第八章光刻與刻蝕工藝主講：毛維mwxidian@126.com西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院第八章光刻與刻蝕工藝1緒論光刻：通過光化學(xué)反應(yīng)，將光刻版（mask）上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。刻蝕：通過腐蝕，將光刻膠上圖形完整地轉(zhuǎn)移到Si片上光刻三要素：

①光刻機②光刻版（掩膜版）③光刻膠ULSI對光刻的要求：高分辨率；高靈敏的光刻膠；低缺陷；精密的套刻對準；緒論光刻：通過光化學(xué)反應(yīng)，將光刻版（mask）上的圖形2緒論光刻膠三維圖案線寬間隙厚度襯底光刻膠緒論光刻膠三維圖案線寬間隙厚度襯底光刻膠3緒論集成電路芯片的顯微照片緒論集成電路芯片的顯微照片4緒論緒論5高靈敏的光刻膠課件6接觸型光刻機

接觸型光刻機7步進型光刻機

步進型光刻機8緒論掩膜版與投影掩膜版

投影掩膜版（reticle）是一個石英版，它包含了要在硅片上重復(fù)生成的圖形。就像投影用的電影膠片的底片一樣。這種圖形可能僅包含一個管芯，也可能是幾個。

光掩膜版（photomask）常被稱為掩膜版(mask)，它包含了對于整個硅片來說確定一工藝層所需的完整管芯陣列。緒論掩膜版與投影掩膜版

投影掩膜版（reticle）是9緒論掩膜版的質(zhì)量要求：若每塊掩膜版上圖形成品率＝90％，則6塊光刻版，其管芯圖形成品率＝（90％）6＝53％；10塊光刻版，其管芯圖形成品率＝（90％）10＝35％；15塊光刻版，其管芯圖形成品率＝（90％）15＝21％；最后的管芯成品率當(dāng)然比其圖形成品率還要低。緒論掩膜版的質(zhì)量要求：10緒論特征尺寸（關(guān)鍵尺寸）

關(guān)鍵尺寸常用做描述器件工藝技術(shù)的節(jié)點或稱為某一代。0.25μm以下工藝技術(shù)的節(jié)點是0.18μm、0.15μm、0.1μm等。套準精度

光刻要求硅片表面上存在的圖案與掩膜版上的圖形準確對準，一般而言，器件結(jié)構(gòu)允許的套刻誤差為器件特征尺寸的三分之一左右，當(dāng)圖形形成要多次用到掩膜版時，任何套準誤差都會影響硅片表面上不同圖案間總的布局寬容度。而大的套準容差會減小電路密度，即限制了器件的特征尺寸，從而降低IC性能。緒論特征尺寸（關(guān)鍵尺寸）

關(guān)鍵尺寸常用做描述器件工藝技術(shù)的11緒論CleanRoom潔凈等級：塵埃數(shù)/m3；（塵埃尺寸為0.5μm）

10萬級：≤350萬，單晶制備；1萬級：≤35萬，封裝、測試；

1000級：≤35000，擴散、CVD；

100級：≤3500，光刻、制版；深亞微米器件（塵埃尺寸為0.1μm）

10級：≤350，光刻、制版；1級：≤35，光刻、制版；緒論CleanRoom12高靈敏的光刻膠課件138.1光刻工藝流程主要步驟：涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、刻蝕、去膠。兩種基本工藝類型：負性光刻和正性光刻。8.1光刻工藝流程主要步驟：14n-SiSiO2光刻膠光照掩膜版負性光刻n-SiSiO2光刻膠光照掩膜版負性光刻15n-SiSiO2光刻膠掩膜版光照不透光n-SiSiO2光刻膠掩膜版光照不透光16n-SiSiO2SiO2腐蝕液光刻膠n-SiSiO2SiO2腐蝕液光刻膠17n-Si光刻膠n-Si光刻膠18n-Sin-Si19紫外光島狀曝光區(qū)域變成交互鏈結(jié)，可抗顯影液之化學(xué)物質(zhì)。光刻膠顯影后的圖案窗口光阻曝光區(qū)域光刻膠上的影子玻璃掩膜版上的鉻圖案硅基板光刻膠

氧化層光刻膠氧化層硅基板負性光刻紫外光島狀曝光區(qū)域變成交互鏈結(jié)，可抗顯影液之化學(xué)物20n-SiSiO2光刻膠光照掩膜版正性光刻n-SiSiO2光刻膠光照掩膜版正性光刻21n-SiSiO2光刻膠掩膜版光照不透光n-SiSiO2光刻膠掩膜版光照不透光22n-SiSiO2SiO2腐蝕液光刻膠n-SiSiO2SiO2腐蝕液光刻膠23n-Si光刻膠n-Si光刻膠24n-Sin-Si25正性光刻photoresistsiliconsubstrateoxideoxidesiliconsubstratephotoresist紫外光島狀曝光的區(qū)域溶解去除光刻顯影后呈現(xiàn)的圖案光刻膠上陰影光刻膠曝光區(qū)域光刻掩膜版之鉻島窗口硅基板光刻膠氧化物光阻氧化物硅基板正性光刻photoresistsiliconsubstra26印制在晶圓上所需求的光刻膠結(jié)構(gòu)圖案窗口基板光刻膠島石英鉻島負光刻膠用所需的光刻圖案(與所要的圖案相反)正光刻膠用所需的光刻圖案(與所要的圖案相同)印制在晶圓上所需求的光刻膠結(jié)構(gòu)圖案窗口基板光刻膠島石英鉻島負278.1光刻工藝流程PMOSFETNMOSFETCMOS反相器之橫截面CMOS反相器之上視圖光刻層決定后續(xù)制程的精確性。光刻圖案使各層有適當(dāng)?shù)奈恢谩⒎较蚣敖Y(jié)構(gòu)大小，以利于蝕刻及離子植入。8.1光刻工藝流程PMOSFETNMOSFETCMOS反288.1光刻工藝流程8.1.1涂膠1.涂膠前的Si片處理(以在SiO2表面光刻為例)SiO2:親水性；光刻膠：疏水性；①脫水烘焙:去除水分②HMDS：增強附著力HMDS：六甲基乙硅氮烷——(CH3)6Si2NH作用：去掉SiO2表面的-OHHMDS熱板脫水烘焙和氣相成底膜8.1光刻工藝流程8.1.1涂膠HMDS熱板脫水烘焙29高靈敏的光刻膠課件308.1光刻工藝流程8.1.1涂膠2.涂膠①對涂膠的要求：粘附良好，均勻，薄厚適當(dāng)膠膜太?。樋锥?，抗蝕性差；膠膜太厚－分辨率低（分辨率是膜厚的5－8倍）②涂膠方法：浸涂，噴涂，旋涂√8.1光刻工藝流程8.1.1涂膠31高靈敏的光刻膠課件328.1光刻工藝流程8.1.2前烘①作用：促進膠膜內(nèi)溶劑充分揮發(fā)，使膠膜干燥；增加膠膜與SiO2（Al膜等）的粘附性及耐磨性。②影響因素：溫度，時間。烘焙不足（溫度太低或時間太短）——顯影時易浮膠，圖形易變形。烘焙時間過長——增感劑揮發(fā)，導(dǎo)致曝光時間增長，甚至顯不出圖形。烘焙溫度過高——光刻膠黏附性降低，光刻膠中的感光劑發(fā)生反應(yīng)（膠膜硬化），不易溶于顯影液，導(dǎo)致顯影不干凈。在真空熱板上軟烘8.1光刻工藝流程8.1.2前烘在真空熱板上軟烘338.1光刻工藝流程8.1.3曝光：光學(xué)曝光、X射線曝光、電子束曝光①光學(xué)曝光－紫外，深紫外ⅰ）光源：高壓汞燈：產(chǎn)生紫外(UV）光，光譜范圍為350~450nm。準分子激光器：產(chǎn)生深紫外(DUV）光，光譜范圍為180nm～330nm。KrF：λ=248nm；ArF：λ=193nm；F2：λ=157nm。8.1光刻工藝流程8.1.3曝光：348.1光刻工藝流程ⅱ）曝光方式a.接觸式：硅片與光刻版緊密接觸。b.接近式：硅片與光刻版保持5-50μm間距。c.投影式：利用光學(xué)系統(tǒng)，將光刻版的圖形投影在硅片上

