MOSFET：全稱：“Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor”（金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管）根據(jù)溝道類型：MOS可分為N溝MOS和P溝MOS根據(jù)開啟電壓的正負(fù)：MOS可分為增強型和耗盡型根據(jù)工藝結(jié)構(gòu)：MOS可分為水平導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)根據(jù)應(yīng)用：MOS可分為高壓MOS和低壓MOS我司MOS產(chǎn)品目前都是作為開關(guān)應(yīng)用的增強型NMOS。MOS分類1PPT課件MOSFET：全稱：“Metal-Oxide-SemiconMOS的開關(guān)功能MOS產(chǎn)品目前都用做開關(guān)，其基本功能就是通過對柵極g施加電壓來控制DS間的電流。見左上示意圖，g和S之間是絕緣的，S和D是同型材料（P），中間存在一溝道是與S和D相反的材料（N），當(dāng)gs間施加電壓存在電場時，溝道反型（由N變P），于是D到S就導(dǎo)通了。g端未加電時，D到S是高阻態(tài)，電流無法從D流到S，此時開關(guān)工作在關(guān)閉狀態(tài)。g-s間的電壓大于Vth時，D到S是低阻態(tài)，電流能從D流到S，此時開關(guān)工作在導(dǎo)通狀態(tài)。*見右上標(biāo)準(zhǔn)示意圖，由于S到D間存在一寄生體二極管，所以不管G端是否施加電壓，電流都能從從S端流到D。2PPT課件MOS的開關(guān)功能MOS產(chǎn)品目前都用做開關(guān)，其基本功能就是垂直導(dǎo)電MOSFET根據(jù)柵氧槽形狀，可分成VMOS、UMOS、TMOS、DMOS等3PPT課件垂直導(dǎo)電MOSFET根據(jù)柵氧槽形狀，可分成VMOS、UMOS1001M導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1001縱向剖面圖4PPT課件1001M導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1001縱向剖面圖4PPT課件MOS主要應(yīng)用范圍高壓MOS：1、PC電源：2N60、4N60、10N602、節(jié)能燈：830（5A500V）、840（8A500V）、3、電子鎮(zhèn)流器：830、840、5N50；4、充電器、筆記本適配器：1N60、2N60、4N60、5N60、6N60、7N60、8N60、10N60；低壓MOS：5、電動工具：60N06、；6、電動車：1001、1808；7、鋰電池保護(hù)：8205；8、UPS：1001、1707；5PPT課件MOS主要應(yīng)用范圍高壓MOS：5PPT課件75N75在電動車控制器上的應(yīng)用1001M1001P180824V、36V、48V控制器24V、36V、48V、60V控制器ST75NF75LT7508NEC4145同類競爭產(chǎn)品6PPT課件75N75在電動車控制器上的應(yīng)用1001M24V、36V、MOS主要參數(shù)說明BVDSS：漏源擊穿電壓。指MOS管關(guān)閉時，高阻態(tài)的D到S間，所能承受的最大電壓.這是一項極限參數(shù)，工作時超出該值芯片將損壞。IDSS：與BVDSS具有同一性。即MOS管關(guān)閉時,D到S間在指定電壓下的漏電流，該值越小越好。Rds(on)：即MOS管導(dǎo)通時，在Ids電流下DS間產(chǎn)生的壓降Vds，Rds（on）=Vds/Ids。對于工作在低頻下的MOS開關(guān)，該參數(shù)是衡量MOS功耗的主要參數(shù)。一定芯片面積下，Rds(on)小的BVDSS也小。Vgs(th)：開啟電壓（閾值電壓）。gs間的正壓差大于該電壓后，MOS管的DS間由高阻態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通態(tài)。7PPT課件MOS主要參數(shù)說明BVDSS：漏源擊穿電壓。指MOS管關(guān)閉時MOS主要參數(shù)說明EAS-單脈沖雪崩擊穿能量。簡單的說，反應(yīng)了器件作為開關(guān)的抗沖擊能力。EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。當(dāng)負(fù)載電感上產(chǎn)生的電壓超過MOS擊穿電壓BVDSS后，將出現(xiàn)雪崩擊穿，此時MOSFET雖然處于關(guān)斷狀態(tài)，但電感上的電流仍能強行流過MOSFET器件，此時在器件上消耗的能量=電感中儲存的能量。EAS=1/2*LII（BVD/(BVD-VD)）IAS-單脈沖雪崩擊穿電流。由于雪崩擊穿過程中通過芯片的電流存在集邊效應(yīng)，這就需要對雪崩電流IAS進(jìn)行限制。實際上，雪崩電流是EAS能量的“精細(xì)闡述”，其揭示了器件真正的能力。

