模擬集成電路設(shè)計仿真

實驗報告姓名： X學(xué)號： 2013210XXX班級： 201321120X端口號碼： a219學(xué)院：電子工程學(xué)院.專業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù).TOC\o"1-5"\h\z\o"CurrentDocument"實驗一:共源級放大器性能分析 2\o"CurrentDocument"一、 實驗?zāi)康?2\o"CurrentDocument"二、 實驗要求 2\o"CurrentDocument"三、 實驗電路及實驗結(jié)果 2\o"CurrentDocument"（一） 負載電阻R=10K 2\o"CurrentDocument"（二） 負載電阻R=1K 4\o"CurrentDocument"四、 實驗分析 6\o"CurrentDocument"實驗二:差分放大器設(shè)計 6\o"CurrentDocument"一、 實驗?zāi)康?6\o"CurrentDocument"二、 實驗要求 6\o"CurrentDocument"三、 實驗原理 7\o"CurrentDocument"四、 實驗結(jié)果 7\o"CurrentDocument"五、 思考題 9\o"CurrentDocument"實驗三：電流源負載差分放大器設(shè)計 9\o"CurrentDocument"一、 實驗?zāi)康?9\o"CurrentDocument"二、 實驗要求 9\o"CurrentDocument"三、 實驗原理 9\o"CurrentDocument"四、 實驗結(jié)果 11\o"CurrentDocument"五、 實驗分析 12\o"CurrentDocument"實驗五：共源共柵電流鏡設(shè)計 12\o"CurrentDocument"一、 實驗?zāi)康?12\o"CurrentDocument"二、 實驗要求 12\o"CurrentDocument"三、 實驗內(nèi)容 13\o"CurrentDocument"四、 實驗結(jié)果 16\o"CurrentDocument"實驗六：兩級運算放大器設(shè)計 17\o"CurrentDocument"一、 實驗?zāi)康?17\o"CurrentDocument"二、 實驗要求 17\o"CurrentDocument"三、 實驗內(nèi)容 18\o"CurrentDocument"四、 實驗原理 22\o"CurrentDocument"五、 實驗結(jié)果 23六、 思考題 24七、 實驗分析 24\o"CurrentDocument"實驗總結(jié)及問題解決 25\o"CurrentDocument"一、 實驗中的問題 25\o"CurrentDocument"二、 實驗心得體會 26期集成實驗一:共源級放大器性能分析一、 實驗?zāi)康?、 掌握synopsys軟件啟動和電路原理圖(schematic)設(shè)計輸入方法；2、 掌握使用synopsys電路仿真軟件customdesigner對原理圖進行電路特性仿真；3、 輸入共源級放大器電路并對其進行DC、AC分析，繪制曲線；4、 深入理解共源級放大器的工作原理以及mos管參數(shù)的改變對放大器性能的影響二、 實驗要求1、 啟動synopsys，建立庫及Cellview文件。2、 輸入共源級放大器電路圖。3、 設(shè)置仿真環(huán)境。4、 仿真并查看仿真結(jié)果，繪制曲線。三、 實驗電路及實驗結(jié)果(一)負載電阻R=10K367r=lAK4Cusbcen-gngl如號nfi?y??.