8.1光刻工藝流程ⅱ）曝光方式358.1光刻工藝流程②電子束曝光：

λ＝幾十~100?；優(yōu)點：分辨率高；不需光刻版（直寫式）；缺點：產(chǎn)量低；③X射線曝光λ＝2~40?，軟X射線；X射線曝光的特點：分辨率高，產(chǎn)量大。8.1光刻工藝流程②電子束曝光：368.1光刻工藝流程8.1.4顯影①作用：將未感光的負膠或感光的正膠溶解去除，顯現(xiàn)出所需的圖形。②顯影液：專用正膠顯影液：含水的堿性顯影液，如KOH、TMAH(四甲基氫氧化胺水溶液)，等。負膠顯影液：有機溶劑，如丙酮、甲苯等。例，KPR（負膠）的顯影液：丁酮－最理想；甲苯－圖形清晰度稍差；三氯乙烯－毒性大。8.1光刻工藝流程8.1.4顯影378.1光刻工藝流程③影響顯影效果的主要因素：?。┢毓鈺r間；ⅱ）前烘的溫度與時間；ⅲ）膠膜的厚度；ⅳ）顯影液的濃度；ⅴ）顯影液的溫度；④顯影時間適當(dāng)t太短：可能留下光刻膠薄層→阻擋腐蝕SiO2(金屬）→氧化層“小島”。t太長：光刻膠軟化、膨脹、鉆溶、浮膠→圖形邊緣破壞。8.1光刻工藝流程③影響顯影效果的主要因素：388.1光刻工藝流程8.1.5堅膜①作用：使軟化、膨脹的膠膜與硅片粘附更牢；增加膠膜的抗蝕能力。②方法?。┖銣睾嫦洌?80－200℃，30min；ⅱ）紅外燈：照射10min，距離6cm。③溫度與時間?。﹫阅げ蛔悖焊g時易浮膠，易側(cè)蝕；ⅱ）堅膜過度：膠膜熱膨脹→翹曲、剝落→腐蝕時易浮膠或鉆蝕。若T>300℃：光刻膠分解，失去抗蝕能力。8.1光刻工藝流程8.1.5堅膜398.1光刻工藝流程8.1.6腐蝕（刻蝕）①對腐蝕液（氣體）的要求：既能腐蝕掉裸露的SiO2（金屬），又不損傷光刻膠。②腐蝕的方法ⅰ)濕法腐蝕：腐蝕劑是化學(xué)溶液。特點：各向同性腐蝕。ⅱ)干法腐蝕：腐蝕劑是活性氣體，如等離子體。特點：分辨率高；各向異性強。8.1.7去膠①濕法去膠無機溶液去膠：H2SO4（負膠）；有機溶液去膠：丙酮（正膠）；②干法去膠：O2等離子體；8.1光刻工藝流程8.1.6腐蝕（刻蝕）408.2分辨率分辨率R——表征光刻精度光刻時所能得到的光刻圖形的最小尺寸。表示方法：每mm最多可容納的線條數(shù)。若可分辨的最小線寬為L（線條間隔也L），則R＝1/(2L)(mm-1)1.影響R的主要因素：①曝光系統(tǒng)（光刻機）：X射線（電子束）的R高于紫外光。②光刻膠：正膠的R高于負膠；③其他：掩模版、襯底、顯影、工藝、操作者等。8.2分辨率分辨率R——表征光刻精度41高靈敏的光刻膠課件428.2分辨率2.衍射對R的限制設(shè)一任意粒子（光子、電子），根據(jù)不確定關(guān)系，有

ΔLΔp≥h粒子束動量的最大變化為Δp=2p，相應(yīng)地若ΔL為線寬，即為最細線寬，則最高分辨率

8.2分辨率2.衍射對R的限制 43①對光子：p=h/λ，故。上式物理含義：光的衍射限制了線寬≥λ/2。最高分辨率：②對電子、離子：具有波粒二象性（德布羅意波），則，

