1、開關(guān)電源設(shè)計(jì),輸入電壓Vi=6100V; 輸出電壓Vo=5V；電流I=1A;,N溝道MOS管,NMOS，Vgs大于一定值就會導(dǎo)通(低端驅(qū)動)。（PMOS，導(dǎo)通電阻大，貴，不適用） 500V,數(shù)A，體積小，小功率，數(shù)百k頻率高。（雙極性BJT功率管，IGBT，500V以上）,鉗位保護(hù)電路,能將MOSFET關(guān)斷時加在漏極上的尖峰電壓限制在安全范圍之內(nèi)。,光電耦合器反饋電路,采集輸出電壓，通過單片機(jī)AD引腳將輸出電壓值反饋給單片機(jī)。,輸出電路,整流二極管D3（超快恢復(fù)二極管UFRD或者肖特基勢壘二極管（貴金屬） 用于大于50khz電路 C7 C7TR/(Uo/Io-RC) 電容內(nèi)部等效電阻RC,反激

2、式變壓器,主要參數(shù)：Ui，Uo，Po, Dmax ，,變壓器計(jì)算公式,計(jì)算初級電感量L1,計(jì)算初級電感L1儲存的能量 I*I*L1=W,查閱芯片指南，找到芯片型號和（磁通量），查找芯片尺寸，選擇AL（電感系數(shù)）,計(jì)算初級電感匝數(shù)N1,計(jì)算磁場強(qiáng)度H,計(jì)算氣隙 Lp為電感量 AL愈大，N愈小，氣隙愈小，氣隙不能太小，所以要合理選擇AL 中柱氣隙大小=兩邊住氣隙之和,根據(jù)初始磁導(dǎo)率和磁場強(qiáng)度H，查閱磁芯手冊獲得磁導(dǎo)率下降百分比（電感量損失百分比）（不得低于80%的偏擺值），得到實(shí)際工作時的初級電感量L1。這時，為了得到需要的電感量，可通過調(diào)節(jié)初級匝數(shù)達(dá)到目的。但是有時調(diào)節(jié)匝數(shù)也打不到目的（增加匝數(shù)

3、將增加B，進(jìn)一步增加電感變化率），就要更換小一點(diǎn)的（AL）磁芯試試。,計(jì)算磁芯中的磁通密度B Bmax0.5T（不能飽和） Le加氣隙后的有效磁路長度；lc不加氣隙前的有效磁路長度； l氣隙大?。ù笥?.025mm，太小工藝復(fù)雜，難度大）,計(jì)算初級電流峰值,10.計(jì)算次級線圈匝數(shù)N2 Uo 為加了二極管導(dǎo)通電壓的輸出電壓 Uo = Uo + UD,11.次級電感L2,12.復(fù)位時間TR TD+TR T總周期，D占空比,13.每匝線圈平均長度LA 14.此磁芯總的窗口面積AE 為陰影面積的2倍 AE =（E-F）/2 線圈填充值為K,初級次級各占一半面積ACU，則 每匝初級線圈的面積ACU =

4、AE*K/(2*N1),15.初級線圈總電阻值 R=N*LA* 每毫米電阻值 匝數(shù)*每匝長度*單位面積的電阻值,17.電流IDC,I,IAC,RAC,RDC RAC=FR*RDC 線徑/深度比 =FR PAC=IAC*IAC*RAC PDC=IDC*IDC*RDC 總銅線損耗：P銅=PAC+PDC,16.集膚深度,P芯可查表獲得 P= P銅+P芯 P小于要求值 P芯,反擊式變壓器,單位：采用MKS國際單位制式，真空磁導(dǎo)率0=4*10-7，絕對磁導(dǎo)率，相對磁導(dǎo)率r 反擊式變壓器：1次側(cè)導(dǎo)通，2次側(cè)截止，電能 儲存在初級線圈中，1次側(cè)截止，電流反向 2次側(cè)導(dǎo)通，電能傳遞給次級線圈。 導(dǎo)通時間D小于0.5。 變壓器磁芯飽和：磁芯的磁場強(qiáng)度增加到某一 值時，相對磁導(dǎo)率降低到1對應(yīng)的磁通密度稱為 飽和磁通密度。磁芯不得飽和，此時電感量 迅速下降，可能會引起電流過大