--acm-曰VA'-rn-367r=lAK4Cusbcen-gngl如號nfi?y??.--acm-曰VA'-rn--1.實驗電路-->>>-■01'A-1QiI0直流分析各節(jié)點的直流電壓已在電路原理圖中打印，下截圖為直流工作點的參數(shù):■jAppiwtmP瞄System(j)J 94*；Sui血09IKOperatingPdlrtte分析該管參數(shù):VDS=67.5842mV，VGS=1.2V，Vth=241.008伸，即有VGS>Vth，VDS<VGS-Vth。因此NMOS管導(dǎo)通，工作在線性區(qū)，且計算知在深線性區(qū)域。交流分析(1)幅頻特性曲線(2)相頻特性曲線

該電路的幅頻特性曲線圖與相頻特性曲線圖并不完全符合共源級放大電路的特性，分析可知此時MOS管工作在線性區(qū)，MOS管的跨導(dǎo)下降，故出現(xiàn)此情形。因此一般的共源級放大器都會避免MOS管工作在線性區(qū)。（二）負載電阻R=1K實驗電路直流分析各節(jié)點的直流電壓已在電路原理圖中打印，下截圖為直流工作點的參數(shù):VkijJ-nT-laaai^r■[11A1]明gttzraPlmtes5建f?俱了①Q(mào)n；5unDec13,20.06H】分析該管參數(shù)：VDS=1.16477心VGS=1.2心Vth=0.235598V。即有VDS>VGS Vth，因此該NMOS管工作在飽和區(qū)。2.交流分析(1)幅頻特性(2)相位特性從曲線中可看出，在中頻區(qū)，放大倍數(shù)Av=7.9dB，根據(jù)Av(dB)=20logAv，可計算出Av=2.483。四、實驗分析器件參數(shù)：NMOS管的寬長比為10，柵源之間所接電容1pF，Rd=10K。實驗結(jié)果：輸入交流電源電壓為1V，所得增益為12dB。由仿真結(jié)果有：gm=496u，R=10k，所以增益Av=496*10/1000=4.96=13.91dB?？梢姡瑢嶋H增益大于理論增益。實驗二:差分放大器設(shè)計一、 實驗?zāi)康恼莆詹罘址糯笃鞯脑O(shè)計方法；掌握差分放大器的調(diào)試與性能指標的測試方法。二、 實驗要求確定放大電路；確定靜態(tài)工作點Q；確定電路其他參數(shù)。電壓放大倍數(shù)大于20dB，盡量增大GBW，設(shè)計差分放大器;對所設(shè)計電路調(diào)試；

對電路性能指標進行測試仿真，并對測量結(jié)果進行驗算和誤差分析。三、實驗原理M1、M2兩個NMOS管作為差分對管，由電流源提供尾電流/SS。當(dāng)Vin1=Vin2時，每個晶體管的偏置電流都等于ISS/2，輸出共模電平等于VDDRDISS/2，即尾部電流源的作用是抑制輸入共模電平的變化對M1、M2管的工作以及輸出電平的影響。平衡態(tài)下的小信號差動電壓增益AV為：pi=陽=6=UnCOX（W/L）四、實驗結(jié)果（表中數(shù)據(jù)單位dB），R單位：kQ151015100K19dB24dB24dB25dB200K23dB27dB28dB29dB300K1.1dB19dB乂（不工作）X（不工作）改變W/L和柵極電阻，可以看到，R一定時，隨著W/L增加，增益增加，W/L一定時，隨著R的增加，增益也增加。但從仿真特性曲線我們可以知道，這會限制帶寬的特性，W/L增大時，帶寬會下降。為保證帶寬，選取W/L=5，R=200K的情況下的數(shù)值，保證了帶寬約為300MHZ，可以符合系統(tǒng)的功能特性，實驗結(jié)果見下圖。電路圖=\-40dB\-\-19.8dB\=2O.20B）。從相頻特性曲線圖中可以看出，此時輸出電壓與輸入電壓的相位差是0°即輸出電壓與輸入電壓同相。