最細線寬：

結(jié)論：a.E給定：m↑→ΔL↓→R↑，即R離子>R電子

b.m給定：E↑→ΔL↓→R↑①對光子：p=h/λ，故。448.3光刻膠的基本屬性1.類型：正膠和負膠①正膠：顯影時，感光部分溶解，未感光部分不溶解；②負膠：顯影時，感光部分不溶解，不感光部分溶解。8.3光刻膠的基本屬性1.類型：正膠和負膠45高靈敏的光刻膠課件468.3光刻膠的基本屬性2.組份：基體（樹脂）材料、感光材料、溶劑；例如：聚乙烯醇肉桂酸脂系（負膠）①基體、感光劑－聚乙烯醇肉桂酸脂濃度：5-10%②溶劑－環(huán)己酮濃度：90－95％③增感劑－5-硝基苊濃度：0.5-1%聚乙烯醇肉桂酸脂（KPR）的光聚合反應(yīng)8.3光刻膠的基本屬性2.組份：基體（樹脂）材料、感光478.3光刻膠的基本屬性8.3.1對比度γ表征曝光量與光刻膠留膜率的關(guān)系；以正膠為例臨界曝光量D0：使膠膜開始溶解所需最小曝光量；閾值曝光量D100：使膠膜完全溶解所需最小曝光量；8.3光刻膠的基本屬性8.3.1對比度γ48高靈敏的光刻膠課件498.3.1對比度γ直線斜率（對比度）：

對正膠

對負膠

γ越大，光刻膠線條邊緣越陡。8.3.1對比度γ直線斜率（對比度）：50高靈敏的光刻膠課件51高靈敏的光刻膠課件528.3光刻膠的基本屬性8.3.3光敏度S——完成所需圖形的最小曝光量；表征：S=n/E，E-曝光量（lx·s，勒克斯·秒）；n-比例系數(shù)；光敏度S是光刻膠對光的敏感程度的表征；正膠的S大于負膠8.3.4抗蝕能力表征光刻膠耐酸堿（或等離子體）腐蝕的程度。對濕法腐蝕：抗蝕能力較強；干法腐蝕：抗蝕能力較差。正膠抗蝕能力大于負膠；抗蝕性與分辨率的矛盾：分辨率越高，抗蝕性越差；8.3光刻膠的基本屬性8.3.3光敏度S538.3光刻膠的基本屬性8.3.5黏著力表征光刻膠與襯底間粘附的牢固程度。評價方法：光刻后的鉆蝕程度，即鉆蝕量越小，粘附性越好。增強黏著力的方法：①涂膠前的脫水；②HMDS；③提高堅膜的溫度。8.3.6溶解度和黏滯度8.3.7微粒數(shù)量和金屬含量8.3.8存儲壽命8.3光刻膠的基本屬性8.3.5黏著力548.5抗反射涂層工藝8.5.1駐波效應(yīng)

穿過光刻膠膜到達襯底表面，并在襯底表面被反射又回到光刻膠中反射光波與光刻膠中的入射光波發(fā)生干涉，形成駐波。影響：導(dǎo)致曝光的線寬發(fā)生變化。8.5.2底層抗反射涂層(BARC)

作用：利用反射光波的干涉，減弱駐波效。制作：PVD法、CVD法。

8.5抗反射涂層工藝8.5.1駐波效應(yīng)558.6紫外光曝光光源：紫外（UV）、深紫外（DUV）；方法：接觸式、接近式、投影式。光譜能量

紫外（UV）光一直是形成光刻圖形常用的能量源，并會在接下來的一段時間內(nèi)繼續(xù)沿用（包括0.1μm或者更小的工藝節(jié)點的器件制造中）。大體上說，深紫外光(DUV)指的是波長在300nm以下的光。

8.6.1水銀弧光燈（高壓汞燈）光源波長：UV，350－450nm，usedfor0.5，0.35μm；g線：λ=436nm，h線：λ=405nm，i線：λ=365nm。8.6紫外光曝光光源：紫外（UV）、深紫外（DUV）；56對于光刻曝光的重要UV波長UV波長(nm)波長名UV發(fā)射源436G線汞燈405H線汞燈365I線汞燈248深紫外(DUV)汞燈或氟化氪(krF)準分子激光193深紫外(DUV)氟化氬(ArF)準分子激光157真空紫外(VUV)氟(F2)準分子激光對于光刻曝光的重要UV波長UV波長(nm)波長名U57部分電磁頻譜可見光射頻波微波紅外光射線UVX射線f(Hz)1010101010101010101046810121416221820(m)420-2-4-6-8-14-10-1210101010101010101010365436405248193157ghiDUVDUVVUVl(nm)在光學(xué)曝光中常用的UV波長部分電磁頻譜可見光射頻波微波紅外光射線UVX射線f(H58高靈敏的光刻膠課件598.6紫外光曝光8.6.3準分子激光DUV光源準分子：只在激發(fā)態(tài)下存在，基態(tài)下分離成原子。波長：DUV，180nm~330nm。KrF-λ=248nm，for0.25，0.18μm，0.13μm；ArF-λ=193nm，for<0.13μm（90nm，65nm）；F2-λ=157nm，for100-70nm。8.6.4接近式曝光硅片與光刻版保持5~50μm間距。優(yōu)點：光刻版壽命長。缺點：光衍射效應(yīng)嚴重--分辨率低（線寬>3μm）。8.6紫外光曝光8.6.3準分子激光DUV光源608.6.5接觸式曝光硅片與光刻版緊密接觸。優(yōu)點：光衍射效應(yīng)小，分辨率高。缺點：對準困難，掩膜圖形易損傷，成品率低。8.6.6投影式曝光利用光學(xué)系統(tǒng)，將光刻版的圖形投影在硅片上。優(yōu)點：光刻版不受損傷，對準精度高。缺點：光學(xué)系統(tǒng)復(fù)雜，對物鏡成像要求高。用于3μm以下光刻。8.6.5接觸式曝光61投影式曝光原理：兩像點能夠被分辨的最小間隔：

δy=1.22λf/D引入數(shù)值孔徑NA描述透鏡性能：NA=nsinα=D/2fn—透鏡到硅片間的介質(zhì)折射率；α—像點張角故δy=0.61λ/NA若NA=0.4,λ=400nm,δy=0.61μm.若n增大，NA增大，則δy減小，即分辨率提高。傳統(tǒng)式：n=1(空氣），NA(最大）=0.93，最小分辨率-52nm.浸入式：n>1(水），λ=193nm，NA(最大）=1.2，最小分辨率-40nm.投影式曝光原理：兩像點能夠被分辨的最小間隔：62分步重復(fù)投影光刻機--Stepper采用折射式光學(xué)系統(tǒng)和4X~5X的縮小透鏡。光刻版：4X~5X；曝光場：一次曝光只有硅片的一部分；采用了分步對準聚焦技術(shù)。分步重復(fù)投影光刻機--Stepper采用折射式光學(xué)系統(tǒng)和4X63高靈敏的光刻膠課件648.7掩模版（光刻版）的制造8.7.1基版材料：玻璃、石英。要求：透光度高，熱膨脹系數(shù)與掩膜材料匹配。8.7.2掩膜材料：

