1、2022-4-301半導體物理考前復習（第一章）半導體物理考前復習（第一章）金剛石的結構特點；金剛石的結構特點；導體、半導體和絕緣體的能帶圖，相關能帶結構名詞、導體、半導體和絕緣體的能帶圖，相關能帶結構名詞、 固體導電的原因、半導體導電性從能帶方面解釋；固體導電的原因、半導體導電性從能帶方面解釋；本征激發(fā)的概念；本征激發(fā)的概念；有效質(zhì)量的概念及其意義、有效質(zhì)量的概念及其意義、有效質(zhì)量的計算有效質(zhì)量的計算、電子空穴有效質(zhì)量的、電子空穴有效質(zhì)量的 特點、能帶寬度與有效質(zhì)量的關系、能量（有效質(zhì)量，速度、加特點、能帶寬度與有效質(zhì)量的關系、能量（有效質(zhì)量，速度、加速速 度）與波矢之間的變化關系圖；準動量

2、的概念和計算；度）與波矢之間的變化關系圖；準動量的概念和計算；等能面的概念及其種類；等能面的概念及其種類；回旋共振的原理和主要理論公式、該方法的主要作用；回旋共振的原理和主要理論公式、該方法的主要作用；硅、鍺等能面的特點、能帶結構；硅、鍺等能面的特點、能帶結構；禁帶寬度的概念；禁帶寬度的概念；2022-4-302直接（間接）帶隙的概念；直接（間接）帶隙的概念；半導體物理考前復習（第一章）半導體物理考前復習（第一章）禁帶寬度隨隨溫度變化的規(guī)律；窄（寬）禁帶寬度半導體的概念及禁帶寬度隨隨溫度變化的規(guī)律；窄（寬）禁帶寬度半導體的概念及 分界標準分界標準2022-4-303半導體物理考前復習（第二章）

3、半導體物理考前復習（第二章）雜質(zhì)的來源和其在半導體中存在的類型；雜質(zhì)的來源和其在半導體中存在的類型；施主雜質(zhì)、施主能級的概念及其形成過程、特點，及相關名詞，施主雜質(zhì)、施主能級的概念及其形成過程、特點，及相關名詞，n n型半型半 導體；導體；施主雜質(zhì)能級圖、分立能級的特點；施主雜質(zhì)能級圖、分立能級的特點；受主雜質(zhì)、受主能級的概念及其形成過程、特點，及相關名詞，受主雜質(zhì)、受主能級的概念及其形成過程、特點，及相關名詞，p p型半型半 導體；導體；施主雜質(zhì)能級圖、分立能級的特點；施主雜質(zhì)能級圖、分立能級的特點；淺能級雜質(zhì)和深能級雜質(zhì)；淺能級雜質(zhì)和深能級雜質(zhì)；淺能級雜質(zhì)電離能的概念及其簡單計算（類氫模型

4、）；淺能級雜質(zhì)電離能的概念及其簡單計算（類氫模型）；雜質(zhì)的補償作用；雜質(zhì)的補償作用；深能級雜質(zhì)能級的特點（可同時產(chǎn)生施主和受主能級）；深能級雜質(zhì)能級的特點（可同時產(chǎn)生施主和受主能級）；雜質(zhì)的雙性行為；雜質(zhì)的雙性行為；2022-4-304缺陷的來源與分類；缺陷的來源與分類；點缺陷的概念和種類、熱缺陷；點缺陷的概念和種類、熱缺陷；位錯的概念和種類，各種位錯的主要特點；位錯的概念和種類，各種位錯的主要特點；禁帶寬度與位錯引起體積改變的關系式及各量含義；禁帶寬度與位錯引起體積改變的關系式及各量含義；半導體物理考前復習（第二章）半導體物理考前復習（第二章）2022-4-305量子態(tài)（關于波矢的形式和關于

5、能量的形式）；量子態(tài)（關于波矢的形式和關于能量的形式）；電子能量與波矢的關系式；電子能量與波矢的關系式；狀態(tài)密度定義；狀態(tài)密度定義；k k空間量子態(tài)密度（恒值）；空間量子態(tài)密度（恒值）；利用波矢與能量的關系及利用波矢與能量的關系及k k空間量子態(tài)密度計算狀態(tài)密度函數(shù)（受等能空間量子態(tài)密度計算狀態(tài)密度函數(shù)（受等能 面形狀的影響）；面形狀的影響）；費米分布函數(shù)的表達式、其含義和表達式中各物理量的含義；費米分布函數(shù)的表達式、其含義和表達式中各物理量的含義；費米分布函數(shù)的性質(zhì)（費米分布函數(shù)的性質(zhì)（ ）；）；玻爾茲曼分布函數(shù)的表達式；玻爾茲曼分布函數(shù)的表達式；玻爾茲曼分布函數(shù)和費米分布函數(shù)的聯(lián)系和主要區(qū)

