真空、等離子體

真空鍍膜和電源真空、等離子體

真空鍍膜和電源1

真空“真空”這一術(shù)語(yǔ)譯自拉丁文Vacuo，其意義是虛無(wú)。其實(shí)真空應(yīng)理解為氣體較稀薄的空間。在指定的空間內(nèi)，低于一個(gè)大氣壓力的氣體狀態(tài)統(tǒng)稱(chēng)為真空。真空狀態(tài)下氣體稀薄程度稱(chēng)為真空度，通常用壓力值表示。真空技術(shù)是基本實(shí)驗(yàn)技術(shù)之一。自從1643年托里拆利做了著名的有關(guān)大氣壓力實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)了真空現(xiàn)象以后，真空技術(shù)迅速發(fā)展?，F(xiàn)在，真空技術(shù)已經(jīng)成為一門(mén)獨(dú)立的前言學(xué)科。它的基本內(nèi)容包括：真空物理、真空的獲得、真空的測(cè)量和檢漏、真空系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和計(jì)算等。隨著表面科學(xué)、空間科學(xué)高能粒子加速器、微電子學(xué)、薄膜技術(shù)、冶金工業(yè)以及材料學(xué)等尖端科技的發(fā)展，真空技術(shù)在近代尖端科學(xué)技術(shù)中的地位越來(lái)越重要。真空“真空”這一術(shù)語(yǔ)譯自拉丁文Vacuo，其意義是虛無(wú)。其2

真空：低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)。1643年，意大利物理學(xué)家托里拆利(E.Torricelli)首創(chuàng)著名的大氣壓實(shí)驗(yàn)，獲得真空。自然真空：氣壓隨海拔高度增加而減小，存在于宇宙空間。人為真空：用真空泵抽掉容器中的氣體。

真空真空：低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)。真空3真空量度單位1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓=760mmHg=760(Torr)1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓=1.013x105Pa1Torr=133.3Pa

真空真空量度單位真空4真空區(qū)域的劃分

目前尚無(wú)統(tǒng)一規(guī)定，常見(jiàn)的劃分為：粗真空低真空高真空超高真空極高真空

真空真空區(qū)域的劃分真空5等離子體等離子體是由部分分子、原子及原子被電離后產(chǎn)生的正離子和負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì)，它是除去固、液、氣外，物質(zhì)存在的第四態(tài)。等離子體是一種很好的導(dǎo)電體，呈準(zhǔn)中性狀態(tài)。等離子體等離子體是由部分分子、原子及原子被電離后產(chǎn)生的正離子6等離子體產(chǎn)生等離子體的方法歸結(jié)為如下5種：

1.氣體放電法

2.光電離法和激光輻射電離

3.射線(xiàn)輻照法

4.高溫法

5.沖擊波法

在真空狀態(tài)下，利用輝光放電或弧光放電等氣體放電法產(chǎn)生等離子體，是備制各種薄膜的主要方法。如：磁控濺射真空鍍膜和多弧離子真空鍍膜（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）等離子體產(chǎn)生等離子體的方法歸結(jié)為如下5種：

7等離子體輝光放電glowdischarge

是低壓氣體中顯示輝光的氣體放電現(xiàn)象。在真空狀態(tài)下，當(dāng)兩極間電壓較高（約1000伏）時(shí)，稀薄氣體中的殘余正離子在電場(chǎng)中加速，有足夠的動(dòng)能轟擊陰極，產(chǎn)生二次電子，經(jīng)簇射過(guò)程產(chǎn)生更多的帶電粒子，使氣體導(dǎo)電。輝光放電時(shí)，在放電管兩極電場(chǎng)的作用下，電子和正離子分別向陽(yáng)極、陰極運(yùn)動(dòng)，并堆積在兩極附近形成空間電荷區(qū)。因正離子的漂移速度遠(yuǎn)小于電子，故正離子空間電荷區(qū)的電荷密度比電子空間電荷區(qū)大得多，使得整個(gè)極間電壓幾乎全部集中在陰極附近的狹窄區(qū)域內(nèi)。這是輝光放電的顯著特征，而且在正常輝光放電時(shí)，兩極間電壓不隨電流變化。

