1、第15講物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(選考),-2-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,考點(diǎn)一原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.(2017課標(biāo)全國(guó),35)鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉?wèn)題: (1)元素K的焰色反應(yīng)呈紫紅色,其中紫色對(duì)應(yīng)的輻射波長(zhǎng)為 nm(填標(biāo)號(hào))。 A.404.4B.553.5C.589.2D.670.8E.766.5 (2)基態(tài)K原子中,核外電子占據(jù)最高能層的符號(hào)是,占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為。K和Cr屬于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低,原因是。,-3-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演

2、練,考點(diǎn)三,(4)KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料,具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu),邊長(zhǎng)為a=0.446 nm,晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置,如圖所示。K與O間的最短距離為nm,與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為。 (5)在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中,I處于各頂角位置,則K處于位置,O處于位置。,-4-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,答案:(1)A(2)N球形K原子半徑較大且價(jià)電子數(shù)較少,金屬鍵較弱 (3)V形sp3 (4)0.31512 (5)體心棱心,-5-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,-6-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)

3、演練,考點(diǎn)三,-7-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,2.(2016課標(biāo)全國(guó),37)砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等?；卮鹣铝袉?wèn)題: (1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式。 (2)根據(jù)元素周期律,原子半徑GaAs,第一電離能GaAs。(填“大于”或“小于”) (3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為,其中As的雜化軌道類型為。 (4)GaF3的熔點(diǎn)高于1 000 ,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9 ,其原因是。,-8-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(5)GaAs的熔點(diǎn)為1 238 ,密度為 gcm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)

4、如圖所示。該晶體的類型為,Ga與As以鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol-1和MAs gmol-1,原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為。,-9-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,-10-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,解析:(1)As的原子序數(shù)是33,則基態(tài)As原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3或Ar3d104s24p3。 (2)Ga和As位于同一周期,同周期主族元素從左向右原子半徑逐漸減小,則原子半徑GaAs;由于A

5、s的4p能級(jí)處于半充滿狀態(tài),穩(wěn)定性強(qiáng),因此第一電離能GaAs。 (3)AsCl3分子中As原子雜化軌道類型為sp3雜化,三個(gè)sp3雜化軌道分別與三個(gè)氯原子成鍵,還有一個(gè)sp3雜化軌道上有一對(duì)孤電子對(duì),故AsCl3分子的立體構(gòu)型為三角錐形。 (4)GaF3為離子晶體,GaCl3為分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)一般高于分子晶體。,-11-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,-12-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,3.(2015課標(biāo)全國(guó),37)碳及其化合物廣泛存在于自然界中?；卮鹣铝袉?wèn)題: (1)處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用形象化描

6、述。在基態(tài)14C原子中,核外存在對(duì)自旋相反的電子。 (2)碳在形成化合物時(shí),其鍵型以共價(jià)鍵為主,原因是。 (3)CS2分子中,共價(jià)鍵的類型有,C原子的雜化軌道類型是,寫出兩個(gè)與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子。 (4)CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5,該化合物的熔點(diǎn)為253 K,沸點(diǎn)為376 K,其固體屬于晶體。,-13-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(5)碳有多種同素異形體,其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示: 在石墨烯晶體中,每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán),每個(gè)六元環(huán)占有個(gè)C原子。 在金剛石晶體中,C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán),每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán),六

7、元環(huán)中最多有個(gè)C原子在同一平面。,-14-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,答案:(1)電子云2 (2)C有4個(gè)價(jià)電子且半徑小,難以通過(guò)得或失電子達(dá)到穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu) (3)鍵和鍵spCO2、SCN-(或COS等) (4)分子(5)32124,-15-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,-16-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,-17-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,-18-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,方法技巧(1)構(gòu)造原理示意圖:,-19-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)

