信息材料與器件復(fù)習(xí)答案分章說(shuō)一下。第一章的外延那道題感覺大家對(duì)外延技術(shù)的分類不是很清楚。雖然把 、 、 和、放一起不能算錯(cuò)，但是希望大家能系統(tǒng)地了解外延的分類方法，以免有混亂的感覺。而作圖說(shuō)明 的工藝流程，建議大家能畫類似于梁老師課件上的剖面圖，而不是流程框圖，畢竟是考試重點(diǎn)。另外，的特點(diǎn)是既有管又有管，只畫一種管子不能算是 ；在阱中一般是 ，阱中是；硅柵工藝的自對(duì)準(zhǔn)（先刻?hào)旁僭绰诫s），這些基本特點(diǎn)希望大家不要犯錯(cuò)誤。這一道題以 單管的流程為主,補(bǔ)完的中有工藝，可能與梁老師課件上有所不同，考慮到了極接地點(diǎn)，所以有些復(fù)雜。僅供參考，希望通過(guò)對(duì)照能加深理解。以上課時(shí)課件為基本。另外單管工藝也考慮到管間的直接連接所以有一步是刻接觸孔，不考慮這一點(diǎn)，步驟可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化。第一章其他的題目以及第二章所有題目，課件上有，或者需要查閱資料，大家完成的都很好，就不多贅述。第三章的第一道題，關(guān)于光纖損耗，綜合大家的作業(yè)和我找的一些資料，對(duì)應(yīng)各種損耗寫了一些減小的方法,主要希望大家能進(jìn)一步了解損耗的組成，有興趣的同學(xué)可以看一下。第二道 是考試重點(diǎn)之一，我文檔里的答案是直接從課件中貼出來(lái)的，大家看課件就可以了，最好會(huì)畫那兩幅圖。第三道題略。第四章只整理了那道加速度傳感器的題目。一共找了四種基本類型，比較粗糙，大家主要看一下結(jié)構(gòu)和基本原理就可以，有興趣的話可以看一下測(cè)量原理和精確度的計(jì)算，當(dāng)然也不是每個(gè)類型都提到了測(cè)量原理和精確度。。整理時(shí)只是從傳感器的原理出發(fā)，至于是否采用微機(jī)電系統(tǒng)以及一些新型傳感器（如光纖振動(dòng)傳感器）沒(méi)有涉及。答案的主要參考是大家的和往屆學(xué)長(zhǎng)的作業(yè)，馮則坤老師、尹盛老師和陳實(shí)老師的課件，網(wǎng)上的一些資源和圖書館的電子文獻(xiàn)。歡迎大家給出意見和建議。以上?？荚囶}型和所占分?jǐn)?shù)已經(jīng)確定：名詞解釋：'TOC\o"1-5"\h\z簡(jiǎn)答： X論述： X王瑩微電子芯片材料與器件襯底材料，柵結(jié)構(gòu)材料，互聯(lián)材料，在各個(gè)發(fā)展階段典型材料及其性能特征三種主要的外延生長(zhǎng)技術(shù)：化學(xué)氣相沉積（ ），分子束外延（）和等離子濺射（ ）三種封裝：球形矩陣封裝（ ），系統(tǒng)級(jí)封裝（ ），封裝光學(xué)曝光和非光學(xué)曝光技術(shù)的種類，各自的特點(diǎn)等離子刻蝕，濺射刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕擴(kuò)散摻雜與離子注入摻雜襯底材料，柵結(jié)構(gòu)材料，互聯(lián)材料，在各個(gè)發(fā)展階段典型材料及其性能特征襯底材料：半導(dǎo)體材料 等、（第一代）； （第二代）高頻； 、 、 、 （第三代）高溫高功率 （金剛石）， 等新型半導(dǎo)體材料。單晶制備：（絕緣襯底上的硅）：實(shí)現(xiàn)介質(zhì)隔離，寄生電容小、集成度高和工作速度快，適合低壓低功耗電路。：高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，高熱導(dǎo)率，用于制備高溫高頻器件。 合金：制備新材料新器件（如：異質(zhì)結(jié)晶體管）。