五、思考題根據(jù)計算公式，為什么不能直接增大R實現(xiàn)放大倍數(shù)的增大？答：若直接增加Rd，貝Vd會增加，增加過程中會限制最大電壓擺幅；如果VDD—Vd=Vin—VTH，那MOS管處于線性區(qū)的邊緣，此時僅允許非常小的輸出電壓擺幅。即電路不工作。此外，RD增大還會導(dǎo)致輸出結(jié)點的時間常數(shù)更大。實驗三：電流源負載差分放大器設(shè)計一、 實驗?zāi)康恼莆针娏髟簇撦d差分放大器的設(shè)計方法；掌握差分放大器的調(diào)試與性能指標的測試方法。二、 實驗要求設(shè)計差分放大器，電壓放大倍數(shù)大于30dB；對所涉及的電路進行設(shè)計、調(diào)試；對電路性能指標進行測試仿真，并對測量結(jié)果進行驗算和誤差分析。三、 實驗原理電流鏡負載的差分對傳統(tǒng)運算放大器的輸入級一般都采用電流鏡負載的差分對。如上圖所示。NMOS器件M1和M2作為差分對管，P溝道器件M4，M5組成電流源負載。電流0I提供差分放大器的工作電流。如果M4和M5相匹配，那么M1電流的大小就決定了M4電流的大小。這個電流將鏡像到M5。如果VGS1二VGS2，則Ml和M2的電流相同。這樣由M5通過M2的電流將等于是IOUT為零時M2所需要的電流。如果VGS1>VGS2，由于I0=ID1+ID2，ID1相對ID2要增加。ID1的增加意味著ID4和ID5也增大。但是，當(dāng)VGS1變的比VGS2大時，ID2應(yīng)小。因此要使電路平衡，IOUT必須為正。輸出電流IOUT等于差分對管的差值，其最大值為I0。這樣就使差分放大器的差分輸出信號轉(zhuǎn)換成單端輸出信號。反之如果VGS1<VGS2，將變成負。假設(shè)M1和M2差分對總工作在飽和狀態(tài)，則可推導(dǎo)出其大信號特性。描述大信號性能的相應(yīng)關(guān)系如下：式(7-1)中，VID表示差分輸入電壓。上面假設(shè)了M1和M2相匹配。將式(7-1)代入(7-2)中得到一個二次方程，可得出解。上圖是歸一化的M1的漏電流與歸一化差分輸入電壓的關(guān)系曲線，也即是CMOS差分放大器的大信號轉(zhuǎn)移特性曲線。該放大器的小信號特性參數(shù)等效跨導(dǎo) 、L=Jr—從圖2可以看出，在平衡條件下，M2和M5的輸出電阻分別為：12』12于是該放大器的電壓增益為：g]|m)=./— % (7)

四、實驗結(jié)果（表中數(shù)據(jù)單位：dB）盹（N）W/L（P）f501001502006028.1dB29.4dB30.43dB31.32dB7028.6dB30.36dB31.61dB32.58dB8028.8dB30.87dB32.25dB33.28dB選擇nmos(w/L)=50,pmos(w/L)=10數(shù)據(jù)作為結(jié)果:由結(jié)果曲線可知，此放大器的使用頻率范圍需要嚴格控制，當(dāng)f增大到一定值時，增益下降速率很快。電路圖幅頻特性曲線五、實驗分析本次實驗是在實驗二的基礎(chǔ)上進行修改調(diào)試的，電壓增益為33.3dB，電壓的理論增益公式為Av gm0,(ro211”電源電壓的設(shè)計需要合適的范圍，既不能太小，也不能太大。過小會使得場效應(yīng)管不能進入到飽和區(qū)，過大會使得此放大器的輸出擺幅過小，我們的電路設(shè)計中選擇電源電壓為3V，可以滿足實驗要求。實驗五：共源共柵電流鏡設(shè)計一、 實驗?zāi)康氖煜ぼ浖褂?，了解軟件的設(shè)計過程。掌握電流鏡的相關(guān)知識和技術(shù)，設(shè)計集成電路實現(xiàn)所給要求。