8、演練,考點(diǎn)三,(2)能量相同的原子軌道在全滿(p6、d10、f14)、半滿(p3、d5、f7)和全空(p0、d0、f0)狀態(tài)時(shí),體系的能量最低。如24Cr的基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,而不是1s22s22p63s23p63d44s2。,-20-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(2017廣東揭陽(yáng)二模)GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)均與金剛石相似。銅是重要的過(guò)渡元素,能形成多種配合物,如Cu2+與乙二胺(H2NCH2CH2NH2)可形成如圖所示配離子?；卮鹣铝袉?wèn)題:,(1)基態(tài)Ga原子價(jià)電子排布

9、圖為。 (2)熔點(diǎn):GaNGaP(填“”或“”或“”)。 (4)Cu2+與乙二胺所形成的配離子內(nèi)部不含有的化學(xué)鍵類型是。 A.配位鍵B.極性鍵 C.離子鍵D.非極性鍵,-21-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,(5)乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為,乙二胺和三甲胺分子式為N(CH3)3均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高很多,原因是。 (6)Cu的某種晶體晶胞為面心立方結(jié)構(gòu),晶胞邊長(zhǎng)為a cm,銅原子的半徑為r cm。該晶體密度為 gcm-3(用含a和NA的代數(shù)式表達(dá),NA為阿伏加德羅常數(shù)的值),該晶體中銅原子的空間利用率為(用含a和r的代數(shù)式表達(dá))。,-22-,考點(diǎn)一,

10、考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,-23-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)三,-24-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,考點(diǎn)二分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.(2017課標(biāo)全國(guó),35)研究發(fā)現(xiàn),在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)(CO2+3H2=CH3OH+H2O)中,Co氧化物負(fù)載的Mn氧化物納米粒子催化劑具有高活性,顯示出良好的應(yīng)用前景?；卮鹣铝袉?wèn)題: (1)Co基態(tài)原子核外電子排布式為。元素Mn與O中,第一電離能較大的是,基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)較多的是。 (2)CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別為 和。 (3)在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)所涉及的4

11、種物質(zhì)中,沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)?原因是。 (4)硝酸錳是制備上述反應(yīng)催化劑的原料,Mn(NO3)2中的化學(xué)鍵除了鍵外,還存在。,-25-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(5)MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)(如圖),其中陰離子采用面心立方最密堆積方式,X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420 nm,則r(O2-)為nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu),晶胞參數(shù)為a=0.448 nm,則r(Mn2+)為 nm。,-26-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-27-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,解析:(1)Co是27號(hào)元素,其基態(tài)

12、原子電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s2或Ar3d74s2。一般元素的非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大,金屬性越強(qiáng),第一電離能越小,故第一電離能OMn。氧原子價(jià)電子排布式為2s22p4,其核外未成對(duì)電子數(shù)是2,錳原子價(jià)電子排布式為3d54s2,其核外未成對(duì)電子數(shù)是5,故基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)較多的是Mn。 (2)CO2和CH3OH中的中心原子碳原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)分別是2和4,故碳原子的雜化方式分別為sp和sp3。 (3)四種物質(zhì)固態(tài)時(shí)均為分子晶體,H2O、CH3OH都可以形成分子間氫鍵,一個(gè)水分子中兩個(gè)H都可以參與形成氫鍵,而一個(gè)甲醇分子中只有羥基上的H可用于形成氫鍵,所以水的

13、沸點(diǎn)高于甲醇。CO2的相對(duì)分子質(zhì)量大于H2的,所以CO2分子間范德華力大于H2分子間的,則沸點(diǎn)CO2高于H2,故沸點(diǎn)H2OCH3OHCO2H2。,-28-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-29-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,2.(2016課標(biāo)全國(guó),37)鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題: (1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為Ar ,有個(gè)未成對(duì)電子。 (2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、三鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是。 (3)比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析

14、其變化規(guī)律及原因。,(4)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是。,-30-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為,微粒之間存在的作用力是。 (6)晶胞有兩個(gè)基本要素:,晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76 pm,其密度為 gcm-3(列出計(jì)算式即可)。,-31-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,答案:(1)3d104s24p22 (2)Ge原子半徑大,原子間形成的單鍵較長(zhǎng),p-p軌道肩并肩