等離子體輝光放電glowdischarge

8真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)蒸發(fā)鍍：在真空中把制作薄膜的材料加熱蒸發(fā)，使其淀積在適當(dāng)?shù)谋砻嫔稀０娮枋?，電子束式蒸發(fā)等。磁控濺射：當(dāng)?shù)入x子體中高能粒子(電場(chǎng)加速的正離子)打在固體表面時(shí)，與表面的原子、分子交換能量，從而使這些原子、分子飛濺出來(lái)。包括直流濺射，射頻濺射，反應(yīng)濺射等離子鍍：兼有蒸發(fā)鍍和濺射鍍的特點(diǎn)。通常把以上幾種方法稱(chēng)為物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition)技術(shù)，簡(jiǎn)稱(chēng)PVD技術(shù)?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）：用等離子體中化學(xué)反應(yīng)的方法在基片上沉積薄膜的鍍膜技術(shù)真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)9真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)特點(diǎn)在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)、濺射或化學(xué)反應(yīng)，然后使其沉積在被涂覆的物體（基體）上的方法稱(chēng)為真空鍍膜。在材料表面上，鍍上一層薄膜就能使該種材料具有許多新的物理和化學(xué)性能。過(guò)去的鍍膜多采用電鍍法和化學(xué)鍍法，存在厚度難以控制，膜層均勻性差，附著力差，并造成環(huán)境污染等問(wèn)題。真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)特點(diǎn)10真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用平板光學(xué)和平板顯示建筑玻璃半導(dǎo)體制造數(shù)據(jù)存儲(chǔ)包裝工業(yè)裝飾鍍和工具鍍太陽(yáng)能電池真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用11真空鍍膜磁控濺射原理磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子在加速的過(guò)程中受到磁場(chǎng)洛侖茲力的作用，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)。電子的運(yùn)動(dòng)的軌跡將是沿電場(chǎng)方向加速，同時(shí)繞磁場(chǎng)方向螺旋前進(jìn)的復(fù)雜曲線(xiàn)。即磁場(chǎng)的存在將延長(zhǎng)電子在等離子體中的運(yùn)動(dòng)軌跡，提高了它參與原子碰撞和電離過(guò)程的幾率，因而在同樣的電流和氣壓下可以顯著地提高濺射的效率和沉積的速率。真空鍍膜磁控濺射原理12真空鍍膜磁控濺射原理圖真空鍍膜磁控濺射原理圖13真空鍍膜磁控濺射特點(diǎn)膜厚可控性和重復(fù)性好薄膜與基片的附著力強(qiáng)可以制備絕大多數(shù)材料的薄膜，包括合金，化合物等膜層純度高，致密。真空鍍膜磁控濺射特點(diǎn)14真空鍍膜直流濺射：用于導(dǎo)電靶中頻濺射：用于導(dǎo)電靶射頻濺射：用于絕緣靶不同的濺射方式真空鍍膜直流濺射：用于導(dǎo)電靶不同的濺射方式15真空鍍膜反應(yīng)濺射在濺射鍍膜時(shí)，有意識(shí)地將某種反應(yīng)性氣體如氮?dú)猓鯕獾纫霝R射室并達(dá)到一定分壓，即可改變或控制沉積特性，從而獲得不同于靶材的新物質(zhì)薄膜，如各種金屬氧化物，氮化物，碳化物及絕緣介質(zhì)等薄膜。直流反應(yīng)濺射存在靶中毒，陽(yáng)極消失問(wèn)題，上個(gè)世紀(jì)80年代出現(xiàn)的直流脈沖或中頻孿生濺射，使反應(yīng)濺射可以大規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。真空鍍膜反應(yīng)濺射16真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度,因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。反應(yīng)磁控濺射沉積過(guò)程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高,而且成膜過(guò)程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱,因此對(duì)基板材料的限制較少。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實(shí)現(xiàn)鍍膜的大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。反應(yīng)濺射的特點(diǎn)真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反17真空鍍膜現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展需要應(yīng)用到越來(lái)越多的化合物薄膜。如光學(xué)工業(yè)中使用的TiO2、SiO2和Ta2O5等硬質(zhì)膜。電子工業(yè)中使用的ITO透明導(dǎo)電膜,SiO2、Si3N4和Al2O3等鈍化膜、隔離膜、絕緣膜。建筑玻璃上使用的ZnO、SnO2、TiO2、SiO2等介質(zhì)膜。反應(yīng)濺射的應(yīng)用真空鍍膜現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展需要應(yīng)用到越來(lái)越多的化合物薄膜。反應(yīng)濺18電源

