1、基礎(chǔ)電子技術(shù),楊榮峰 電氣學(xué)院電子學(xué)教研組，逸夫樓607,本節(jié)內(nèi)容,雙極型晶體管 雙極型晶體管的結(jié)構(gòu) 晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)與電流分配 晶體管的三種組態(tài) 晶體管的共射特性曲線 晶體管的參數(shù) 晶體管的型號(hào)、封裝,雙極性晶體管的結(jié)構(gòu),NPN,PNP,晶體管的三種組態(tài),輸入端,輸出端,公共端,雙極型晶體管的電流傳輸關(guān)系,總結(jié)（詳細(xì)版）,當(dāng)晶體管的發(fā)射結(jié)處于正向偏置（uBEUon）且集電結(jié)處于反相偏置（uCE=uBE）時(shí)，發(fā)射區(qū)中的多數(shù)載流子由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而大量注入到基區(qū)，其中僅有極少部分與基區(qū)的多數(shù)載流子復(fù)合，形成基極電流，而大部分在集電結(jié)外電場(chǎng)作用下被集電極收集形成漂移電流

2、iC，體現(xiàn)出iB對(duì)iC的控制作用，可將iC看成為由電流iB控制的電流源。,總結(jié)（熟練版）,在放大條件下，由發(fā)射區(qū)擴(kuò)散（發(fā)射結(jié)正偏）的載流子只有極少數(shù)在基區(qū)被復(fù)合，絕大部分被集電區(qū)收集（集電結(jié)反偏）。其分配關(guān)系是：在基區(qū)中每復(fù)合一個(gè)載流子，就有個(gè)載流子被集電區(qū)收集。該比例關(guān)系由晶體管的結(jié)構(gòu)決定，所以，通過控制IB，就能控制IC，即,uCuBuE,晶體管的共射輸入特性曲線,晶體管射輸出特性曲線,晶體管的參數(shù),（一）直流參數(shù) 共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) 共基極直流電流放大系數(shù) 集電結(jié)反向飽和電流ICBO 晶體管集射極穿透電流ICEO,穿透電流的解釋（不重要）,ICEO=(1+)ICBO解釋如下：集電結(jié)

3、處于反偏時(shí)，c-b之間有反向飽和電流ICBO，這部分電流主要由集電區(qū)的少子空穴在反偏電場(chǎng)作用下漂移到基區(qū)引起，這樣相當(dāng)于基區(qū)補(bǔ)充了ICBO個(gè)空穴，這些空穴必然在基區(qū)和發(fā)射結(jié)擴(kuò)散過來的自由電子復(fù)合，根據(jù)電流分配關(guān)系，一個(gè)空穴在基區(qū)和發(fā)射結(jié)擴(kuò)散過來的自由電子復(fù)合，就有個(gè)自由電子被集電結(jié)收集。因此有如下圖示過程：相當(dāng)于(1+)ICBO電流穿透從C到E。,（二）交流參數(shù) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) 共基極交流電流放大系數(shù),、,特征頻率fT ：f fT, =1 共射截止頻率f ：f= f， = 0/ （0為低頻時(shí)的數(shù)值） 共基截止頻率f ： f= f，,（三）極限參數(shù) 集電極最大允許電流ICM Ic 集電極最大允許功率損耗PCM PC= ICUCBICUCE 反向擊穿電壓,7030 0,U(BR)CEO,U(BR)CBO,U(BR)CES,U(BR)CER,U(BR)EBO,晶體管的安全工作區(qū),溫度對(duì)曲線的影響,20,50,UBE1,UBE2,IB,2020/8/24,國家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體三極管的命名如下: 3 D G 110 B,第二位：A鍺PNP管、B鍺NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低頻小功率管、D低頻大功率管、 G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關(guān)管,用字母表示材料