15、重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成鍵 (3)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次升高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子質(zhì)量依次增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng) (4)OGeZn(5)sp3共價(jià)鍵,-32-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,解析:(1)Ge是第四周期A族元素,是32號(hào)元素,排布式為Ar3d104s24p2,2個(gè)4p電子分別位于2個(gè)不同軌道上,有2個(gè)未成對(duì)電子。 (2)Ge的原子半徑比C大,原子間形成單鍵較長(zhǎng),p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成“肩并肩”重疊方式的鍵。 (3)鍺鹵化物均為分子晶體,對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)

16、量越大,分子間作用力越大,熔、沸點(diǎn)越高。 (4)元素的非金屬性越強(qiáng),吸引電子能力就越強(qiáng),則電負(fù)性越強(qiáng),電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镺GeZn。 (5)金剛石中C為sp3雜化,C與C之間為非極性共價(jià)鍵,Ge單晶與金剛石結(jié)構(gòu)相似,雜化方式與存在的作用力也與金剛石一樣。,-33-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-34-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,3.(2015課標(biāo)全國(guó),37)A、B、C、D為原子序數(shù)依次增大的四種元素,A2-和B+具有相同的電子構(gòu)型;C、D為同周期元素,C核外電子總數(shù)是最外層電子數(shù)的3倍;D元素最外層有一個(gè)未成對(duì)電子?；卮鹣铝袉?wèn)題: (1

17、)四種元素中電負(fù)性最大的是(填元素符號(hào)),其中C原子的核外電子排布式為。 (2)單質(zhì)A有兩種同素異形體,其中沸點(diǎn)高的是(填分子式),原因是;A和B的氫化物所屬的晶體類型分別為和。 (3)C和D反應(yīng)可生成組成比為13的化合物E,E的立體構(gòu)型為,中心原子的雜化軌道類型為。,-35-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(4)化合物D2A的立體構(gòu)型為,中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為,單質(zhì)D與濕潤(rùn)的Na2CO3反應(yīng)可制備D2A,其化學(xué)方程式為。 (5)A和B能夠形成化合物F,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)a=0.566 nm,F的化學(xué)式為;晶胞中A原子的配位數(shù)為;列式計(jì)算晶體F的密度(gcm

18、-3)。,-36-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,答案:(1)O1s22s22p63s23p3(或Ne3s23p3) (2)O3O3相對(duì)分子質(zhì)量較大,范德華力大分子晶體離子晶體 (3)三角錐形sp3,-37-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,解析:根據(jù)題目條件,可推出A、B、C、D分別為O、Na、P、Cl。 (1)電負(fù)性最大的為O,P的核外電子排布為1s22s22p63s23p3。 (2)單質(zhì)A有O2、O3兩種同素異形體,相對(duì)分子質(zhì)量大的,分子間作用力也大,沸點(diǎn)高。 A、B的氫化物分別為H2O、NaH,晶體類型分別為分子晶體、離子晶體。 (3)E為

19、PCl3,P含有一對(duì)孤電子對(duì),價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,立體構(gòu)型為三角錐形,中心原子P的雜化類型為sp3雜化。,-38-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-39-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,1.中心原子雜化軌道數(shù)的判斷 雜化軌道數(shù)=鍵數(shù)+孤電子對(duì)數(shù)=價(jià)層電子對(duì)數(shù) 2.中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)、雜化類型與粒子的立體構(gòu)型,-40-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,3.分子構(gòu)型與分子極性的關(guān)系,-41-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-42-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,(2017黑龍江大慶