二、 實驗要求實驗設(shè)計題目：低輸出電壓高輸出電阻的電流鏡設(shè)計。包括基本共源共柵電流鏡設(shè)計和低壓共源共柵電流鏡設(shè)計。實驗設(shè)計要求：電流比1：1。'g模擬集成電路設(shè)計仿真實驗報告輸出電壓最小值0.5V。輸出電流變化范圍5~100uA三、實驗內(nèi)容其中：每個MOSFET的襯底都接地，(W/L)1=(W/L)2;(W/L)3=(W/L)4.通過大信號直流工作點分析和小信號等效電路分析，可以知道該電路的特點如下：小信號輸入電阻低(?1/gml)V+AV =V+:2"nmax輸入端工作電壓低("順TW(W/牛3小信號輸出由阻高(r=r[1+(g+g)r]+r)小I信號輸出電阻高(out ds2 m3 mb3ds3 ds3)A砰E于申享,k〒海rbrr/fll/~2AV(@V=V+2AV)、輸出端最小工作電壓低( MAX4 T3 MAX)確定(W/L)1、(W/L)2為了計算設(shè)計變量，我們有必要了解電路MOSFET的工作狀態(tài)，為了使輸出端最小工作電壓小于0.5V,令：MN3管工作于臨界飽和區(qū)(即：VOUTMINVg3-匕3=0.5V)，而MN1、MN2管隨著輸入電流、從5UA變到100UA的過程中先工作在過飽和區(qū)最終工作在臨界飽和區(qū)，同時令：當(dāng)MN1、MN2工作在V=V=^OUTMIN=0.25V臨界飽和區(qū)時庭1 ds2 2 。為了使MN1、MN2工作在飽和區(qū)，則必須：(以MN2為例計算)VDS2>VGS2-VT2——2'INMAX <V =VOUTMINKP2(W/1)2 ds2 22121o(W/L)>———^nmax KP(OU^IN)22x100X10-6A .°, =26123.0x10-6A/V2x0.252V2為了后面HSPICE仿真時能夠深刻地體會到調(diào)整 W/L的必要性，這里取:(W/L)1=(W/L)2=27。確定(W/L)3、(W/L)4從MN3管VGS3的角度來考慮問題，當(dāng)In=100UA時，為了使MN2管工作在臨界飽和區(qū)，Vgs3的電壓降不可以過大，即:V<V—OUTMIN

GS3 G3 2又MN3管工作于臨界飽和區(qū)，則：oVoVGS3+匕3 OU^INVOUTMIN2TOC\o"1-5"\h\z21 “ ”VOUTMIN2INMAX-<V+VKP3(W/L) OUTMIN T331——inmax <"outmin2X100X10-6A(KP3(W2X100X10-6A21 一、…?o3〉VZ^T=123.0X10-6A/V2X0.252V2-KP(OUnfIN)2為了后面HSPICE仿真時能夠深刻地體會到調(diào)整W/L的必要性，這里就取:(W/L)3=(W/L)4=27。確定(W/L)B

為了節(jié)省面積，和設(shè)計的方便，取(W/L)B=1確定IB在確定IB前要先計算匕3，根據(jù)襯偏效應(yīng)可以得到：匕3=V^°+y(必虬|+匕-』2隊|)=0.6431V+0.63Vi/2(J0.83V+0.25V-J0.83V)三0.72V因為MN3工作在臨界飽和區(qū)，所以：2IBKP(W/L)B又MNB管工作于MOS二極管狀態(tài):匕3=V2IBKP(W/L)BTOC\o"1-5"\h\z1/ 、 /，、nIB=2(匕3-VB)2KPb(W/L)B/ 、 /，、nIB=-(V+V-V)2KP(W/L)D3 T3 TBB B1/ 、 /,、nIB=4in+VT3-Vtn0)2KPN(W/L)BnIB=0.5x(0.5V+0.72V-0.6431V)2x123.0x10-6A/V2x1三20UA確定溝道長度L對溝道長度的約束有:1.routrout=rr(g+1.routrout=rr(g+g)=ds2ds3m3mb31 1uti2OUT3OUTgm3(1+n)=1 1ti-n-2OUT3OUT2KP3Iout(1+2即Y—)+VSB一定的IOUT下，要使rout較大，則T要取較小的值，即L要取較大的值。