柵結(jié)構(gòu)材料柵絕緣介質(zhì)層：傳統(tǒng)柵絕緣介質(zhì)材料： 幾個(gè)原子層厚度 。在中，多晶硅柵中硼離子易穿透層擴(kuò)散到溝道區(qū)，使器件性能退化。目前發(fā)展： 相對(duì)介電常數(shù)為?，較好地防止硼離子擴(kuò)散，低漏電流，高抗老化擊穿。隨半導(dǎo)體工藝進(jìn)入到 尺寸范圍時(shí)， 或 厚度小于，電子隧穿效應(yīng)越來(lái)越顯著，柵對(duì)溝道控制減弱。柵電極材料：傳統(tǒng)電極材料：，與硅兼容性好，但不能滿足高溫處理要求。傳統(tǒng)工藝的缺陷：對(duì)于傳統(tǒng)工藝， 器件閾值電壓通常需要通過(guò)溝道雜質(zhì)注入的方法進(jìn)行調(diào)整。隨著器件尺寸的減小，溝道尺寸越來(lái)越小，溝道摻雜濃度越來(lái)越高，溝道雜質(zhì)濃度漲落對(duì)器件性能不利影響也越來(lái)越顯著。常用電極材料：多晶硅滿足高溫處理要求，但電阻率較高；難熔金屬硅化物 發(fā)展趨勢(shì)：傳統(tǒng)工藝溝道摻雜溝道零摻雜技術(shù)。目前研究的柵電極材料： 一通過(guò)改變值，連續(xù)調(diào)節(jié)能帶帶隙； 一連續(xù)調(diào)節(jié)功函數(shù)；耐高溫；作為互連的擴(kuò)散阻擋層材料?；ミB材料：金屬導(dǎo)電材料和相配套的絕緣介質(zhì)材料傳統(tǒng)互連材料：金屬導(dǎo)電材料一鋁；絕緣介質(zhì)材料一O缺點(diǎn)：隨集成度的提高，互連線長(zhǎng)度和所占面積迅速增加（$）,導(dǎo)致電路互連時(shí)間延遲大，信號(hào)衰減和串?dāng)_顯著，電路可靠性下降。目前研究重點(diǎn)：銅低介電常數(shù)絕緣介質(zhì)（W）三種主要的外延生長(zhǎng)技術(shù)：化學(xué)氣相沉積（ C：氫氣攜帶金屬有機(jī)化合物與非金屬氫化物一起進(jìn)入反應(yīng)室中，在一定的溫度條件下，氣相及氣一固界面發(fā)生一系列物理、化學(xué)反應(yīng)，最終在襯底上形成外延層。分子束外延（Be在超真空條件下，一種或幾種組分的熱原子束或分子束噴射到加熱的襯底表面，在襯底表面反應(yīng)而沉積成薄膜單晶的外延工藝等離子濺射（ ）：利用氣體輝光放電過(guò)程中產(chǎn)生的正離子與靶材料的表面原子間的能量交換，把物質(zhì)從原材料移向襯底，實(shí)現(xiàn)薄膜的沉淀。三種封裝：球形矩陣封裝（）：其引線以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，引線間距大，引線長(zhǎng)度短。系統(tǒng)級(jí)封裝（Ip在同一個(gè)小型基板上，采用微互聯(lián)技術(shù)將若干裸芯片和微型無(wú)源元件相連接，組成高性能的具有系統(tǒng)功能的微型組件。女口：中央處理器封裝：是在垂直于芯片表面的方向上堆疊、互連兩塊以上裸片的封裝，是一種高級(jí)的 封裝技術(shù)。光學(xué)曝光和非光學(xué)曝光技術(shù)的種類，各自的特點(diǎn)光學(xué)曝光系統(tǒng)分為兩種：遮蔽式（ ）曝光和投影式（ ）曝光。遮蔽式曝光系統(tǒng)又分為接觸式和接近式兩種形式。接觸式曝光的分辨率較高，但產(chǎn)品率低；接近式曝光時(shí)掩模版與襯底之間通常保持?€，掩模版與襯底之間的間隙會(huì)使圖形邊緣出現(xiàn)衍射。投影式曝光系統(tǒng)。它采用一套光學(xué)組件，使光通過(guò)掩模版將掩模圖形投影到幾厘米外涂有光刻膠的襯底上進(jìn)行曝光。投影式曝光系統(tǒng)分為掃描和分布重復(fù)兩種基本類型。