6、別；玻爾茲曼分布函數(shù)和費米分布函數(shù)的聯(lián)系和主要區(qū)別；半導體物理考前復習（第三章）半導體物理考前復習（第三章）00TT和2022-4-306簡并性系統(tǒng)與簡并半導體和非簡并性系統(tǒng)與非簡并半導體的；簡并性系統(tǒng)與簡并半導體和非簡并性系統(tǒng)與非簡并半導體的；導帶中電子濃度的計算方法和步驟（導帶中電子濃度的計算方法和步驟（判斷系統(tǒng)內(nèi)行判斷系統(tǒng)內(nèi)行計算能量關于波計算能量關于波 矢表達式，反解出波矢矢表達式，反解出波矢k k計算狀態(tài)密度函數(shù)計算狀態(tài)密度函數(shù)將狀態(tài)密度函數(shù)與電子將狀態(tài)密度函數(shù)與電子 分布函數(shù)相乘，且在整個能量范圍進行積分）；分布函數(shù)相乘，且在整個能量范圍進行積分）；平衡態(tài)下電子的濃度表達式平衡態(tài)下

7、電子的濃度表達式導帶有效狀態(tài)密度表達式導帶有效狀態(tài)密度表達式及其與溫度的關系，其值的大小及量綱；及其與溫度的關系，其值的大小及量綱；價帶有效狀態(tài)密度表達式價帶有效狀態(tài)密度表達式及其與溫度的關系，其值的大小及量綱；及其與溫度的關系，其值的大小及量綱；載流子濃度乘積的特點及其表達式載流子濃度乘積的特點及其表達式；載流子濃度乘積的決定因素溫度和；載流子濃度乘積的決定因素溫度和 禁帶寬度，與雜質(zhì)濃度無關）；禁帶寬度，與雜質(zhì)濃度無關）；載流子濃度乘積結論的適用范圍（非簡并狀態(tài)下熱平衡情況）；載流子濃度乘積結論的適用范圍（非簡并狀態(tài)下熱平衡情況）；半導體物理考前復習（第三章）半導體物理考前復習（第三章）2

8、022-4-307本征半導體概念及其特點；本征半導體概念及其特點；本征半導體中費米能級與禁帶中線相對位置；本征半導體中費米能級與禁帶中線相對位置；本征載流子濃度的影響因素（溫度和禁帶寬度）；本征載流子濃度的影響因素（溫度和禁帶寬度）；雜質(zhì)能級被電子或空穴占據(jù)的概率表達式雜質(zhì)能級被電子或空穴占據(jù)的概率表達式、相對于費米能級（玻爾茲曼、相對于費米能級（玻爾茲曼 能能 級的區(qū)別）；級的區(qū)別）；施主能級上的電子濃度施主能級上的電子濃度 及電離雜質(zhì)濃度及電離雜質(zhì)濃度 表達式和受主雜質(zhì)能級表達式和受主雜質(zhì)能級 上空穴濃度上空穴濃度 和電離施主濃度和電離施主濃度 表達式；表達式；電中心條件、低溫弱電離區(qū)下電

9、中性條件及該電中心條件、低溫弱電離區(qū)下電中性條件及該 條件下的電子空穴濃度；條件下的電子空穴濃度；中間電離區(qū)及其特點；中間電離區(qū)及其特點；強電流區(qū)及其特點（強電流區(qū)及其特點（未電離施主占施主雜質(zhì)的百分數(shù)未電離施主占施主雜質(zhì)的百分數(shù) 一定溫度一定溫度 下雜質(zhì)濃度上限的計算下雜質(zhì)濃度上限的計算 一定濃度下全部電離時溫度的計算一定濃度下全部電離時溫度的計算）；）； 半導體物理考前復習（第三章）半導體物理考前復習（第三章）DnApDnApD2022-4-308過渡區(qū)及其特點；過渡區(qū)及其特點；高溫本征激發(fā)區(qū)及其特點；高溫本征激發(fā)區(qū)及其特點；雜質(zhì)能級對費米能級位置的影響、費米能級相對于禁帶中線和雜質(zhì)能級雜