①金屬版（Cr版）：Cr2O3抗反射層/金屬Cr/Cr2O3基層特點：針孔少，強度高，分辨率高。②乳膠版－鹵化銀乳膠特點：分辨率低（2-3μm），易劃傷。8.7.4移相掩模（PSM）PSM：Phase-ShiftMask作用：消除干涉，提高分辨率；原理：利用移相產(chǎn)生干涉，抵消圖形邊緣的光衍射效應(yīng)。8.7掩模版（光刻版）的制造8.7.1基版材料：玻璃65高靈敏的光刻膠課件668.8X射線曝光曝光方法：接近式曝光。X射線光源：通過高能電子束轟擊一個金屬靶產(chǎn)生。

（波長為2～40埃）優(yōu)點：小尺寸曝光。缺點：存在圖形的畸變(半影畸變δ和幾何畸變?)。半影畸變δ幾何畸變?X射線曝光8.8X射線曝光曝光方法：接近式曝光。半影畸變δ幾何畸變678.9電子束直寫式曝光曝光原理：電子與光刻膠碰撞作用，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。適用最小尺寸：≤0.1~0.25μm電子束曝光的分辨率主要取決于電子散射的作用范圍。(缺點)鄰近效應(yīng)——由于背散射使大面積的光刻膠層發(fā)生程度不同的曝光，導(dǎo)致大面積的圖形模糊，造成曝光圖形出現(xiàn)畸變。減小鄰近效應(yīng)的方法：減小入射電子束的能量，或采用低原子序數(shù)的襯底與光刻膠。SCALPEL技術(shù)：采用原子序數(shù)低的SiNX薄膜和原子序數(shù)高的Cr/W制作的掩模版，產(chǎn)生散射式掩膜技術(shù)。特點:結(jié)合了電子束曝光的高分辨率和光學(xué)分步重復(fù)投影曝光的高效率；掩模版制備更加簡單。8.9電子束直寫式曝光曝光原理：電子與光刻膠碰撞作用，發(fā)688.10ULSI對圖形轉(zhuǎn)移的要求8.10.1圖形轉(zhuǎn)移的保真度(腐蝕的各向異性的程度：)式中：V1—測向腐蝕速率；VV—縱向腐蝕速率；h—腐蝕層的厚度；—圖形測向展寬量。若A=1，表示圖形轉(zhuǎn)移過程產(chǎn)無失真；若A=0，表示圖形失真嚴重(各向同性腐蝕)8.10.2選擇比兩種不同材料在腐蝕的過程中被腐蝕的速率比。作用：描述圖形轉(zhuǎn)移中各層材料的相互影響8.10ULSI對圖形轉(zhuǎn)移的要求8.10.1圖形轉(zhuǎn)移的698.11濕法刻蝕特點：各相同性腐蝕。優(yōu)點：工藝簡單，腐蝕選擇性好。缺點：鉆蝕嚴重（各向異性差），難于獲得精細圖形。（刻蝕3μm以上線條）刻蝕的材料：Si、SiO2、Si3N4；8.11.1Si的濕法刻蝕常用腐蝕劑①HNO3-HF-H2O(HAC)混合液：HNO3：強氧化劑；HF：腐蝕SiO2；HAC：抑制HNO3的分解；Si+HNO3+HF→H2[SiF6]+HNO2+H2O+H2②KOH-異丙醇襯底膜膠8.11濕法刻蝕特點：各相同性腐蝕。襯底膜膠708.11.2SiO2的濕法腐蝕常用配方(KPR膠）：HF:NH4F:H2O=3ml:6g:10ml(HF溶液濃度為48％)HF：腐蝕劑，SiO2+HF→H2[SiF6]+H2ONH4F：緩沖劑，NH4F→NH3↑+HF

8.11.3Si3N4的濕法腐蝕腐蝕液：熱H3PO4(130~150℃)。

8.11.2SiO2的濕法腐蝕718.12干法腐蝕優(yōu)點：各向異性腐蝕強；分辨率高；刻蝕3μm以下線條。類型：①等離子體刻蝕：化學(xué)性刻蝕；②濺射刻蝕：純物理刻蝕；③反應(yīng)離子刻蝕（RIE）：結(jié)合①、②；ICP-98C型高密度等離子體刻蝕機SLR730負荷鎖定RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)8.12干法腐蝕優(yōu)點：ICP-98C型高密度等離子體刻蝕728.12.1干法刻蝕的原理①等離子體刻蝕原理a.產(chǎn)生等離子體:刻蝕氣體經(jīng)輝光放電后，成為具有很強化學(xué)活性的離子及游離基--等離子體。CF4RFCF3*、CF2*

、CF*、F*BCl3

RFBCl3*、BCl2*、Cl*b.等離子體活性基團與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。特點：選擇性好；各向異性差?？涛g氣體：CF4、BCl3、CCl4、CHCl3、SF6等。8.12.1干法刻蝕的原理①等離子體刻蝕原理738.12.1干法刻蝕的原理②濺射刻蝕原理a.形成能量很高的等離子體；b.等離子體轟擊被刻蝕的材料，使其被撞原子飛濺出來，形成刻蝕。特點：各向異性好；選擇性差。刻蝕氣體：惰性氣體；③反應(yīng)離子刻蝕原理同時利用了濺射刻蝕和等離子刻蝕機制；特點：各向異性和選擇性兼顧。刻蝕氣體：與等離子體刻蝕相同。8.12.1干法刻蝕的原理②濺射刻蝕原理748.12.2SiO2和Si的干法刻蝕刻蝕劑：CF4、CHF3、C2F6、SF6、C3F8；等離子體：CF4→

CF3*、CF2*

、CF*、F*化學(xué)反應(yīng)刻蝕：F*+Si→SiF4↑F*+SiO2→SiF4↑+O2↑CF3*+SiO2→SiF4↑+CO↑+CO2↑

刻蝕總結(jié)：濕法刻蝕（刻蝕3μm以上線條）優(yōu)點：工藝簡單，選擇性好。缺點：各向異性差，難于獲得精細圖形。干法腐蝕（刻蝕3μm以下線條）優(yōu)點：各向異性強；分辨率高。8.12.2SiO2和Si的干法刻蝕刻蝕劑：CF4、CH75實際工藝：①CF4中加入O2作用：調(diào)整選擇比；機理：CF4+O2→F*+O*+COF*+COF2+CO+CO2