掃描曝光系統(tǒng)把通過(guò)狹縫的光從掩模版聚焦到襯底上，同時(shí)掩模板和襯底一起作掃描運(yùn)動(dòng)，直至掩模圖形布滿整個(gè)襯底而完成曝光。分布重復(fù)曝光系統(tǒng)一次曝光襯底上的一塊矩形區(qū)域（稱為圖像場(chǎng)），然后不斷重復(fù)直至將小面積圖形布滿整個(gè)襯底，其掩模圖形尺寸與實(shí)際圖形尺寸的比例可以是或者大于（稱為縮小圖形曝光）。接觸式曝光掩模版與光刻膠緊密接觸。優(yōu)點(diǎn)：曝光對(duì)比度冋，精度冋。缺點(diǎn)：掩模與光刻膠的接觸會(huì)造成二次缺陷。接近式曝光掩模版與光刻膠之間有?€的間距。優(yōu)點(diǎn)：掩模和光刻膠之間不接觸，缺陷減少。缺點(diǎn)：掩模和光刻膠之間有縫隙，光的衍射造成分辨率卜降。投影式曝光掩模版與光刻膠之間有投影器（物鏡）。優(yōu)點(diǎn)：高分辨率，低缺陷，對(duì)準(zhǔn)精度高，曝光圖形可縮小。缺點(diǎn)：光學(xué)系統(tǒng)較復(fù)雜。非光學(xué)曝光技術(shù)電子束曝光又稱為電子束直寫式曝光，即不用掩模版而以聚焦電子束直接對(duì)光刻膠曝光。電子束曝光是利用具有一定能量的電子與光刻膠碰撞發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而完成曝光的。目前主要用來(lái)制作掩模版，可以完成? €的超微細(xì)加工，但很少用于對(duì)硅片直接曝光。射線曝光（）有望取代光學(xué)曝光進(jìn)行 超微細(xì)加工。它采用類似于接近式光學(xué)曝光的遮蔽式曝光方法， 射線通過(guò) 的掩模進(jìn)行曝光，掩模位置距襯底?€m超紫外光曝光（）是很有希望的下一代曝光技術(shù)。超紫外光波長(zhǎng)? ，在不降低產(chǎn)出率情況下，最小線寬可達(dá) （以 為光刻膠）。但曝光系統(tǒng)制造難度很大，且光刻工藝需在真空中進(jìn)行。離子束曝光注入光刻膠中的離子通過(guò)彈性和非彈性碰撞，使光刻膠分子量或結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致溶解特性發(fā)生變化。由于離子的質(zhì)量較大，散射作用比電子弱，幾乎不存在鄰近效應(yīng)，因此離子束曝光比光學(xué)、射線或電子束曝光技術(shù)具有更高的分辨率。離子束曝光的另一個(gè)特點(diǎn)是，許多光刻膠（如）對(duì)離子比對(duì)電子更為靈敏，因此可縮短曝光時(shí)間。等離子刻蝕，濺射刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕干法刻蝕分類等離子刻蝕濺射刻蝕/離子銑反應(yīng)離子刻蝕刻蝕原理輝光放電產(chǎn)生的活性粒子與需要刻蝕的材料發(fā)生反應(yīng)形成揮發(fā)性產(chǎn)物咼能離子轟擊需要刻蝕的材料表面使其產(chǎn)生損傷并去除損傷兩種方法結(jié)合刻蝕過(guò)程化學(xué)（物理效應(yīng)很弱）物理化學(xué)+物理主要參數(shù)刻蝕系統(tǒng)壓力、功率、溫度、氣流以及相關(guān)可控參數(shù)優(yōu)點(diǎn)各向異性好、工藝控制較易且污染少缺點(diǎn)刻蝕選擇性相對(duì)較差、存在刻蝕損傷、產(chǎn)量小等離子刻蝕利用被刻蝕表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使固態(tài)的被刻蝕材料轉(zhuǎn)化成氣態(tài)的揮發(fā)物，最后由排氣系統(tǒng)排除。特點(diǎn)：采用化學(xué)性活潑的氣體產(chǎn)生等離子體，作為活性受激原子的源，對(duì)被刻蝕表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕。特點(diǎn)：選擇性好,各向異性差。濺射刻蝕利用惰性氣體（如）產(chǎn)生的等離子體中離子對(duì)刻蝕表面進(jìn)行轟擊、濺射，將被刻蝕材料剝離表面。優(yōu)點(diǎn)：刻蝕材料種類多，具有較好的各向異性。缺點(diǎn)：刻蝕選擇性較差、刻蝕速率較小且會(huì)造成一定的刻蝕損傷反應(yīng)離子刻蝕是一種介于濺射刻蝕和等離子體刻蝕之間的干法刻蝕技術(shù)。與濺射刻蝕的主要區(qū)別是，反應(yīng)離子刻蝕使用的不是惰性氣體，而是與等離子體刻蝕相同的活性氣體。由于在反應(yīng)離子刻蝕中化學(xué)和物理作用都有助于實(shí)現(xiàn)刻蝕，因此可以靈活地選取工作條件以獲得最佳刻蝕效果。優(yōu)點(diǎn)：具有較高刻蝕速率、較好各向異性效果、較好刻蝕選擇性和較低刻蝕損傷，是目前微電子工藝中應(yīng)用最廣泛的干法刻蝕技術(shù)擴(kuò)散摻雜與離子注入摻雜離子注入就是將雜質(zhì)元素離化為離子，使其在強(qiáng)電場(chǎng)下加速，獲得較高的能量后轟擊半導(dǎo)體基片，經(jīng)過(guò)退火,使雜質(zhì)激活，在半導(dǎo)體內(nèi)形成一定的分布。擴(kuò)散方法：液態(tài)源擴(kuò)散和固態(tài)源擴(kuò)散液態(tài)源擴(kuò)散步驟：、保護(hù)性氣體通過(guò)液態(tài)雜質(zhì)源，攜帶雜質(zhì)蒸汽進(jìn)入高溫?cái)U(kuò)散爐中；、雜質(zhì)蒸汽分散、在硅片四周形成飽和蒸汽壓；、雜志原子向硅片內(nèi)部擴(kuò)散。設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便、均勻性好，廣泛使用（如雜質(zhì)磷的摻雜）。固態(tài)源擴(kuò)散、硅片與雜質(zhì)源交替放置于高溫?cái)U(kuò)散爐中，兩片硅片背面緊靠，正面向固態(tài)雜質(zhì)源，兩者大小相當(dāng)；、在高溫下氧化，硅片表面形成一層雜質(zhì)氧化物薄膜；、以雜質(zhì)氧化物為雜質(zhì)源，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下向硅中擴(kuò)散。（如雜質(zhì)硼的擴(kuò)散）。

半導(dǎo)體光電材料與器件（見復(fù)?。┳鲌D說(shuō)明半導(dǎo)體同質(zhì)結(jié)，單異質(zhì)結(jié)，雙異質(zhì)結(jié)以及量子阱激光器能帶結(jié)構(gòu)，工作原理，性能特征幾種光電探測(cè)器（ 型）的工作原理，性能特征與的定義；非線性光學(xué)效應(yīng)定義；自發(fā)輻射，受激輻射，粒子數(shù)反轉(zhuǎn)光反射效應(yīng)，光電導(dǎo)效應(yīng)，光伏效應(yīng)，光熱效應(yīng)回顧半導(dǎo)體激光器的發(fā)展歷史?人們?cè)谠O(shè)計(jì)上都采用了那些不同結(jié)構(gòu)措施來(lái)提高的性能？這些措施為什么對(duì)性能的提高有利？闡述通信波段用 與 （放大器）組成的單片集成光接收機(jī)結(jié)構(gòu)的工作原理。闡述激光打印機(jī)的工作原理。以金屬和型半導(dǎo)體接觸為例，畫出其平衡勢(shì)壘圖并推導(dǎo)正向電壓下的電壓一電流特性。光纖通信材料（見復(fù)?。金D光纖放大器（ ）各主要組成部分的功能， 餌離子能級(jí)示意圖以及 的應(yīng)用等光纖傳輸中常用三種單模光纖：無(wú)色散偏移單模光纖（ ）色散偏移單模光纖（）非零色散偏移單模光纖（ ）的性能特征及其應(yīng)用范圍漸變光纖與階躍光纖數(shù)值孔徑，歸一化頻率定義及其物理意義，群時(shí)延定義子午光線，斜射光線，自聚焦效應(yīng)光纖色散：材料色散，模式色散，波導(dǎo)色散弄清石英光纖的制備工藝過(guò)程，并闡述降低其損耗的一些有效措施。