10、質(zhì)能級對費米能級位置的影響、費米能級相對于禁帶中線和雜質(zhì)能級 的位置（的位置（P P75-7675-76圖圖3-133-13）。）。一般情況下的載流子濃度的計算（以電中性條件為橋梁注意點中心條件一般情況下的載流子濃度的計算（以電中性條件為橋梁注意點中心條件 中個帶電粒子的含義）；中個帶電粒子的含義）；簡并半導體的概念及特點、服從的概念分布、雜質(zhì)能級和費米能級相對簡并半導體的概念及特點、服從的概念分布、雜質(zhì)能級和費米能級相對 于非簡并情況下的不同之處；于非簡并情況下的不同之處；簡并條件簡并條件P P7575 ；低溫速凍效應和禁帶變窄效應；低溫速凍效應和禁帶變窄效應；半導體物理考前復習（第三章）半

11、導體物理考前復習（第三章）2022-4-309歐姆定律及其相關物理量含義和量綱；歐姆定律及其相關物理量含義和量綱；電流密度的定義及量綱；電流密度的定義及量綱；歐姆定律的微分形式歐姆定律的微分形式 ；電子在電場下的運動（漂移、漂移速度、遷移率等各概念的含義和量綱）電子在電場下的運動（漂移、漂移速度、遷移率等各概念的含義和量綱）電導率的公式電導率的公式 半導體中電導率和遷移率半導體中電導率和遷移率 ；散射的概念、散射產(chǎn)生的根本原因（周期性勢場遭到破壞）；散射的概念、散射產(chǎn)生的根本原因（周期性勢場遭到破壞）；自由載流子、（平均）自由程、（平均）自由時間等概念的含義；自由載流子、（平均）自由程、（平均

12、）自由時間等概念的含義；散射的產(chǎn)生機構（主要機構和次要機構）；散射的產(chǎn)生機構（主要機構和次要機構）；平均自由時間與散射概率的關系（倒數(shù)）；平均自由時間與散射概率的關系（倒數(shù)）；電導率、遷移率與平均時間的關系電導率、遷移率與平均時間的關系P P104104 ；半導體物理考前復習（第四章）半導體物理考前復習（第四章）EJnqnpnqpq2022-4-3010遷移率與雜質(zhì)和溫度的關系；遷移率與雜質(zhì)和溫度的關系；多種散射機構存在情況下的總散射概念及其與平均自由時間的關系；多種散射機構存在情況下的總散射概念及其與平均自由時間的關系；電阻率與電導率之間的關系（互為倒數(shù)）、電阻率雜質(zhì)和溫度的關系；電阻率與電

13、導率之間的關系（互為倒數(shù)）、電阻率雜質(zhì)和溫度的關系；電阻率（電導率）結合雜質(zhì)濃度的計算；電阻率（電導率）結合雜質(zhì)濃度的計算；半導體物理考前復習（第四章）半導體物理考前復習（第四章）2022-4-3011非平衡狀態(tài)和非平衡載流子（過剩載流子）；非平衡狀態(tài)和非平衡載流子（過剩載流子）；非平衡載流子的表示、數(shù)量關系、非平衡多數(shù)載流子和少數(shù)載流子；非平衡載流子的表示、數(shù)量關系、非平衡多數(shù)載流子和少數(shù)載流子；非平衡載流子產(chǎn)生的兩種方式；非平衡載流子產(chǎn)生的兩種方式；小注入的概念及其滿足條件；小注入的概念及其滿足條件；非平衡載流子復合；非平衡載流子復合；少數(shù)載流子的壽命、少數(shù)載流子衰減曲線單指數(shù)形式的推導；

14、少數(shù)載流子的壽命、少數(shù)載流子衰減曲線單指數(shù)形式的推導；載流子壽命測量的方法；載流子壽命測量的方法；熱平衡狀態(tài)的標志熱平衡狀態(tài)的標志統(tǒng)一的費米能級；統(tǒng)一的費米能級；非平衡狀態(tài)下的費米能級特點非平衡狀態(tài)下的費米能級特點導帶和價帶費米能級不重合導帶和價帶費米能級不重合準費準費 米能級，但各自適用；米能級，但各自適用；半導體物理考前復習（第五章）半導體物理考前復習（第五章）2022-4-3012準費米能級偏移平衡態(tài)費米能級的程度受非平衡載流子濃度的影響規(guī)準費米能級偏移平衡態(tài)費米能級的程度受非平衡載流子濃度的影響規(guī)律律多數(shù)載流子準費米能級偏離少，少數(shù)載流子費米能級偏移多（多數(shù)載流子準費米能級偏離少，少數(shù)