短溝效應(yīng)，要求L取較大的值。溝道調(diào)制效應(yīng)，要求L取較大的值。匹配性，要求L取較大的值。可生產(chǎn)性，要求L取較規(guī)整的值。寄生性，要求L取較小的值。最小的版圖面積，要求L取的較小的值。工業(yè)界的經(jīng)驗要求：L>=5倍的特征尺寸。綜上所述，版圖設(shè)計中取L=3uM驗證直流工作點MNB：二極管連接確保它工作于飽和區(qū)。MN3：工作于臨界飽和工作區(qū)。MN1、MN2：當(dāng)JIN=100uA，它們工作于臨界飽和區(qū)；當(dāng)、減小時，L1、2減小且匕s1、2增大，使它 們工作在過飽和區(qū)。MN4：要使MN4管工作于飽和區(qū)，則：V4>，4-匕4O匕4>54-匕4￥>"+"3-匕40匕1+陰>V°utmin而匕廣0.6431v，V°utmin=0.5V,顯然上式成立。即MN4工作于飽和區(qū)。四、實驗結(jié)果1.電路圖2.電路工作時各二極管狀態(tài)

0568切口i.?所0568切口i.?所電路圖分析：各個管子的直流工作的參數(shù)都已經(jīng)顯示在電路原理圖中，根據(jù)NMOS管飽和區(qū)的判斷公式VDSNVGS-Vth可以判斷設(shè)計符合要求。實驗六：兩級運算放大器設(shè)計一、 實驗?zāi)康氖煜ぼ浖氖褂?，了解synopsys軟件的設(shè)計過程。掌握電流鏡的相關(guān)知識和技術(shù)，設(shè)計集成電路實現(xiàn)所給要求。二、 實驗要求單級放大器輸出對管產(chǎn)生的小信號電流直接流過輸出電阻，因此單級電路的增益被抑制在輸出對管的跨導(dǎo)與輸出阻抗的乘積。在單級放大器中，增益是與輸出擺幅相矛盾的。要想得到大的增益我們可以采用共源共柵結(jié)果來極大的提高出阻抗的值，但是共源共柵中堆疊的MOS管不可避免的減少了輸入電壓的范圍。因為多一層管子至少增加一個對管子的過驅(qū)動電壓。這樣在共源共柵結(jié)構(gòu)的增益與輸出電壓矛盾。為了緩解這種矛盾引入兩級運放，在兩級運放中將這兩個點在不同級實現(xiàn)。如本設(shè)計中的兩級運放，大的增益靠第一級與第二級級聯(lián)而組成，而大的輸出電壓范圍靠第二級的共源放大器來獲得。設(shè)計一個COMS兩級放大電路，滿足以下指標：

AV=5000V/V(74dB)VDD=2.5V VSS=-2.5VGB=5MHzCL=5pf SR>10V/us 相位裕度=60度VOUT范圍二[-2,2]VICMR=-1~2VPdiss<=2mW三、實驗內(nèi)容確定電路的拓撲結(jié)構(gòu):圖中有多個電流鏡結(jié)構(gòu)，M5,M8組成電流鏡，流過M1的電流與流過M2電流I=I=1/2*I，同時M3,M4組成電流鏡結(jié)構(gòu)，如果M3和M4管對稱，那么相D1,2 D3,4 D5同的結(jié)構(gòu)使得在X，y兩點的電壓在Vin的共模輸入范圍內(nèi)不隨著Vin的變化而變化，為第二極放大器提供了恒定的電壓和電流。圖1所示，Cc為引入的米勒補償電容。表10代 二藝專淀供的模型參數(shù)CSMCO.SumDoublePolyMixCMOSprocessmodel工藝參數(shù)NMOS0.70161.28E-8404.257PMOS單位-0.95081.24E-8219.5表？