8PPT課件MOS主要參數(shù)說明EAS-單脈沖雪崩擊穿能量。簡單的說，反應(yīng)MOS靜態(tài)參數(shù)Ids(on)---芯片在最大額定結(jié)溫下，管殼在25℃或更高溫度下，可持續(xù)導(dǎo)通的漏極電流。換句話說，就是芯片工作時產(chǎn)生的熱量，可由“晶圓-銅框架-散熱片-環(huán)境”的導(dǎo)熱途徑發(fā)散掉，且最后熱平衡時的芯片結(jié)溫不超過最大結(jié)溫。該參數(shù)由封裝、最大允許結(jié)溫、導(dǎo)通電阻、芯片面積等綜合因素決定。某些情況下，封裝是限制ID（on）的主要原因；TO-247和TO-264封裝的最大電流100Amps，TO-220封裝的最大電流為75Amps，SOT-227封裝的最大電流為220Amps。開關(guān)應(yīng)用中實際開關(guān)電流通常小于ID額定值@TC=25℃的一半；例如48V六管控制器，限流值為17A，意即單顆MOS要承載17A的持續(xù)電流。9PPT課件MOS靜態(tài)參數(shù)Ids(on)---芯片在最大額定結(jié)溫下，管殼MOS靜態(tài)參數(shù)IDM---該參數(shù)反映了器件可以處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠(yuǎn)高于Ids(ON)。設(shè)定電流密度上限防止芯片由于溫度過高而燒毀。防止過高電流流經(jīng)封裝引線，因為在某些情況下，整個芯片上最“薄弱的連接”不是芯片，而是封裝引線。該參數(shù)由脈沖寬度、脈沖間隔、散熱狀況、RDS(on)、脈沖電流波形和幅度等綜合因素決定。單純滿足脈沖電流不超出IDM上限并不能保證結(jié)溫不超過最大允許值。目前我司HY1001和HY1808都能承受:IDM=160A、脈沖寬度不超過20uS的電流。10PPT課件MOS靜態(tài)參數(shù)IDM---該參數(shù)反映了器件可以處理的脈沖電流MOS動態(tài)參數(shù)gfs---正向跨導(dǎo)。表示柵源電壓UGS—

對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.dv/dt---電壓上升率（控制器電路參數(shù)）

由于MOSFET的封裝電感和線路的雜散電感的存在，在MOSFET反向恢復(fù)電流Irr突然關(guān)斷時，MOSFET上的電壓Vds會出現(xiàn)振鈴，導(dǎo)致Vds超過MOSFET的BVDSS從而發(fā)生雪崩現(xiàn)象。若MOSFET的米勒電容Cgd偏大的同時且VTH又偏小，則MOSFET在關(guān)閉的瞬間，將在GS端感應(yīng)出電壓（與dv/dt、Cgd、Cgs、RG相關(guān)），若該電壓大于VTH，則將導(dǎo)致Cdv/dt感應(yīng)導(dǎo)通。11PPT課件MOS動態(tài)參數(shù)gfs---正向跨導(dǎo)。表示柵源電壓UGS—結(jié)電容、Qg、上升/下降時間是影響開關(guān)損耗的動態(tài)參數(shù)，器件工作頻率越高，這些參數(shù)的影響就越大。

Cds---漏-源電容

Cdu---漏-襯底電容

Cgd---柵-源電容

Cgs---漏-源電容

Ciss---柵短路共源輸入電容

Coss---柵短路共源輸出電容

Crss---柵短路共源反向傳輸電容MOS動態(tài)參數(shù)12PPT課件結(jié)電容、Qg、上升/下降時間是影響開關(guān)損耗的動態(tài)參數(shù)，器件工MOS參數(shù)中英文對照表

di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）

dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）

ID---漏極電流（直流）

IDM---漏極脈沖電流

ID(on)---通態(tài)漏極電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

IDS---漏源電流

IDSM---最大漏源電流

IDSS---柵-源短路時，漏極電流

IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）

IG---柵極電流（直流）

IGF---正向柵電流

IGR---反向柵電流

IGDO---源極開路時，截止柵電流

IGSO---漏極開路時，截止柵電流

IGM---柵極脈沖電流

IGP---柵極峰值電流

IF---二極管正向電流

IGSS---漏極短路時截止柵電流

IDSS1---對管第一管漏源飽和電流

IDSS2---對管第二管漏源飽和電流

Iu---襯底電流

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）

gfs---正向跨導(dǎo)