直流電源用于磁控濺射

直流電源輸出曲線(xiàn)

直流電源電源直流電源用于磁控濺射直流電源輸出曲線(xiàn)直19電源MDXSeries:500W,1KW,1.5KW,2.5KW,5KW,10KW,可以疊加到80KW，Air-cooledMDXIISeries:15KW,30KW,可以疊加到120KW,Air-cooledPinnacleSeries:3KW,6KW,6*6KW,10KW,10*10KW,20KW,可以疊加到200KW,Air-cooledSummitSeries:25*25KW,50KW,可以疊加到500KW,Air-cooledDiamondSeries:8KW,15KW,Water-cooled,用于光盤(pán)制造

直流電源種類(lèi)電源MDXSeries:500W,1KW,1.5KW20電源

直流脈沖電源

直流脈沖電源用于磁控濺射

直流脈沖電源輸出曲線(xiàn)電源直流脈沖電源直流脈沖電源用于磁控濺射直21電源PinnaclePlus+Series:5KW,5*5KW,10KW,可以疊加到60KW,Air-cooled,Frequency:5~350KHzDCSupplyPulsingAccessories:500W~480KW

直流脈沖電源種類(lèi)脈沖作用中和靶表面正離子，避免產(chǎn)生Arc電源PinnaclePlus+Series:5KW,22電源中頻電源輸出曲線(xiàn)圖

中頻電源輸出曲線(xiàn)中頻電源用于雙靶輸出曲線(xiàn)圖電源中頻電源輸出曲線(xiàn)圖中頻電源輸出曲線(xiàn)中頻電源用于雙靶23電源

中頻電源中頻電源用于雙靶磁控濺射電源中頻電源中頻電源用于雙靶磁控濺射24電源PEandPEIISeries:5KW,10W,可以疊加到60KW,water-cooled,Frequency:40KHzCrystalSeries:60KW,120KW,180KW,water-cooled,Frequency:20~80KHz,用于大面積濺射鍍膜

中頻電源種類(lèi)電源PEandPEIISeries:5KW,1025電源射頻電源輸出曲線(xiàn)圖

射頻電源Plasmacloud--------------------+--+---+++-+---+-+ElectricalinsulatorRFvoltagesource+++++射頻電源用于磁控濺射電源射頻電源輸出曲線(xiàn)圖射頻電源Plasmacloud26電源射頻電源用于刻蝕

射頻電源電源射頻電源用于刻蝕射頻電源27電源刻蝕示意圖

射頻電源電源刻蝕示意圖射頻電源28電源射頻電源用于PECVD

射頻電源電源射頻電源用于PECVD射頻電源29電源DresslerCesarSeries:

300W,600W,1KW,1.2KW,2KW,2.5KW,3KW,5KW,Frequency:13.56MHzVMMatchingNetworksVM600A,VM1000A,VM1500,VM5000

射頻電源種類(lèi)ApexSeries:1.5KW~5.5KW,Frequency:13.56MHzNavigatorMatchingNetworks

電源DresslerCesarSeries:射頻30Thanks！Thanks！31真空、等離子體

真空鍍膜和電源真空、等離子體

真空鍍膜和電源32

真空“真空”這一術(shù)語(yǔ)譯自拉丁文Vacuo，其意義是虛無(wú)。其實(shí)真空應(yīng)理解為氣體較稀薄的空間。在指定的空間內(nèi)，低于一個(gè)大氣壓力的氣體狀態(tài)統(tǒng)稱(chēng)為真空。真空狀態(tài)下氣體稀薄程度稱(chēng)為真空度，通常用壓力值表示。真空技術(shù)是基本實(shí)驗(yàn)技術(shù)之一。自從1643年托里拆利做了著名的有關(guān)大氣壓力實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)了真空現(xiàn)象以后，真空技術(shù)迅速發(fā)展。現(xiàn)在，真空技術(shù)已經(jīng)成為一門(mén)獨(dú)立的前言學(xué)科。它的基本內(nèi)容包括：真空物理、真空的獲得、真空的測(cè)量和檢漏、真空系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和計(jì)算等。隨著表面科學(xué)、空間科學(xué)高能粒子加速器、微電子學(xué)、薄膜技術(shù)、冶金工業(yè)以及材料學(xué)等尖端科技的發(fā)展，真空技術(shù)在近代尖端科學(xué)技術(shù)中的地位越來(lái)越重要。真空“真空”這一術(shù)語(yǔ)譯自拉丁文Vacuo，其意義是虛無(wú)。其33