一些常用的物理常數(shù)常數(shù)符號言涅M3苣位室溫下自由空間介電常數(shù)二氧化硅苦介電常斂/_已 利用表1、表2中的參數(shù)計算得到A^csllOzzzVlZXJt(§62J7?V1/第一級差分放大器的電壓增益為：TOC\o"1-5"\h\zj- [&必+，Zri (1)第二極共源放大器的電壓增益為9gT，帝 (2)所以二級放大器的總的電壓增益為相位裕量有中=±180-tan-1(^B)-tan-1(^B)-tan-1(^B)=60' 叫如可要求60°的相位裕量，假設(shè)RHP零點高于10GB以上tan-1(A)+tan-1(羿)+tan-1(0.1)=1200V以tan-1(羿)=24.3。II、cC廠D m6>2.2('m2)所以|呼2.2GB 即氣C由于要求60。的相位裕量，所以2注以gm6>10g2C>22CL=0.22C可得到c10 L=2.2pF因此由補償電容最小值2.2pF，為了獲得足夠的相位裕量我們可以選定Cc=3pF考慮共模輸入范圍:在最大輸入情況下，考慮M1處在飽和區(qū)，有V-V-V>V(max)-V因此由補償電容最小值2.2pF，為了獲得足夠的相位裕量我們可以選定Cc=3pF考慮共模輸入范圍:在最大輸入情況下，考慮M1處在飽和區(qū)，有V-V-V>V(max)-V-VnV(max)<V-V+VDD SG3 nIC nTN1IC DDSG3 TN1 (4)在最小輸入情況下，考慮M5處在飽和區(qū)，有V(min)-V-V>VnV(min)<V+V+VIC SSGS1 Dsat5 IC SS -GS1 Dsat5（5）而電路的一些基本指標有P= 'm11ACvC（6）CMR:正的CMRGB是單位增益帶寬P1是3DB帶寬GB=A"片V（最大）二Vdd-（7）（8）（9）匕-VT3|(最大)+v](最小)3(10)負的CMRV負的CMRV（最?。┒s’+，+1匕]|(最大)+VDS5(飽和)1(12)由電路的壓擺率SR由電路的壓擺率SR——d5-CC得到!=（3*10-12）（）10*106）=30UA（為了一定的裕度，我們?nèi)ref=40^A。）則可以得到，Id1,2=Id3,4=Id5/2—20"A可以得到，卜面用ICMR的要求計算（W/L）3(—)= 1 L3 (氣)匕廣L3+L1]2M11/1(—)(—)所以有(L)3=(L)4=11/1GB=丁由 CC,GB=5MHz，我們可以得到gm廣5x106x2兀x3x10-12=94.2心(—/L)=(—/L)=芝4三2/1即可以得到1 22Kn71用負ICMR公式計算匕皿5由式(12)我們可以得到下式Vc(min)=、+、1+偵15如果VDS5的值小于100mv，可能要求相當(dāng)大的(—/L)5，如果VDsat5小于0，則ICMR的設(shè)計要求則可能太過苛刻，因此，我們可以減小15或者增大(—/L)5來解決這個問題，我們?yōu)榱肆粢欢ǖ挠喽任覀冐癱(min)等于-1.1V為下限值進行計算七at5=Vc(min)一(-)2-匕N1-VSS1則可以得到的匕sat5進而推出S=(—/L)=―(^2—5 5K5(匕皿5)2三11/1即有(—/L)5=(—/L)8=11/1為了得到60°的相位裕量，gm6的值近似起碼是輸入級跨導(dǎo)gm1的10倍(allen書p.211例6.2-1)，我們設(shè)gm6=10gm1=942Rs，為了達到第一級電流鏡負載(M3和M4)的正確鏡像，要求VSG4=VSG6，圖中X，y點電位相同(—/L)=(—/L)黑=64/1我們可以得到6 4gm4進而由gm6=*K'p(—/A'd6我們可以得到直流電流I=I= gm6 =—g-m6—=113.7^Ad6d72K'(W/L) 2K'S6 6 66同樣由電流鏡原理，我們可以得到(W/L)7=L(W/L)5=32/1d5四、實驗原理最基本的COMS二級密勒補償運算跨導(dǎo)放大器的結(jié)構(gòu)如圖所示。