Gp---功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

GPD---共漏極中和高頻功率增益

ggd---柵漏電導(dǎo)

gds---漏源電導(dǎo)

K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)

Ku---傳輸系數(shù)VDS---漏源電壓（直流）

VGS---柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGS(th)---開啟電壓或閥電壓

V（BR）DSS---漏源擊穿電壓

V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

VDS(sat)---漏源飽和電壓

VGD---柵漏電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

VGu---柵襯底電壓（直流）

Zo---驅(qū)動源內(nèi)阻

η---漏極效率（射頻功率管）

Vn---噪聲電壓

aID---漏極電流溫度系數(shù)

ards---漏源電阻溫度系數(shù)

L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）

LD---漏極電感

Ls---源極電感

rDS---漏源電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rGD---柵漏電阻

rGS---柵源電阻

Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）

RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）

R(th)jc---結(jié)殼熱阻

R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻

PD---漏極耗散功率

PDM---漏極最大允許耗散功率

PIN--輸入功率

POUT---輸出功率

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）

to(on)---開通延遲時間

td(off)---關(guān)斷延遲時間

ti---上升時間

ton---開通時間

toff---關(guān)斷時間

tf---下降時間

trr---反向恢復(fù)時間

Tj---結(jié)溫

Tjm---最大允許結(jié)溫

Ta---環(huán)境溫度

Tc---管殼溫度

Tstg---貯成溫度

13PPT課件MOS參數(shù)中英文對照表di/dt---電流上升率（外電路（1）控制器限流值的大小?主要是受功率管本身允許通過最大電流限制，一般的:6管限流18A;9管限流25A;12管限流33A。超過以上設(shè)置來使用MOS管，若出現(xiàn)問題則非我司責(zé)任。事實上，由于電動車控制器散熱性能不好，控制器最大電流值只取功率管的1/4左右。（2）控制器上導(dǎo)電銅線的粗細(xì)?6管控制器導(dǎo)電絲請用直徑1.5mm的銅導(dǎo)電絲；

9管、12管控制器導(dǎo)電絲請用直徑1.8mm的銅導(dǎo)電絲

15管、18管控制器導(dǎo)電絲請用直徑2.5mm的銅導(dǎo)電絲。

與MOS相關(guān)的控制器問題14PPT課件（1）控制器限流值的大小?與MOS相關(guān)的控制器問題14PP（3）在生產(chǎn)調(diào)試過程中，常發(fā)現(xiàn)芯片、MOS管壞掉，不知什么原因？可能是防靜電措施沒有做好；還有就是測量絕緣時，搖表搖的過快，導(dǎo)致瞬間電壓很高，將元件擊穿；還有就是第一次調(diào)試好的控制器隨意堆在一起，因為板子上存在電解電容，勢必對其他板子上器件有影響。電子產(chǎn)品對防靜電要求較高。防靜電措施不當(dāng)，將直接影響生產(chǎn)效率和返修率。（4）為什么有些廠自行設(shè)計的控制器返修率特別高？控制器壞，一般都是溫度過高“燒”壞的，主要原因有：硬件上驅(qū)動電路參數(shù)與功率管參數(shù)不匹配、導(dǎo)電絲用的不對；軟件上保護(hù)功能不強，沒有成熟的同步整流技術(shù)(主要用于降溫)、相短路保護(hù)技術(shù)(很多控制器在大電流運行下，相短路時，一拉轉(zhuǎn)把功率管就壞)、堵轉(zhuǎn)保護(hù)技術(shù)。這些關(guān)鍵技術(shù)的解決將大大降低控制器的返修率。與MOS相關(guān)的控制器問題15PPT課件（3）在生產(chǎn)調(diào)試過程中，常發(fā)現(xiàn)芯片、MOS管壞掉，不知什么原（5）、控制器中的MOS經(jīng)?！皦牡簟?，到底是什么原因？