20、三模)鹵族元素在生活中有廣泛應(yīng)用,根據(jù)所學(xué)知識(shí)回答下列問(wèn)題。 (1)寫出氟元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖:,鹵族元素位于元素周期表的區(qū)。 (2)在一定濃度的氫氟酸溶液中,部分溶質(zhì)以二分子締合(HF)2形式存在,使HF分子締合的作用力是。 (3)BF3常溫下是氣體,有強(qiáng)烈的接受孤電子對(duì)的傾向。BF3分子的立體構(gòu)型為,固態(tài)時(shí)的晶體類型是,BF3與NH3相遇立即生成白色固體,寫出該白色固體物質(zhì)的結(jié)構(gòu)式并標(biāo)注出其中的配位鍵。,-43-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,(4)根據(jù)下表提供的數(shù)據(jù)判斷,熔點(diǎn)最高、硬度最大的是 (填化學(xué)式)。,-44-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心

21、建模,對(duì)點(diǎn)演練,氟化鈣晶胞 (6)CaF2晶胞如圖所示。已知:NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,棱上相鄰的兩個(gè)Ca2+的核間距為a cm,則CaF2的密度可表示為 gcm-3。,-45-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,-46-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,-47-,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,-48-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,考點(diǎn)三晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.(2017課標(biāo)全國(guó),35)我國(guó)科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl(用R代表)?；卮鹣铝袉?wèn)題: (1)氮

22、原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式(電子排布圖)為。 (2)元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個(gè)電子形成氣態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱作第一電子親和能(E1)。第二周期部分元素的E1變化趨勢(shì)如圖(a)所示,其中除氮元素外,其他元素的E1自左而右依次增大的原因是;氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是。,-49-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-50-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(3)經(jīng)X射線衍射測(cè)得化合物R的晶體結(jié)構(gòu),其局部結(jié)構(gòu)如圖(b)所示。 從結(jié)構(gòu)角度分析,R中兩種陽(yáng)離子的相同之處為,不同之處為。(填標(biāo)號(hào)) A.中心原子的雜化軌道類型B.中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù) C.立

23、體結(jié)構(gòu)D.共價(jià)鍵類型,-51-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(4)R的晶體密度為d gcm-3,其立方晶胞參數(shù)為a nm,晶胞中含有y個(gè)(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl單元,該單元的相對(duì)質(zhì)量為M,則y的計(jì)算表達(dá)式為。,-52-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-53-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-54-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,2.(2016課標(biāo)全國(guó),37)東晉華陽(yáng)國(guó)志南中志卷四中已有關(guān)于白銅的記載,云南鎳白銅(銅鎳合金)聞名中外,曾主要用于造幣,亦可用于制作仿銀飾品?；卮鹣铝袉?wèn)題:

24、 (1)鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為, 3d能級(jí)上的未成對(duì)電子數(shù)為。 (2)硫酸鎳溶于氨水形成Ni(NH3)6SO4藍(lán)色溶液。 Ni(NH3)6SO4中陰離子的立體構(gòu)型是。 在Ni(NH3)62+中Ni2+與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為,提供孤電子對(duì)的成鍵原子是。 氨的沸點(diǎn)(填“高于”或“低于”)膦(PH3),原因是;氨是分子(填“極性”或“非極性”),中心原子的軌道雜化類型為。,-55-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,(3)單質(zhì)銅及鎳都是由鍵形成的晶體;元素銅與鎳的第二電離能分別為: 的原因是。 (4)某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。 晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為

25、。 若合金的密度為d gcm-3,晶胞參數(shù)a= nm。,-56-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,答案:(1)1s22s22p63s23p63d84s2或Ar3d84s22 (2)正四面體配位鍵N 高于NH3分子間可形成氫鍵極性sp3 (3)金屬銅失去的是全充滿的3d10電子,鎳失去的是4s1電子,-57-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-58-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-59-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,1.均攤法確定晶胞的組成 (1)長(zhǎng)方體(正方體)晶胞中不同位置的粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn),-60-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,-61-,真題示例,核心建模,對(duì)點(diǎn)演練,考點(diǎn)一,考點(diǎn)二,考點(diǎn)三,2.晶體熔點(diǎn)高低的比較 (1)不同類型晶體的熔點(diǎn)高低一般規(guī)律:原子晶體離子晶體分子晶體。 (2)原子晶體:由共價(jià)鍵形成的原子晶