ICS31200 L55 . 中 華 人 民 共 和 國 國 家 標(biāo) 準(zhǔn) GB/T349002017 微機(jī)電系統(tǒng) MEMS 技術(shù) ( ) 基于光學(xué)干涉的 MEMS微結(jié)構(gòu) 殘余應(yīng)變測量方法 Micro-electromechanicalsystemtechnology MeasuringmethodforresidualstrainmeasurementsofMEMSmicrostructures usinganopticalinterferometer2017-11-01發(fā)布 2018-05-01實施 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 發(fā) 布 中 國 國 家 標(biāo) 準(zhǔn) 化 管 理 委 員 會 GB/T349002017 目 次 前言 范圍1 1 規(guī)范性引用文件2 1 術(shù)語和定義3 1 測量方法4 1 影響測量不確定度的主要因素5 6 附錄 資料性附錄 光學(xué)干涉顯微鏡的典型形式和主要技術(shù)特點 A ( ) 7 附錄 規(guī)范性附錄 擬合表面輪廓線余弦函數(shù)和計算變形量 B ( ) 9 GB/T349002017 前 言 本標(biāo)準(zhǔn)按照 給出的規(guī)則起草 GB/T1.12009 。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 提出并歸口 (SAC/TC336) 。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位 天津大學(xué) 中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心 國家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心 南 : 、 、 、京理工大學(xué) 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所 、 。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人 郭彤 胡曉東 李海斌 于振毅 裘安萍 程紅兵 崔波 朱悅 : 、 、 、 、 、 、 、 。 GB/T349002017 微機(jī)電系統(tǒng) MEMS 技術(shù) ( ) 基于光學(xué)干涉的 MEMS微結(jié)構(gòu) 殘余應(yīng)變測量方法1 范圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了基于光學(xué)干涉顯微鏡獲取的微雙端固支梁結(jié)構(gòu)表面形貌進(jìn)行殘余應(yīng)變測量的方法 。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于表面反射率不低于 且使用光學(xué)干涉顯微鏡能夠獲取表面形貌的微雙端固支梁 4% 結(jié)構(gòu) 。2 規(guī)范性引用文件 下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 僅注日期的版本適用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改單 適用于本文件 。 , ( ) 。 產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范 表面結(jié)構(gòu) 輪廓法 術(shù)語 定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù) GB/T3505 (GPS) 、 微機(jī)電系統(tǒng) 技術(shù) 術(shù)語 GB/T26111 (MEMS) 微機(jī)電系統(tǒng) 技術(shù) 微幾何量評定總則 GB/T26113 (MEMS) 微機(jī)電系統(tǒng) 技術(shù) 基于光學(xué)干涉的 微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長度測量 GB/T348932017 (MEMS) MEMS 方法3 術(shù)語和定義 和 界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件 GB/T3505、GB/T26111 GB/T348932017 。31 . 殘余應(yīng)變 residualstrain 存在于材料 結(jié)構(gòu)內(nèi)部因塑性變形 不均勻溫度分布 不均勻相變而形成的并保持平衡的內(nèi)應(yīng)變 、 、 、 。4 測量方法 41 總則 . 411 微雙端固支梁由于