ICS31200 L55 . 中 華 人 民 共 和 國 國 家 標 準 GB/T349002017 微機電系統(tǒng) MEMS 技術 ( ) 基于光學干涉的 MEMS微結構 殘余應變測量方法 Micro-electromechanicalsystemtechnology MeasuringmethodforresidualstrainmeasurementsofMEMSmicrostructures usinganopticalinterferometer2017-11-01發(fā)布 2018-05-01實施 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 發(fā) 布 中 國 國 家 標 準 化 管 理 委 員 會 GB/T349002017 目 次 前言 范圍1 1 規(guī)范性引用文件2 1 術語和定義3 1 測量方法4 1 影響測量不確定度的主要因素5 6 附錄 資料性附錄 光學干涉顯微鏡的典型形式和主要技術特點 A ( ) 7 附錄 規(guī)范性附錄 擬合表面輪廓線余弦函數和計算變形量 B ( ) 9 GB/T349002017 前 言 本標準按照 給出的規(guī)則起草 GB/T1.12009 。 本標準由全國微機電技術標準化技術委員會 提出并歸口 (SAC/TC336) 。 本標準主要起草單位 天津大學 中機生產力促進中心 國家儀器儀表元器件質量監(jiān)督檢驗中心 南 : 、 、 、京理工大學 中國電子科技集團公司第十三研究所 、 。 本標準主要起草人 郭彤 胡曉東 李海斌 于振毅 裘安萍 程紅兵 崔波 朱悅 : 、 、 、 、 、 、 、 。 GB/T349002017 微機電系統(tǒng) MEMS 技術 ( ) 基于光學干涉的 MEMS微結構 殘余應變測量方法1 范圍 本標準規(guī)定了基于光學干涉顯微鏡獲取的微雙端固支梁結構表面形貌進行殘余應變測量的方法 。 本標準適用于表面反射率不低于 且使用光學干涉顯微鏡能夠獲取表面形貌的微雙端固支梁 4% 結構 。2 規(guī)范性引用文件 下列文件對于本文件的應用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 僅注日期的版本適用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改單 適用于本文件 。 , ( ) 。 產品幾何技術規(guī)范 表面結構 輪廓法 術語 定義及表面結構參數 GB/T3505 (GPS) 、 微機電系統(tǒng) 技術 術語 GB/T26111 (MEMS) 微機電系統(tǒng) 技術 微幾何量評定總則 GB/T26113 (MEMS) 微機電系統(tǒng) 技術 基于光學干涉的 微結構面內長度測量 GB/T348932017 (MEMS) MEMS 方法3 術語和定義 和 界定的以及下列術語和定義適用于本文件 GB/T3505、GB/T26111 GB/T348932017 。31 . 殘余應變 residualstrain 存在于材料 結構內部因塑性變形 不均勻溫度分布 不均勻相變而形成的并保持平衡的內應變 、 、 、 。4 測量方法 41 總則 . 411 微雙端固支梁由于