真空：低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)。1643年，意大利物理學(xué)家托里拆利(E.Torricelli)首創(chuàng)著名的大氣壓實(shí)驗(yàn)，獲得真空。自然真空：氣壓隨海拔高度增加而減小，存在于宇宙空間。人為真空：用真空泵抽掉容器中的氣體。

真空真空：低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)。真空34真空量度單位1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓=760mmHg=760(Torr)1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓=1.013x105Pa1Torr=133.3Pa

真空真空量度單位真空35真空區(qū)域的劃分

目前尚無(wú)統(tǒng)一規(guī)定，常見(jiàn)的劃分為：粗真空低真空高真空超高真空極高真空

真空真空區(qū)域的劃分真空36等離子體等離子體是由部分分子、原子及原子被電離后產(chǎn)生的正離子和負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì)，它是除去固、液、氣外，物質(zhì)存在的第四態(tài)。等離子體是一種很好的導(dǎo)電體，呈準(zhǔn)中性狀態(tài)。等離子體等離子體是由部分分子、原子及原子被電離后產(chǎn)生的正離子37等離子體產(chǎn)生等離子體的方法歸結(jié)為如下5種：

1.氣體放電法

2.光電離法和激光輻射電離

3.射線(xiàn)輻照法

4.高溫法

5.沖擊波法

在真空狀態(tài)下，利用輝光放電或弧光放電等氣體放電法產(chǎn)生等離子體，是備制各種薄膜的主要方法。如：磁控濺射真空鍍膜和多弧離子真空鍍膜（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）等離子體產(chǎn)生等離子體的方法歸結(jié)為如下5種：

38等離子體輝光放電glowdischarge

是低壓氣體中顯示輝光的氣體放電現(xiàn)象。在真空狀態(tài)下，當(dāng)兩極間電壓較高（約1000伏）時(shí)，稀薄氣體中的殘余正離子在電場(chǎng)中加速，有足夠的動(dòng)能轟擊陰極，產(chǎn)生二次電子，經(jīng)簇射過(guò)程產(chǎn)生更多的帶電粒子，使氣體導(dǎo)電。輝光放電時(shí)，在放電管兩極電場(chǎng)的作用下，電子和正離子分別向陽(yáng)極、陰極運(yùn)動(dòng)，并堆積在兩極附近形成空間電荷區(qū)。因正離子的漂移速度遠(yuǎn)小于電子，故正離子空間電荷區(qū)的電荷密度比電子空間電荷區(qū)大得多，使得整個(gè)極間電壓幾乎全部集中在陰極附近的狹窄區(qū)域內(nèi)。這是輝光放電的顯著特征，而且在正常輝光放電時(shí)，兩極間電壓不隨電流變化。