光纖制備過(guò)程（）原料提純、熔煉預(yù)制棒、拉絲涂覆降低損耗措施本征損耗、非本征損耗、附加損耗本征吸收］紅外吸收Si本征吸收］紅外吸收Si—O鍵卄—打-瑞利散射正比于波長(zhǎng)四次幕的倒數(shù)散射吸收｛非線性散射L雜質(zhì)吸收OH-,過(guò)渡金屬離子Cu、Fe、Co、Cr、Mn光纖損耗,非本征損耗光纖波導(dǎo)結(jié)構(gòu)不完善引起的損耗附加損耗'彎曲損耗附加損耗'彎曲損耗，接續(xù)損耗研究非氧化物玻璃，減少紅外吸收；改進(jìn)制造工藝，減少光纖組成結(jié)構(gòu)的變化，采用較長(zhǎng)工作波長(zhǎng)，減少瑞利散射。采用氣相沉積，對(duì)原料進(jìn)一步提純；在制造石英玻璃光纖時(shí)，通入氯化亞硫酞?dú)?，或用氛?lái)置換玻璃中的氫，都會(huì)使的吸收損耗大幅度下降。在制作預(yù)制棒和拉絲過(guò)程中，控制溫度、速度、流量，減少芯層界面的不完整性和芯徑的不均勻性，可減小非本征損耗。在設(shè)計(jì)敷設(shè)光纜時(shí)，盡量減小彎曲，使大彎曲損耗減小到可忽略程度。減小微彎損耗的一種方法是在光纖表面模壓一個(gè)可壓縮的護(hù)套，可減小側(cè)壓，保持光纖相對(duì)直的狀態(tài)。接續(xù)時(shí)必須做到：切割后的光纖端面

要與光纖軸線垂直，且光滑平整；接續(xù)的根光纖必須在同一軸線上不能錯(cuò)位端面盡量貼近其纖徑；選用優(yōu)質(zhì)接頭。請(qǐng)簡(jiǎn)述的基本結(jié)構(gòu)和工作原理。（）基本結(jié)構(gòu)：輸入信號(hào)輸入信號(hào) 一=三二光隔離器光隔離器波分復(fù)用器波分復(fù)用器熔接輸出信號(hào)輸入信號(hào)輸入信號(hào) 一=三二光隔離器光隔離器波分復(fù)用器波分復(fù)用器熔接輸出信號(hào)熔接輸出信號(hào)?—?光隔離器1.27eVE1.27eVE3 980nm0.80eV980nm泵浦光1550nm存工作原理:00.80eV980nm泵浦光1550nm存工作原理:0鉺離子能級(jí)圖E2Ei1530nm放大后

的信號(hào)光1550nm在摻鉺離子的能級(jí)圖中，是基態(tài)， 是中間能級(jí)，代表激發(fā)態(tài)。若泵浦光的光子能量等于 與之差，鉺離子吸收泵浦光后，從升至E但是激活態(tài)是不穩(wěn)定的，激發(fā)到 的鉺離子很快返回到。若信號(hào)光的光子能量等于 和 之差，則當(dāng)處于 的鉺離子返回時(shí)則產(chǎn)生信號(hào)光子，這就是受激發(fā)射，結(jié)果使信號(hào)光得到放大。信息顯示材料及其相關(guān)技術(shù)激晶單元中各主要部分功能，并簡(jiǎn)述 的工作原理定義及其特征液晶向列型，近晶型和膽型的定義及結(jié)構(gòu)特征電光效應(yīng)，介電常數(shù)各向異性，雙折射率，主軸發(fā)光效率，對(duì)比率，分辨率激晶單元中各主要部分功能并簡(jiǎn)述 的工作原理（ ）定義及其特征的簡(jiǎn)稱，即扭曲向列型液晶顯示。特點(diǎn)是液晶分子基本平行于基板排列，但上下液晶分子取向呈扭曲排列，整體扭曲角為°。是 的簡(jiǎn)稱，即超扭曲向列相液晶顯示。它與 的結(jié)構(gòu)相似，不同的是其扭曲角不是°，而是在°? °之間，其工作原理也與 不同。是 的簡(jiǎn)稱，即高扭曲向列相液晶顯示。與 和的結(jié)構(gòu)相似，只不過(guò) 的扭曲角在 °? °之間，其性能也介于 和 之間。是 的簡(jiǎn)稱，這里是指補(bǔ)償膜或延遲膜，所以 稱為補(bǔ)償膜超扭曲向列相液晶顯示。