15、載流子費米能級偏移多（P P132132）；復合理論（概念、分類、產(chǎn)生率、復合率、復合中心、有效復合中心的復合理論（概念、分類、產(chǎn)生率、復合率、復合中心、有效復合中心的條件）；條件）；陷阱效應（形成過程、陷阱中心等概念、最有利于陷阱作用的能級位置陷阱效應（形成過程、陷阱中心等概念、最有利于陷阱作用的能級位置（P P144144）；）；載流子的擴散運動：濃度梯度、擴散流密度、擴散系數(shù)、載流子的擴散運動：濃度梯度、擴散流密度、擴散系數(shù)、擴散定律、擴擴散定律、擴 散長度、穩(wěn)態(tài)擴散方程及其通解、穩(wěn)態(tài)方程在不同情況下的具體解（樣散長度、穩(wěn)態(tài)擴散方程及其通解、穩(wěn)態(tài)方程在不同情況下的具體解（樣 品足夠厚或厚

16、度一定）；品足夠厚或厚度一定）；愛因斯坦關系式及其作用（非簡并情況下擴散系數(shù)與遷移率的關系）愛因斯坦關系式及其作用（非簡并情況下擴散系數(shù)與遷移率的關系）；連續(xù)性方程（各單項表示的過程和含義、牽引長度的含義）；連續(xù)性方程（各單項表示的過程和含義、牽引長度的含義）；半導體物理考前復習（第五章）半導體物理考前復習（第五章）2022-4-3013半導體物理考前復習（第六章）半導體物理考前復習（第六章）pnpn結的結構、形成方法、分類及各自的特點（突變結、線性緩變結）；結的結構、形成方法、分類及各自的特點（突變結、線性緩變結）；穩(wěn)定的空間電荷區(qū)（穩(wěn)定內(nèi)建電場）的形成過程及相關概念穩(wěn)定的空間電荷區(qū)（穩(wěn)定內(nèi)

17、建電場）的形成過程及相關概念P P160160）；）；pnpn結能帶圖的結構特點；結能帶圖的結構特點；接觸電勢差（內(nèi)建電勢差）、勢壘高度、接觸電勢差的影響因素（雜質(zhì)接觸電勢差（內(nèi)建電勢差）、勢壘高度、接觸電勢差的影響因素（雜質(zhì) 濃度、溫度、材料的禁帶寬度）；濃度、溫度、材料的禁帶寬度）；勢壘區(qū)中載流子的分布函數(shù)、耗盡層；勢壘區(qū)中載流子的分布函數(shù)、耗盡層；外加電壓下勢壘區(qū)內(nèi)載流子的運動方向、能帶結構的變化、單向?qū)щ娦?；外加電壓下勢壘區(qū)內(nèi)載流子的運動方向、能帶結構的變化、單向?qū)щ娦裕焕硐肜硐雙npn結模型及其電流電壓方程結模型及其電流電壓方程：（：（模型模型4 4要點、電流電壓計算步驟要點、電流電

18、壓計算步驟）；）；單向?qū)щ娦院蜏囟葘Ψ较螂娏鞯挠绊懀ㄕ嚓P、禁帶寬度大，變化快）；單向?qū)щ娦院蜏囟葘Ψ较螂娏鞯挠绊懀ㄕ嚓P、禁帶寬度大，變化快）；實際情況下影響電流電壓特性的主要因素（四點）；實際情況下影響電流電壓特性的主要因素（四點）；2022-4-3014pnpn結來源及其分類（勢壘電容和擴散電容）；結來源及其分類（勢壘電容和擴散電容）；兩類電容的形成原因和過程；兩類電容的形成原因和過程；微分電容的定義；微分電容的定義；電容的計算步驟（泊松方程電容的計算步驟（泊松方程一次積分一次積分二次積分二次積分電容表達式電容表達式具具 體情況下的簡化）；體情況下的簡化）；pnpn結擊穿的概念、原因、和種類（雪崩、隧道、熱電）及各類擊穿形成結擊穿的概念、原因、和種類（雪崩、隧道、熱電）及各類擊穿形成 的過程；的過程； pnpn結隧道效應（負阻特性、隧道結、隧道結能帶隨外加偏壓變化而變結隧道效應（負阻特性、隧道結、隧道結能帶隨外加偏壓變化而變 化的簡單能帶圖）