFET電路模型,利用,得,各類FET管VDS、VGS極性比較,VDS極性與ID流向僅取決于溝道類型,VGS極性取決于工作方式及溝道類型,由于FET類型較多，單獨(dú)記憶較困難，現(xiàn)將各類FET管VDS、VGS極性及ID流向歸納如下：,N溝道FET：VDS 0，ID流入管子漏極。,P溝