等離子體輝光放電glowdischarge

39真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)蒸發(fā)鍍：在真空中把制作薄膜的材料加熱蒸發(fā)，使其淀積在適當(dāng)?shù)谋砻嫔稀０娮枋?，電子束式蒸發(fā)等。磁控濺射：當(dāng)?shù)入x子體中高能粒子(電場(chǎng)加速的正離子)打在固體表面時(shí)，與表面的原子、分子交換能量，從而使這些原子、分子飛濺出來(lái)。包括直流濺射，射頻濺射，反應(yīng)濺射等離子鍍：兼有蒸發(fā)鍍和濺射鍍的特點(diǎn)。通常把以上幾種方法稱(chēng)為物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition)技術(shù)，簡(jiǎn)稱(chēng)PVD技術(shù)?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）：用等離子體中化學(xué)反應(yīng)的方法在基片上沉積薄膜的鍍膜技術(shù)真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)40真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)特點(diǎn)在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)、濺射或化學(xué)反應(yīng)，然后使其沉積在被涂覆的物體（基體）上的方法稱(chēng)為真空鍍膜。在材料表面上，鍍上一層薄膜就能使該種材料具有許多新的物理和化學(xué)性能。過(guò)去的鍍膜多采用電鍍法和化學(xué)鍍法，存在厚度難以控制，膜層均勻性差，附著力差，并造成環(huán)境污染等問(wèn)題。真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)特點(diǎn)41真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用平板光學(xué)和平板顯示建筑玻璃半導(dǎo)體制造數(shù)據(jù)存儲(chǔ)包裝工業(yè)裝飾鍍和工具鍍太陽(yáng)能電池真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用42真空鍍膜磁控濺射原理磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子在加速的過(guò)程中受到磁場(chǎng)洛侖茲力的作用，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)。電子的運(yùn)動(dòng)的軌跡將是沿電場(chǎng)方向加速，同時(shí)繞磁場(chǎng)方向螺旋前進(jìn)的復(fù)雜曲線(xiàn)。即磁場(chǎng)的存在將延長(zhǎng)電子在等離子體中的運(yùn)動(dòng)軌跡，提高了它參與原子碰撞和電離過(guò)程的幾率，因而在同樣的電流和氣壓下可以顯著地提高濺射的效率和沉積的速率。真空鍍膜磁控濺射原理43真空鍍膜磁控濺射原理圖真空鍍膜磁控濺射原理圖44真空鍍膜磁控濺射特點(diǎn)膜厚可控性和重復(fù)性好薄膜與基片的附著力強(qiáng)可以制備絕大多數(shù)材料的薄膜，包括合金，化合物等膜層純度高，致密。真空鍍膜磁控濺射特點(diǎn)45真空鍍膜直流濺射：用于導(dǎo)電靶中頻濺射：用于導(dǎo)電靶射頻濺射：用于絕緣靶不同的濺射方式真空鍍膜直流濺射：用于導(dǎo)電靶不同的濺射方式46真空鍍膜反應(yīng)濺射在濺射鍍膜時(shí)，有意識(shí)地將某種反應(yīng)性氣體如氮?dú)猓鯕獾纫霝R射室并達(dá)到一定分壓，即可改變或控制沉積特性，從而獲得不同于靶材的新物質(zhì)薄膜，如各種金屬氧化物，氮化物，碳化物及絕緣介質(zhì)等薄膜。直流反應(yīng)濺射存在靶中毒，陽(yáng)極消失問(wèn)題，上個(gè)世紀(jì)80年代出現(xiàn)的直流脈沖或中頻孿生濺射，使反應(yīng)濺射可以大規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。真空鍍膜反應(yīng)濺射47真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度,因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。反應(yīng)磁控濺射沉積過(guò)程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高,而且成膜過(guò)程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱,因此對(duì)基板材料的限制較少。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實(shí)現(xiàn)鍍膜的大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。反應(yīng)濺射的特點(diǎn)真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反48真空鍍膜現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展需要應(yīng)用到越來(lái)越多的化合物薄膜。如光學(xué)工業(yè)中使用的TiO2、SiO2和Ta2O5等硬質(zhì)膜。電子工業(yè)中使用的ITO透明導(dǎo)電膜,SiO2、Si3N4和Al2O3等鈍化膜、隔離膜、絕緣膜。建筑玻璃上使用的ZnO、SnO2、TiO2、SiO2等介質(zhì)膜。反應(yīng)濺射的應(yīng)用真空鍍膜現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展需要應(yīng)用到越來(lái)越多的化合物薄膜。反應(yīng)濺49電源

直流電源用于磁控濺射

直流電源輸出曲線(xiàn)

直流電源電源直流電源用于磁控濺射直流電源輸出曲線(xiàn)直50電源MDXSeries:500W,1KW,1.5KW,2.5KW,5KW,10KW,可以疊加到80KW，Air-cooledMDXIISeries:15KW,30KW,可以疊加到120KW,Air-cooledPinnacleSeries:3KW,6KW,6*6KW,10KW,10*10KW,20KW,可以疊加到200KW,Air-cooledSummitSeries:25*25KW,50KW,可以疊加到500KW,Air-cooledDiamondSeries:8KW,15KW,Water-cooled,用于光盤(pán)制造

直流電源種類(lèi)電源MDXSeries:500W,1KW,1.5KW51電源

直流脈沖電源

直流脈沖電源用于磁控濺射

直流脈沖電源輸出曲線(xiàn)電源直流脈沖電源直流脈沖電源用于磁控濺射直52電源PinnaclePlus+Series:5KW,5*5KW,10KW,可以疊加到60KW,Air-cooled,Frequency:5~350KHzDCSupplyPulsingAccessories:500W~480KW

直流脈沖電源種類(lèi)脈沖作用中和靶表面正離子，避免產(chǎn)生Arc電源PinnaclePlus+Series:5KW,53電源中頻電源輸出曲線(xiàn)圖

中頻電源輸出曲