（初期：F*比例增加；后期：O2比例增加）O2吸附在Si表面，影響Si刻蝕；②CF4中加H2作用：調(diào)整選擇比；機理：F*+H*(H2)→HFCFX*(x≤3)+Si→SiF4+C(吸附在Si表面）CFX*(x≤3)+SiO2→SiF4+CO+CO2+COF2實際工藝：768.12.3Si3N4的干法刻蝕刻蝕劑：與刻蝕Si、SiO2相同。Si3N4＋F*→SiF4↑+N2↑刻蝕速率：刻蝕速率介于SiO2與Si之間；（Si-N鍵強度介于Si-O鍵和Si-Si鍵）選擇性：①CF4：刻蝕Si3N4/SiO2--選擇性差；②CHF3：刻蝕Si3N4/SiO2--選擇性為2-4?？涛gSi3N4/Si--選擇性為3-5；刻蝕SiO2/Si--選擇性大于10；8.12.3Si3N4的干法刻蝕刻蝕劑：與刻蝕Si、S778.12.4多晶硅與金屬硅化物

的干法刻蝕多晶硅/金屬硅化物結(jié)構(gòu)：MOS器件的柵極；柵極尺寸：決定MOSFET性能的關(guān)鍵；金屬硅化物：WSi2、TiSi2；腐蝕要求：各向異性和選擇性都高--干法腐蝕；刻蝕劑：CF4、SF6、Cl2、HCl；腐蝕硅化物：CF4+WSi2→WF4↑+SiF4↑+CCl2+WSi2→WCl4↑+SiCl4↑腐蝕poly-Si：氟化物（CF4、SF6）--為各向同性刻蝕；氯化物（Cl2、HCl）--為各向異性刻蝕，選擇性好（對多晶硅/SiO2）。8.12.4多晶硅與金屬硅化物

788.12.5鋁及鋁合金的干法腐蝕鋁及鋁合金的用途：柵電極、互連線、接觸；鋁合金：Al-Si、Al-Au、Al-Cu；刻蝕方法：RIE、等離子體；刻蝕劑：BCl3、CCl4、CHCl3；Cl*+Al→AlCl3↑Cl*+Al-Si→AlCl3↑+SiCl4↑Cl*+Al-Cu→AlCl3↑+CuCl2（不揮發(fā)）幾個工藝問題：①Al2O3的去除：濺射、濕法腐蝕；②CuCl2的去除：濕法腐蝕、濺射；③刻蝕后的侵蝕：HCl+Al→AlCl3↑+H28.12.5鋁及鋁合金的干法腐蝕鋁及鋁合金的用途：柵電極79第八章光刻與刻蝕工藝主講：毛維mwxidian@126.com西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院第八章光刻與刻蝕工藝80緒論光刻：通過光化學(xué)反應(yīng)，將光刻版（mask）上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上?？涛g：通過腐蝕，將光刻膠上圖形完整地轉(zhuǎn)移到Si片上光刻三要素：

①光刻機②光刻版（掩膜版）③光刻膠ULSI對光刻的要求：高分辨率；高靈敏的光刻膠；低缺陷；精密的套刻對準；緒論光刻：通過光化學(xué)反應(yīng)，將光刻版（mask）上的圖形81緒論光刻膠三維圖案線寬間隙厚度襯底光刻膠緒論光刻膠三維圖案線寬間隙厚度襯底光刻膠82緒論集成電路芯片的顯微照片緒論集成電路芯片的顯微照片83緒論緒論84高靈敏的光刻膠課件85接觸型光刻機

接觸型光刻機86步進型光刻機

步進型光刻機87緒論掩膜版與投影掩膜版

投影掩膜版（reticle）是一個石英版，它包含了要在硅片上重復(fù)生成的圖形。就像投影用的電影膠片的底片一樣。這種圖形可能僅包含一個管芯，也可能是幾個。

光掩膜版（photomask）常被稱為掩膜版(mask)，它包含了對于整個硅片來說確定一工藝層所需的完整管芯陣列。緒論掩膜版與投影掩膜版

投影掩膜版（reticle）是88緒論掩膜版的質(zhì)量要求：若每塊掩膜版上圖形成品率＝90％，則6塊光刻版，其管芯圖形成品率＝（90％）6＝53％；10塊光刻版，其管芯圖形成品率＝（90％）10＝35％；15塊光刻版，其管芯圖形成品率＝（90％）15＝21％；最后的管芯成品率當(dāng)然比其圖形成品率還要低。緒論掩膜版的質(zhì)量要求：89緒論特征尺寸（關(guān)鍵尺寸）

關(guān)鍵尺寸常用做描述器件工藝技術(shù)的節(jié)點或稱為某一代。0.25μm以下工藝技術(shù)的節(jié)點是0.18μm、0.15μm、0.1μm等。套準精度

光刻要求硅片表面上存在的圖案與掩膜版上的圖形準確對準，一般而言，器件結(jié)構(gòu)允許的套刻誤差為器件特征尺寸的三分之一左右，當(dāng)圖形形成要多次用到掩膜版時，任何套準誤差都會影響硅片表面上不同圖案間總的布局寬容度。而大的套準容差會減小電路密度，即限制了器件的特征尺寸，從而降低IC性能。緒論特征尺寸（關(guān)鍵尺寸）

關(guān)鍵尺寸常用做描述器件工藝技術(shù)的90緒論CleanRoom潔凈等級：塵埃數(shù)/m3；（塵埃尺寸為0.5μm）

10萬級：≤350萬，單晶制備；1萬級：≤35萬，封裝、測試；

1000級：≤35000，擴散、CVD；

100級：≤3500，光刻、制版；深亞微米器件（塵埃尺寸為0.1μm）

10級：≤350，光刻、制版；1級：≤35，光刻、制版；緒論CleanRoom91高靈敏的光刻膠課件928.1光刻工藝流程主要步驟：涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、刻蝕、去膠。兩種基本工藝類型：負性光刻和正性光刻。8.1光刻工藝流程主要步驟：93n-SiSiO2光刻膠光照掩膜版負性光刻n-SiSiO2光刻膠光照掩膜版負性光刻94n-SiSiO2光刻膠掩膜版光照不透光n-SiSiO2光刻膠掩膜版光照不透光95n-SiSiO2SiO2腐蝕液光刻膠n-SiSiO2SiO2腐蝕液光刻膠96n-Si光刻膠n-Si光刻膠97n-Sin-Si98紫外光島狀曝光區(qū)域變成交互鏈結(jié)，可抗顯影液之化學(xué)物質(zhì)。光刻膠顯影后的圖案窗口光阻曝光區(qū)域光刻膠上的影子玻璃掩膜版上的鉻圖案硅基板光刻膠