1.控制器溫度過高，將功率管“燒”壞，打開控制器可以看到功率管上面的塑封體被燒化了.這主要是控制器長期在大電流下運行造成的，可能是MOS與散熱片上的螺絲未擰緊導(dǎo)致散熱不良。連接MOS的螺絲和塑料粒子也容易變形燒壞，可以在塑料粒子和螺絲之間再墊上金屬平墊片和彈簧墊片，保證塑料粒子被壓緊，同時散熱性能也會好點。

2.另外，控制器軟件和硬件保護(hù)做的又不到位，還有驅(qū)動電路與功率管不匹配都會導(dǎo)致這種問題。建議客戶將樣品寄給我們，以便匹配；

3.電機(jī)本身設(shè)計的不好。這點從相對地波形容易看出。如果相對地波形不是梯形波，而是有明顯的電壓突變現(xiàn)象，就會使dV/dt過大，也會導(dǎo)致MOS管易壞，這點建議電機(jī)廠修改電機(jī)。與MOS相關(guān)的控制器問題16PPT課件（5）、控制器中的MOS經(jīng)?！皦牡簟保降资鞘裁丛?？與MMOS管的Die面積、Rdson、Idson、Idm決定了MOS導(dǎo)通電流的能力，可根據(jù)以上參數(shù)衡量控制器的電流堵轉(zhuǎn)和爬坡能力。BVDSS決定了是否可用在48V、60V以及更高電壓版本的控制器上。EAS、IAS的大小決定了控制器上MOS剎車急停等抗沖擊的能力。對于并聯(lián)使用的多管控制器，靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)的一致性，決定了控制器驅(qū)動電機(jī)的可靠性。若某些參數(shù)不匹配，由于動態(tài)電流的分布不均，則可能在啟動和剎車時出現(xiàn)電機(jī)噪音，嚴(yán)重的時候?qū)龤OS和控制器。與MOS相關(guān)的控制器問題17PPT課件MOS管的Die面積、Rdson、Idson、Idm決定了MMOSFET：全稱：“Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor”（金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管）根據(jù)溝道類型：MOS可分為N溝MOS和P溝MOS根據(jù)開啟電壓的正負(fù)：MOS可分為增強型和耗盡型根據(jù)工藝結(jié)構(gòu)：MOS可分為水平導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)根據(jù)應(yīng)用：MOS可分為高壓MOS和低壓MOS我司MOS產(chǎn)品目前都是作為開關(guān)應(yīng)用的增強型NMOS。MOS分類18PPT課件MOSFET：全稱：“Metal-Oxide-SemiconMOS的開關(guān)功能MOS產(chǎn)品目前都用做開關(guān)，其基本功能就是通過對柵極g施加電壓來控制DS間的電流。見左上示意圖，g和S之間是絕緣的，S和D是同型材料（P），中間存在一溝道是與S和D相反的材料（N），當(dāng)gs間施加電壓存在電場時，溝道反型（由N變P），于是D到S就導(dǎo)通了。g端未加電時，D到S是高阻態(tài)，電流無法從D流到S，此時開關(guān)工作在關(guān)閉狀態(tài)。g-s間的電壓大于Vth時，D到S是低阻態(tài)，電流能從D流到S，此時開關(guān)工作在導(dǎo)通狀態(tài)。*見右上標(biāo)準(zhǔn)示意圖，由于S到D間存在一寄生體二極管，所以不管G端是否施加電壓，電流都能從從S端流到D。19PPT課件MOS的開關(guān)功能MOS產(chǎn)品目前都用做開關(guān)，其基本功能就是垂直導(dǎo)電MOSFET根據(jù)柵氧槽形狀，可分成VMOS、UMOS、TMOS、DMOS等20PPT課件垂直導(dǎo)電MOSFET根據(jù)柵氧槽形狀，可分成VMOS、UMOS1001M導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1001縱向剖面圖21PPT課件1001M導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1001縱向剖面圖4PPT課件MOS主要應(yīng)用范圍高壓MOS：1、PC電源：2N60、4N60、10N602、節(jié)能燈：830（5A500V）、840（8A500V）、3、電子鎮(zhèn)流器：830、840、5N50；4、充電器、筆記本適配器：1N60、2N60、4N60、5N60、6N60、7N60、8N60、10N60；低壓MOS：5、電動工具：60N06、；6、電動車：1001、1808；7、鋰電池保護(hù)：8205；8、UPS：1001、1707；22PPT課件MOS主要應(yīng)用范圍高壓MOS：5PPT課件75N75在電動車控制器上的應(yīng)用1001M1001P180824V、36V、48V控制器24V、36V、48V、60V控制器ST75NF75LT7508NEC4145同類競爭產(chǎn)品23PPT課件75N75在電動車控制器上的應(yīng)用1001M24V、36V、MOS主要參數(shù)說明BVDSS：漏源擊穿電壓。指MOS管關(guān)閉時，高阻態(tài)的D到S間，所能承受的最大電壓.這是一項極限參數(shù)，工作時超出該值芯片將損壞。IDSS：與BVDSS具有同一性。即MOS管關(guān)閉時,D到S間在指定電壓下的漏電流，該值越小越好。Rds(on)：即MOS管導(dǎo)通時，在Ids電流下DS間產(chǎn)生的壓降Vds，Rds（on）=Vds/Ids。對于工作在低頻下的MOS開關(guān)，該參數(shù)是衡量MOS功耗的主要參數(shù)。一定芯片面積下，Rds(on)小的BVDSS也小。Vgs(th)：開啟電壓（閾值電壓）。gs間的正壓差大于該電壓后，MOS管的DS間由高阻態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通態(tài)。24PPT課件MOS主要參數(shù)說明BVDSS：漏源擊穿電壓。指MOS管關(guān)閉時MOS主要參數(shù)說明EAS-單脈沖雪崩擊穿能量。簡單的說，反應(yīng)了器件作為開關(guān)的抗沖擊能力。EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。當(dāng)負(fù)載電感上產(chǎn)生的電壓超過MOS擊穿電壓BVDSS后，將出現(xiàn)雪崩擊穿，此時MOSFET雖然處于關(guān)斷狀態(tài)，但電感上的電流仍能強行流過MOSFET器件，此時在器件上消耗的能量=電感中儲存的能量。EAS=1/2*LII（BVD/(BVD-VD)）IAS-單脈沖雪崩擊穿電流。由于雪崩擊穿過程中通過芯片的電流存在集邊效應(yīng)，這就需要對雪崩電流IAS進(jìn)行限制。實際上，雪崩電流是EAS能量的“精細(xì)闡述”，其揭示了器件真正的能力。