通過(guò)一層特殊處理的補(bǔ)償膜，能夠克服 有背景色的缺點(diǎn)，所以也稱 為黑白模式的 。電光效應(yīng)，介電常數(shù)各向異性，雙折射率，主軸電光效應(yīng)：在液晶上施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子在外電場(chǎng)中被極化，分子取向沿外電場(chǎng)發(fā)生變化，液晶分子取向結(jié)構(gòu)的變化導(dǎo)致其光學(xué)特性也隨之變化的現(xiàn)象稱為電光效應(yīng)。介電常數(shù)各向異性：△￡=￡〃一￡丄其中，￡〃為平行于長(zhǎng)軸方向的介電常數(shù)，￡丄為垂直于長(zhǎng)軸方向的介電常數(shù)。折射率各向異性（雙折射率），液晶分子長(zhǎng)軸方向折射率大于垂直于長(zhǎng)軸方向的折射率。折射率各向異性:△ 〃 丄。主軸：在這個(gè)方向上不發(fā)生雙折射現(xiàn)象，則該方向?yàn)橹鬏S。對(duì)于列向型和近晶型液晶而言，長(zhǎng)軸指向矢即為其主軸方向。液晶向列型，近晶型和膽型的定義及結(jié)構(gòu)特征（見 0向列型：分子長(zhǎng)軸平行重心無(wú)序，分子可自由流動(dòng)，在空間排列成線狀。特點(diǎn)：流動(dòng)性最大。近晶型：二維有序，分子排列成層狀，層厚約，層內(nèi)分子長(zhǎng)軸彼此平行，重心位于同一平面，同層分子間距沒(méi)有規(guī)則，分子層間相互堆砌。特點(diǎn)：分子只能在層內(nèi)作上下、左右運(yùn)動(dòng)，不能作層間運(yùn)動(dòng)，粘度和表面張力較大。膽甾型：分子排列成層，每層分子長(zhǎng)軸方向平行，平行于層面，每層長(zhǎng)軸方向轉(zhuǎn)動(dòng)，多層扭轉(zhuǎn)成螺旋形，螺距3與可見光波長(zhǎng)相當(dāng)。發(fā)光效率，對(duì)比率，分辨率百度百科發(fā)光效率發(fā)光體把受激發(fā)時(shí)吸收的能量轉(zhuǎn)換為光能的能力分辨率：就是屏幕圖像的精密度，是指顯示器所能顯示的像素的多少。6高密度信息存儲(chǔ)材料不同矯頑力型，偏置型以及顆粒合金巨磁電阻膜自旋閥結(jié)構(gòu)巨磁阻磁頭的結(jié)構(gòu)及其工作原理磁阻效應(yīng)，自旋閥巨磁阻效應(yīng)超頻磁效應(yīng)，退磁場(chǎng)效應(yīng)水平磁記錄，垂直磁記錄以及熱輔助磁記錄技術(shù)的定義，特點(diǎn)；順磁性，抗磁性以及鐵磁性的定義性能特征,鐵磁質(zhì)的分類不同矯頑力型，偏置型以及顆粒合金巨磁電阻膜自旋閥結(jié)構(gòu)巨磁阻磁頭的結(jié)構(gòu)及其工作原理磁阻效應(yīng)，自旋閥巨磁阻效應(yīng)磁阻效應(yīng)是指，當(dāng)磁性材料處于一個(gè)外部磁場(chǎng)中時(shí)，如果磁場(chǎng)的方向和磁性材料中電流的方向不平行，那么該磁性材料的電阻會(huì)隨著施加于它的磁場(chǎng)的強(qiáng)度而變化。自旋閥巨磁阻效應(yīng)：自旋閥的電阻取決于兩鐵磁層磁矩自旋的相對(duì)取向，鐵磁性材料的電阻在磁場(chǎng)中增大的現(xiàn)象。電阻率P變化的大小，與通過(guò)它的電流方向和所加磁場(chǎng)的方向磁化方向有角度依賴關(guān)系。當(dāng)電流方向與磁化方向平行時(shí)Ap最小，垂直時(shí)Ap最大。水平磁記錄，垂直磁記錄以及熱輔助磁記錄技術(shù)的定義，特點(diǎn)水平磁記錄：磁化方向平行記錄介質(zhì)的運(yùn)動(dòng)方向特點(diǎn)：會(huì)產(chǎn)生超順磁效應(yīng)垂直磁記錄：磁化方向垂直記錄介質(zhì)的