氧化層光刻膠氧化層硅基板負性光刻紫外光島狀曝光區(qū)域變成交互鏈結(jié)，可抗顯影液之化學(xué)物99n-SiSiO2光刻膠光照掩膜版正性光刻n-SiSiO2光刻膠光照掩膜版正性光刻100n-SiSiO2光刻膠掩膜版光照不透光n-SiSiO2光刻膠掩膜版光照不透光101n-SiSiO2SiO2腐蝕液光刻膠n-SiSiO2SiO2腐蝕液光刻膠102n-Si光刻膠n-Si光刻膠103n-Sin-Si104正性光刻photoresistsiliconsubstrateoxideoxidesiliconsubstratephotoresist紫外光島狀曝光的區(qū)域溶解去除光刻顯影后呈現(xiàn)的圖案光刻膠上陰影光刻膠曝光區(qū)域光刻掩膜版之鉻島窗口硅基板光刻膠氧化物光阻氧化物硅基板正性光刻photoresistsiliconsubstra105印制在晶圓上所需求的光刻膠結(jié)構(gòu)圖案窗口基板光刻膠島石英鉻島負光刻膠用所需的光刻圖案(與所要的圖案相反)正光刻膠用所需的光刻圖案(與所要的圖案相同)印制在晶圓上所需求的光刻膠結(jié)構(gòu)圖案窗口基板光刻膠島石英鉻島負1068.1光刻工藝流程PMOSFETNMOSFETCMOS反相器之橫截面CMOS反相器之上視圖光刻層決定后續(xù)制程的精確性。光刻圖案使各層有適當(dāng)?shù)奈恢谩⒎较蚣敖Y(jié)構(gòu)大小，以利于蝕刻及離子植入。8.1光刻工藝流程PMOSFETNMOSFETCMOS反1078.1光刻工藝流程8.1.1涂膠1.涂膠前的Si片處理(以在SiO2表面光刻為例)SiO2:親水性；光刻膠：疏水性；①脫水烘焙:去除水分②HMDS：增強附著力HMDS：六甲基乙硅氮烷——(CH3)6Si2NH作用：去掉SiO2表面的-OHHMDS熱板脫水烘焙和氣相成底膜8.1光刻工藝流程8.1.1涂膠HMDS熱板脫水烘焙108高靈敏的光刻膠課件1098.1光刻工藝流程8.1.1涂膠2.涂膠①對涂膠的要求：粘附良好，均勻，薄厚適當(dāng)膠膜太?。樋锥?，抗蝕性差；膠膜太厚－分辨率低（分辨率是膜厚的5－8倍）②涂膠方法：浸涂，噴涂，旋涂√8.1光刻工藝流程8.1.1涂膠110高靈敏的光刻膠課件1118.1光刻工藝流程8.1.2前烘①作用：促進膠膜內(nèi)溶劑充分揮發(fā)，使膠膜干燥；增加膠膜與SiO2（Al膜等）的粘附性及耐磨性。②影響因素：溫度，時間。烘焙不足（溫度太低或時間太短）——顯影時易浮膠，圖形易變形。烘焙時間過長——增感劑揮發(fā)，導(dǎo)致曝光時間增長，甚至顯不出圖形。烘焙溫度過高——光刻膠黏附性降低，光刻膠中的感光劑發(fā)生反應(yīng)（膠膜硬化），不易溶于顯影液，導(dǎo)致顯影不干凈。在真空熱板上軟烘8.1光刻工藝流程8.1.2前烘在真空熱板上軟烘1128.1光刻工藝流程8.1.3曝光：光學(xué)曝光、X射線曝光、電子束曝光①光學(xué)曝光－紫外，深紫外?。┕庠矗焊邏汗療簦寒a(chǎn)生紫外(UV）光，光譜范圍為350~450nm。準分子激光器：產(chǎn)生深紫外(DUV）光，光譜范圍為180nm～330nm。KrF：λ=248nm；ArF：λ=193nm；F2：λ=157nm。8.1光刻工藝流程8.1.3曝光：1138.1光刻工藝流程ⅱ）曝光方式a.接觸式：硅片與光刻版緊密接觸。b.接近式：硅片與光刻版保持5-50μm間距。c.投影式：利用光學(xué)系統(tǒng)，將光刻版的圖形投影在硅片上

8.1光刻工藝流程ⅱ）曝光方式1148.1光刻工藝流程②電子束曝光：

λ＝幾十~100?；優(yōu)點：分辨率高；不需光刻版（直寫式）；缺點：產(chǎn)量低；③X射線曝光λ＝2~40?，軟X射線；X射線曝光的特點：分辨率高，產(chǎn)量大。8.1光刻工藝流程②電子束曝光：1158.1光刻工藝流程8.1.4顯影①作用：將未感光的負膠或感光的正膠溶解去除，顯現(xiàn)出所需的圖形。②顯影液：專用正膠顯影液：含水的堿性顯影液，如KOH、TMAH(四甲基氫氧化胺水溶液)，等。負膠顯影液：有機溶劑，如丙酮、甲苯等。例，KPR（負膠）的顯影液：丁酮－最理想；甲苯－圖形清晰度稍差；三氯乙烯－毒性大。8.1光刻工藝流程8.1.4顯影1168.1光刻工藝流程③影響顯影效果的主要因素：?。┢毓鈺r間；ⅱ）前烘的溫度與時間；ⅲ）膠膜的厚度；ⅳ）顯影液的濃度；ⅴ）顯影液的溫度；④顯影時間適當(dāng)t太短：可能留下光刻膠薄層→阻擋腐蝕SiO2(金屬）→氧化層“小島”。t太長：光刻膠軟化、膨脹、鉆溶、浮膠→圖形邊緣破壞。8.1光刻工藝流程③影響顯影效果的主要因素：1178.1光刻工藝流程8.1.5堅膜①作用：使軟化、膨脹的膠膜與硅片粘附更牢；增加膠膜的抗蝕能力。②方法ⅰ）恒溫烘箱：180－200℃，30min；ⅱ）紅外燈：照射10min，距離6cm。③溫度與時間?。﹫阅げ蛔悖焊g時易浮膠，易側(cè)蝕；ⅱ）堅膜過度：膠膜熱膨脹→翹曲、剝落→腐蝕時易浮膠或鉆蝕。若T>300℃：光刻膠分解，失去抗蝕能力。8.1光刻工藝流程8.1.5堅膜1188.1光刻工藝流程8.1.6腐蝕（刻蝕）①對腐蝕液（氣體）的要求：既能腐蝕掉裸露的SiO2（金屬），又不損傷光刻膠。②腐蝕的方法ⅰ)濕法腐蝕：腐蝕劑是化學(xué)溶液。特點：各向同性腐蝕。ⅱ)干法腐蝕：腐蝕劑是活性氣體，如等離子體。特點：分辨率高；各向異性強。8.1.7去膠①濕法去膠無機溶液去膠：H2SO4（負膠）；有機溶液去膠：丙酮（正膠）；②干法去膠：O2等離子體；8.1光刻工藝流程8.1.6腐蝕（刻蝕）1198.2分辨率分辨率R——表征光刻精度光刻時所能得到的光刻圖形的最小尺寸。表示方法：每mm最多可容納的線條數(shù)。若可分辨的最小線寬為L（線條間隔也L），則R＝1/(2L)(mm-1)1.影響R的主要因素：①曝光系統(tǒng)（光刻機）：X射線（電子束）的R高于紫外光。②光刻膠：正膠的R高于負膠；③其他：掩模版、襯底、顯影、工藝、操作者等。8.2分辨率分辨率R——表征光刻精度120高靈敏的光刻膠課件1218.2分辨率2.衍射對R的限制設(shè)一任意粒子（光子、電子），根據(jù)不確定關(guān)系，有