25PPT課件MOS主要參數(shù)說明EAS-單脈沖雪崩擊穿能量。簡單的說，反應(yīng)MOS靜態(tài)參數(shù)Ids(on)---芯片在最大額定結(jié)溫下，管殼在25℃或更高溫度下，可持續(xù)導(dǎo)通的漏極電流。換句話說，就是芯片工作時產(chǎn)生的熱量，可由“晶圓-銅框架-散熱片-環(huán)境”的導(dǎo)熱途徑發(fā)散掉，且最后熱平衡時的芯片結(jié)溫不超過最大結(jié)溫。該參數(shù)由封裝、最大允許結(jié)溫、導(dǎo)通電阻、芯片面積等綜合因素決定。某些情況下，封裝是限制ID（on）的主要原因；TO-247和TO-264封裝的最大電流100Amps，TO-220封裝的最大電流為75Amps，SOT-227封裝的最大電流為220Amps。開關(guān)應(yīng)用中實際開關(guān)電流通常小于ID額定值@TC=25℃的一半；例如48V六管控制器，限流值為17A，意即單顆MOS要承載17A的持續(xù)電流。26PPT課件MOS靜態(tài)參數(shù)Ids(on)---芯片在最大額定結(jié)溫下，管殼MOS靜態(tài)參數(shù)IDM---該參數(shù)反映了器件可以處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠(yuǎn)高于Ids(ON)。設(shè)定電流密度上限防止芯片由于溫度過高而燒毀。防止過高電流流經(jīng)封裝引線，因為在某些情況下，整個芯片上最“薄弱的連接”不是芯片，而是封裝引線。該參數(shù)由脈沖寬度、脈沖間隔、散熱狀況、RDS(on)、脈沖電流波形和幅度等綜合因素決定。單純滿足脈沖電流不超出IDM上限并不能保證結(jié)溫不超過最大允許值。目前我司HY1001和HY1808都能承受:IDM=160A、脈沖寬度不超過20uS的電流。27PPT課件MOS靜態(tài)參數(shù)IDM---該參數(shù)反映了器件可以處理的脈沖電流MOS動態(tài)參數(shù)gfs---正向跨導(dǎo)。表示柵源電壓UGS—