主要包括四部分：第一級輸入級放大電路、第二級放大電路、偏置電路和相位補償電路。兩級運放電路圖電路有至少四個極點和兩個零點，假定z2、p3、p4以及其它寄生極點都遠大于GBW，若不考慮零點z1，僅考慮第二極點p2,那么這是一個典型的兩極點決定的系統(tǒng)。為保證系統(tǒng)穩(wěn)定，通常要求有63°左右的相位裕度，即保持頻率階躍響應(yīng)的最大平坦度以及較短的時間響應(yīng)。但在考慮z1之后，這個右半平面(RHP)的零點在相位域上相當(dāng)于左半平面(LHP)的極點，所以相位裕度會得到惡化。同時如果為了將兩個極點分離程度增大，則補償電容Cc就要增大，這也會使得零點減小，進一步犧牲相位裕度，如圖所示。1O-910'110'U-.12Y伯.1310■1010-I-rinttn—i-ri-irfKtLIIJUK CiXiBiSSiSEi30A=FiTiffi"=.=rAAifl="=^■m■= ■iv■■■■ <IMLUm_-I-LUUIJJ_J_lJ一+H-U.IEIF.U1-4廿1|甘宥國-Mrl1010五、實驗結(jié)果1.電路圖"Mjmiiiiiiniiiaii||￡|>^5=|=mm日用三m三閂Fl"Hrtl=^=AriTirrrBBllE=4=ElWa=1=13DX.IQIZ二■二匚口沖二□!二Q111iiiniiijMm]IlEisah==i=&3口謁旱3=13口：nniu=i=mniHfc=i=i=intutii—1_i~nnrn—一ifiiiiiinniiiiimillssIl'ilFItltlli-riTiirhiiflibEiae口皿M44H-p業(yè)ElSO：口口止Tinrr一一三二二1.d-_1J-3-□J-J3q「fTIsTilIT^T^nTL^=s-11-nTTfz*MMrrunLUL哭耳TFl日K二匚匚□工,13fdfndILJlLULTLXLJL1S

IIII111IIIIOlli足司吊￡=FFFi￥i^一-、一sz..=一一二一i-VJI_￡ul-mll=rMulQIalMIlllllslptlnlXnu-a□HUSHnrT￡一王L-t—Umh_—rtritiHrrnririULUlMM匚e^iiqII11im==Vu■EE011^匚j：口rrFinniiiiiiiiFiiiiiiinri11nilrses'回更蜀imM垣^ifim車q副目塑歲理里11戛宣座M里巨更回野旦==pt^i4=ittli==■==1=i4itii::=i=M^I4=iff二土日xI4EE=匕二口功匚：zrzansi=^=Ci3fli5!：5：i3EiCS-Z3IflfflC:CZ&Tifl—rtritttl—!-riirtr+)+-i-l-irinti--+-iirrirtii—rrhtitiJIIILilIIIILlJJl II1IJI11IJJIILLIJIJLJILI10fl 710 10Frequency(Hz)極點分裂與Cc變化1（）e10s2.幅頻特性曲線分析此類電流鏡優(yōu)點，并說明原因。答：1.獲得了較高的精度：在本電路中，由于電路結(jié)構(gòu)特點，下方兩nmos管的漏端注入電壓相等，由此，I。?！甘瞧叩木_復(fù)制，即使上方兩mos管的輸入電壓發(fā)生變化，對M1,M2而言，變化量近似相等，因此即通過共源共柵級屏蔽了輸出電壓變化的影響。2.以降低輸出擺幅為代價，提高了輸出電阻：各管子均處于飽和或臨界飽和的狀態(tài)。七、實驗分析在本次設(shè)計中采用了密勒補償，但在包含密勒補償?shù)碾娐分袝a(chǎn)生一個離原g