ΔLΔp≥h粒子束動量的最大變化為Δp=2p，相應(yīng)地若ΔL為線寬，即為最細線寬，則最高分辨率

8.2分辨率2.衍射對R的限制 122①對光子：p=h/λ，故。上式物理含義：光的衍射限制了線寬≥λ/2。最高分辨率：②對電子、離子：具有波粒二象性（德布羅意波），則，

最細線寬：

結(jié)論：a.E給定：m↑→ΔL↓→R↑，即R離子>R電子

b.m給定：E↑→ΔL↓→R↑①對光子：p=h/λ，故。1238.3光刻膠的基本屬性1.類型：正膠和負膠①正膠：顯影時，感光部分溶解，未感光部分不溶解；②負膠：顯影時，感光部分不溶解，不感光部分溶解。8.3光刻膠的基本屬性1.類型：正膠和負膠124高靈敏的光刻膠課件1258.3光刻膠的基本屬性2.組份：基體（樹脂）材料、感光材料、溶劑；例如：聚乙烯醇肉桂酸脂系（負膠）①基體、感光劑－聚乙烯醇肉桂酸脂濃度：5-10%②溶劑－環(huán)己酮濃度：90－95％③增感劑－5-硝基苊濃度：0.5-1%聚乙烯醇肉桂酸脂（KPR）的光聚合反應(yīng)8.3光刻膠的基本屬性2.組份：基體（樹脂）材料、感光1268.3光刻膠的基本屬性8.3.1對比度γ表征曝光量與光刻膠留膜率的關(guān)系；以正膠為例臨界曝光量D0：使膠膜開始溶解所需最小曝光量；閾值曝光量D100：使膠膜完全溶解所需最小曝光量；8.3光刻膠的基本屬性8.3.1對比度γ127高靈敏的光刻膠課件1288.3.1對比度γ直線斜率（對比度）：

對正膠

對負膠

γ越大，光刻膠線條邊緣越陡。8.3.1對比度γ直線斜率（對比度）：129高靈敏的光刻膠課件130高靈敏的光刻膠課件1318.3光刻膠的基本屬性8.3.3光敏度S——完成所需圖形的最小曝光量；表征：S=n/E，E-曝光量（lx·s，勒克斯·秒）；n-比例系數(shù)；光敏度S是光刻膠對光的敏感程度的表征；正膠的S大于負膠8.3.4抗蝕能力表征光刻膠耐酸堿（或等離子體）腐蝕的程度。對濕法腐蝕：抗蝕能力較強；干法腐蝕：抗蝕能力較差。正膠抗蝕能力大于負膠；抗蝕性與分辨率的矛盾：分辨率越高，抗蝕性越差；8.3光刻膠的基本屬性8.3.3光敏度S1328.3光刻膠的基本屬性8.3.5黏著力表征光刻膠與襯底間粘附的牢固程度。評價方法：光刻后的鉆蝕程度，即鉆蝕量越小，粘附性越好。增強黏著力的方法：①涂膠前的脫水；②HMDS；③提高堅膜的溫度。8.3.6溶解度和黏滯度8.3.7微粒數(shù)量和金屬含量8.3.8存儲壽命8.3光刻膠的基本屬性8.3.5黏著力1338.5抗反射涂層工藝8.5.1駐波效應(yīng)

穿過光刻膠膜到達襯底表面，并在襯底表面被反射又回到光刻膠中反射光波與光刻膠中的入射光波發(fā)生干涉，形成駐波。影響：導(dǎo)致曝光的線寬發(fā)生變化。8.5.2底層抗反射涂層(BARC)

作用：利用反射光波的干涉，減弱駐波效。制作：PVD法、CVD法。

8.5抗反射涂層工藝8.5.1駐波效應(yīng)1348.6紫外光曝光光源：紫外（UV）、深紫外（DUV）；方法：接觸式、接近式、投影式。光譜能量

紫外（UV）光一直是形成光刻圖形常用的能量源，并會在接下來的一段時間內(nèi)繼續(xù)沿用（包括0.1μm或者更小的工藝節(jié)點的器件制造中）。大體上說，深紫外光(DUV)指的是波長在300nm以下的光。