對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.dv/dt---電壓上升率（控制器電路參數(shù)）

由于MOSFET的封裝電感和線路的雜散電感的存在，在MOSFET反向恢復(fù)電流Irr突然關(guān)斷時，MOSFET上的電壓Vds會出現(xiàn)振鈴，導(dǎo)致Vds超過MOSFET的BVDSS從而發(fā)生雪崩現(xiàn)象。若MOSFET的米勒電容Cgd偏大的同時且VTH又偏小，則MOSFET在關(guān)閉的瞬間，將在GS端感應(yīng)出電壓（與dv/dt、Cgd、Cgs、RG相關(guān)），若該電壓大于VTH，則將導(dǎo)致Cdv/dt感應(yīng)導(dǎo)通。28PPT課件MOS動態(tài)參數(shù)gfs---正向跨導(dǎo)。表示柵源電壓UGS—結(jié)電容、Qg、上升/下降時間是影響開關(guān)損耗的動態(tài)參數(shù)，器件工作頻率越高，這些參數(shù)的影響就越大。

Cds---漏-源電容

Cdu---漏-襯底電容

Cgd---柵-源電容

Cgs---漏-源電容

Ciss---柵短路共源輸入電容

Coss---柵短路共源輸出電容

Crss---柵短路共源反向傳輸電容MOS動態(tài)參數(shù)29PPT課件結(jié)電容、Qg、上升/下降時間是影響開關(guān)損耗的動態(tài)參數(shù)，器件工MOS參數(shù)中英文對照表

di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）

dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）

ID---漏極電流（直流）

IDM---漏極脈沖電流

ID(on)---通態(tài)漏極電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

IDS---漏源電流

IDSM---最大漏源電流

IDSS---柵-源短路時，漏極電流

IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）

IG---柵極電流（直流）

IGF---正向柵電流

IGR---反向柵電流

IGDO---源極開路時，截止柵電流

IGSO---漏極開路時，截止柵電流

IGM---柵極脈沖電流

IGP---柵極峰值電流

IF---二極管正向電流

IGSS---漏極短路時截止柵電流

IDSS1---對管第一管漏源飽和電流

IDSS2---對管第二管漏源飽和電流

Iu---襯底電流

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）

gfs---正向跨導(dǎo)

Gp---功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

GPD---共漏極中和高頻功率增益

ggd---柵漏電導(dǎo)

gds---漏源電導(dǎo)

K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)

Ku---傳輸系數(shù)VDS---漏源電壓（直流）

VGS---柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGS(th)---開啟電壓或閥電壓

V（BR）DSS---漏源擊穿電壓

V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

VDS(sat)---漏源飽和電壓

VGD---柵漏電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

VGu---柵襯底電壓（直流）

Zo---驅(qū)動源內(nèi)阻

η---漏極效率（射頻功率管）

Vn---噪聲電壓

aID---漏極電流溫度系數(shù)

ards---漏源電阻溫度系數(shù)

L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）

LD---漏極電感

Ls---源極電感

rDS---漏源電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rGD---柵漏電阻

rGS---柵源電阻

Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）

RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）

R(th)jc---結(jié)殼熱阻

R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻

PD---漏極耗散功率

PDM---漏極最大允許耗散功率

PIN--輸入功率

POUT---輸出功率

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）

to(on)---開通延遲時間

td(off)---關(guān)斷延遲時間

ti---上升時間

ton---開通時間

toff---關(guān)斷時間

tf---下降時間

trr---反向恢復(fù)時間

Tj---結(jié)溫

Tjm---最大允許結(jié)溫

Ta---環(huán)境溫度

Tc---管殼溫度

Tstg---貯成溫度

30PPT課件MOS參數(shù)中英文對照表di/dt---電流上升率（外電路（1）控制器限流值的大小?主要是受功率管本身允許通過最大電流限制，一般的:6管限流18A;9管限流25A;12管限流33A。超過以上設(shè)置來使用MOS管，若出現(xiàn)問題則非我司責(zé)任。事實上，由于電動車控制器散熱性能不好，控制器最大電流值只取功率管的1/4左右。（2）控制器上導(dǎo)電銅線的粗細(xì)?6管控制器導(dǎo)電絲請用直徑1.5mm