8.6.1水銀弧光燈（高壓汞燈）光源波長：UV，350－450nm，usedfor0.5，0.35μm；g線：λ=436nm，h線：λ=405nm，i線：λ=365nm。8.6紫外光曝光光源：紫外（UV）、深紫外（DUV）；135對于光刻曝光的重要UV波長UV波長(nm)波長名UV發(fā)射源436G線汞燈405H線汞燈365I線汞燈248深紫外(DUV)汞燈或氟化氪(krF)準分子激光193深紫外(DUV)氟化氬(ArF)準分子激光157真空紫外(VUV)氟(F2)準分子激光對于光刻曝光的重要UV波長UV波長(nm)波長名U136部分電磁頻譜可見光射頻波微波紅外光射線UVX射線f(Hz)1010101010101010101046810121416221820(m)420-2-4-6-8-14-10-1210101010101010101010365436405248193157ghiDUVDUVVUVl(nm)在光學(xué)曝光中常用的UV波長部分電磁頻譜可見光射頻波微波紅外光射線UVX射線f(H137高靈敏的光刻膠課件1388.6紫外光曝光8.6.3準分子激光DUV光源準分子：只在激發(fā)態(tài)下存在，基態(tài)下分離成原子。波長：DUV，180nm~330nm。KrF-λ=248nm，for0.25，0.18μm，0.13μm；ArF-λ=193nm，for<0.13μm（90nm，65nm）；F2-λ=157nm，for100-70nm。8.6.4接近式曝光硅片與光刻版保持5~50μm間距。優(yōu)點：光刻版壽命長。缺點：光衍射效應(yīng)嚴重--分辨率低（線寬>3μm）。8.6紫外光曝光8.6.3準分子激光DUV光源1398.6.5接觸式曝光硅片與光刻版緊密接觸。優(yōu)點：光衍射效應(yīng)小，分辨率高。缺點：對準困難，掩膜圖形易損傷，成品率低。8.6.6投影式曝光利用光學(xué)系統(tǒng)，將光刻版的圖形投影在硅片上。優(yōu)點：光刻版不受損傷，對準精度高。缺點：光學(xué)系統(tǒng)復(fù)雜，對物鏡成像要求高。用于3μm以下光刻。8.6.5接觸式曝光140投影式曝光原理：兩像點能夠被分辨的最小間隔：

δy=1.22λf/D引入數(shù)值孔徑NA描述透鏡性能：NA=nsinα=D/2fn—透鏡到硅片間的介質(zhì)折射率；α—像點張角故δy=0.61λ/NA若NA=0.4,λ=400nm,δy=0.61μm.若n增大，NA增大，則δy減小，即分辨率提高。傳統(tǒng)式：n=1(空氣），NA(最大）=0.93，最小分辨率-52nm.浸入式：n>1(水），λ=193nm，NA(最大）=1.2，最小分辨率-40nm.投影式曝光原理：兩像點能夠被分辨的最小間隔：141分步重復(fù)投影光刻機--Stepper采用折射式光學(xué)系統(tǒng)和4X~5X的縮小透鏡。光刻版：4X~5X；曝光場：一次曝光只有硅片的一部分；采用了分步對準聚焦技術(shù)。分步重復(fù)投影光刻機--Stepper采用折射式光學(xué)系統(tǒng)和4X142高靈敏的光刻膠課件1438.7掩模版（光刻版）的制造8.7.1基版材料：玻璃、石英。要求：透光度高，熱膨脹系數(shù)與掩膜材料匹配。8.7.2掩膜材料：

①金屬版（Cr版）：Cr2O3抗反射層/金屬Cr/Cr2O3基層特點：針孔少，強度高，分辨率高。②乳膠版－鹵化銀乳膠特點：分辨率低（2-3μm），易劃傷。8.7.4移相掩模（PSM）PSM：Phase-ShiftMask作用：消除干涉，提高分辨率；原理：利用移相產(chǎn)生干涉，抵消圖形邊緣的光衍射效應(yīng)。8.7掩模版（光刻版）的制造8.7.1基版材料：玻璃144高靈敏的光刻膠課件1458.8X射線曝光曝光方法：接近式曝光。X射線光源：通過高能電子束轟擊一個金屬靶產(chǎn)生。

（波長為2～40埃）優(yōu)點：小尺寸曝光。缺點：存在圖形的畸變(半影畸變δ和幾何畸變?)。半影畸變δ幾何畸變?X射線曝光8.8X射線曝光曝光方法：接近式曝光。半影畸變δ幾何畸變1468.9電子束直寫式曝光曝光原理：電子與光刻膠碰撞作用，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。適用最小尺寸：≤0.1~0.25μm電子束曝光的分辨率主要取決于電子散射的作用范圍。(缺點)鄰近效應(yīng)——由于背散射使大面積的光刻膠層發(fā)生程度不同的曝光，導(dǎo)致大面積的圖形模糊，造成曝光圖形出現(xiàn)畸變。減小鄰近效應(yīng)的方法：減小入射電子束的能量，或采用低原子序數(shù)的襯底與光刻膠。SCALPEL技術(shù)：采用原子序數(shù)低的SiNX薄膜和原子序數(shù)高的Cr/W制作的掩模版，產(chǎn)生散射式掩膜技術(shù)。特點:結(jié)合了電子束曝光的高分辨率和光學(xué)分步重復(fù)投影曝光的高效率；掩模版制備更加簡單。8.9電子束直寫式曝光曝光原理：電子與光刻膠碰撞作用，發(fā)1478.10ULSI對圖形轉(zhuǎn)移的要求8.10.1圖形轉(zhuǎn)移的保真度(腐蝕的各向異性的程度：)式中：V1—測向腐蝕速率；VV—縱向腐蝕速率；h—腐蝕層的厚度；—圖形測向展寬量。若A=1，表示圖形轉(zhuǎn)移過程產(chǎn)無失真；若A=0，表示圖形失真嚴重(各向同性腐蝕)8.10.2選擇比兩種不同材料在腐蝕的過程中被腐蝕的速率比。作用：描述圖形轉(zhuǎn)移中各層材料的相互影響8.10ULSI對圖形轉(zhuǎn)移的要求8.10.1圖形轉(zhuǎn)移的1488.11濕法刻蝕特點：各相同性腐蝕。優(yōu)點：工藝簡單，腐蝕選擇性好。缺點：鉆蝕嚴重（各向異性差），難于獲得精細圖形。（刻蝕3μm以上線條）刻蝕的材料：Si、SiO2、Si3N4；8.11.1Si的濕法刻蝕常用腐蝕劑①HNO3-HF-H2O(HAC)混合液：HNO3：強氧化劑；HF：腐蝕SiO2；HAC：抑制HNO3的分解；Si+HNO3+HF→H2[SiF6]+HNO2+H2O+H2②KOH-異丙醇襯底膜膠8.11濕法刻蝕特點：各相同性腐蝕。襯底膜膠1498.11.2SiO2的濕法腐蝕常用配方(KPR膠）：HF:NH4F:H2O=3ml:6g:10ml(HF溶液濃度為48％)HF：腐蝕劑，SiO2+HF→H2[SiF6]+H2ONH4F：緩沖劑，