半導體分立器件和集成電路裝調工技能測試題庫及答案工種：半導體分立器件和集成電路裝調工等級：中級時間：120分鐘滿分：100分---一、單選題（每題1分，共20分）1.晶體管的三個工作區(qū)分別是（）。A.飽和區(qū)、截止區(qū)、放大區(qū)B.飽和區(qū)、放大區(qū)、振蕩區(qū)C.截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)D.截止區(qū)、振蕩區(qū)、放大區(qū)2.測量二極管正向導通壓降時，應使用（）。A.萬用表的電阻檔B.萬用表的電壓檔C.示波器D.毫安表3.穩(wěn)壓二極管在電路中主要起到的作用是（）。A.整流B.穩(wěn)壓C.放大D.開關4.晶體管放大電路的靜態(tài)工作點是指（）。A.輸入信號為零時的基極電流B.輸出信號為零時的集電極電流C.輸入信號最大時的基極電流D.輸出信號最大時的集電極電流5.集成電路的封裝形式中，哪一種適用于高頻率應用？（）A.陶瓷封裝B.塑料封裝C.金屬封裝D.貼片封裝6.TTL集成電路的電源電壓通常是（）。A.5VB.12VC.24VD.36V7.CMOS集成電路的輸入阻抗特點是（）。A.低阻抗B.高阻抗C.中阻抗D.變化較大8.在電路調試中，發(fā)現(xiàn)晶體管集電極電流過大，可能的原因是（）。A.基極偏置電阻過大B.基極偏置電阻過小C.集電極負載電阻過大D.集電極負載電阻過小9.集成運放的開環(huán)增益通常是指（）。A.輸入電壓與輸出電壓的比值B.輸出電壓與輸入電壓的比值C.輸入電流與輸出電流的比值D.輸出電流與輸入電流的比值10.在數(shù)字電路中，三態(tài)門的主要作用是（）。A.放大信號B.隔離信號C.穩(wěn)定信號D.調制信號11.晶體管的電流放大系數(shù)β通常在（）。A.10~20B.20~200C.200~500D.500~100012.測量三極管好壞時，應使用（）。A.萬用表的電阻檔B.萬用表的電壓檔C.示波器D.毫安表13.集成電路的引腳排列通常遵循（）。A.ISO標準B.JEDEC標準C.IEC標準D.IEEE標準14.在電路設計中，濾波器的主要作用是（）。A.增強信號B.抑制噪聲C.調制信號D.隔離信號15.晶體管的反向飽和電流特點是（）。A.隨溫度升高而增大B.隨溫度升高而減小C.與溫度無關D.突變16.集成電路的功耗通常用（）。A.電壓乘以電流B.電壓除以電流C.電流的平方乘以電阻D.電阻除以電流17.在電路調試中，發(fā)現(xiàn)集成電路發(fā)熱嚴重，可能的原因是（）。A.電源電壓過高B.輸入信號過大C.集成電路損壞D.散熱不良18.晶體管的極性通常用（）。A.E、B、CB.P、N、AC.S、N、PD.K、L、M19.集成電路的可靠性通常用（）。A.壽命測試B.電流測試C.電壓測試D.溫度測試20.在電路設計中，接地線的作用是（）。A.傳遞信號B.提供參考電位C.隔離噪聲D.增強信號---二、多選題（每題2分，共20分）1.晶體管放大電路的偏置方式包括（）。A.固定偏置B.分壓偏置C.發(fā)射極偏置D.自偏置2.集成電路的常見故障包括（）。A.引腳斷裂B.內部短路C.功耗過大D.靜電損壞3.測量二極管好壞時，應（）。A.用萬用表電阻檔正向測量B.用萬用表電阻檔反向測量C.用示波器觀察波形D.用毫安表測量電流4.集成電路的封裝形式包括（）。A.陶瓷封裝B.塑料封裝C.金屬封裝D.貼片封裝5.TTL集成電路的特點包括（）。A.輸出高電平為5VB.輸出低電平為0VC.輸入阻抗高D.輸出阻抗低6.CMOS集成電路的特點包括（）。A.輸入阻抗高B.功耗低C.速度慢D.抗干擾能力強7.晶體管放大電路的失真包括（）。A.線性失真B.飽和失真C.截止失真D.頻率失真8.集成運放的主要參數(shù)包括（）。A.開環(huán)增益B.輸入失調電壓C.輸出阻抗D.共模抑制比9.數(shù)字電路中，邏輯門包括（）。A.與門B.或門C.非門D.三態(tài)門10.電路調試中常用的工具包括（）。A.萬用表B.示波器C.信號發(fā)生器D.烙鐵---三、判斷題（每題1分，共10分）1.晶體管的放大作用是指電流的放大。（）2.穩(wěn)壓二極管在反向擊穿時，電壓基本不變。（）3.集成電路的引腳排列通常在封裝上標注。（）4.TTL集成電路的輸入阻抗較低。（）5.CMOS集成電路的功耗較高。（）6.晶體管的靜態(tài)工作點是指輸入信號為零時的狀態(tài)。（）7.集成運放的開環(huán)增益越高越好。（）8.數(shù)字電路中，三態(tài)門可以用于信號隔離。（）9.電路調試中，發(fā)現(xiàn)晶體管集電極電流過大，應立即斷電檢查。（）10.接地線可以用于傳遞信號。（）---四、簡答題（每題5分，共20分）1.簡述晶體管放大電路的偏置方式及其作用。2.簡述集成電路的封裝形式及其優(yōu)缺點。3.簡述TTL集成電路和CMOS集成電路的區(qū)別。4.簡述電路調試中常用的方法和步驟。---五、作圖題（10分）繪制一個簡單的共射極晶體管放大電路，并標注主要元件和參數(shù)。---六、計算題（10分）已知某晶體管的β=100，基極電流IB=20μA，求集電極電流IC和發(fā)射極電流IE。---答案及解析一、單選題1.A2.A3.B4.A5.A6.A7.B8.B9.B10.B11.B12.A13.B14.B15.A16.A17.A18.A19.A20.B二、多選題1.A、B、C、D2.A、B、C、D3.A、B4.A、B、C、D5.A、B、D6.A、B、D7.B、C、D8.A、B、C、D9.A、B、C、D10.A、B、C、D三、判斷題1.√2.√3.√4.√5.×6.√7.×8.√9.√10.×四、簡答題1.晶體管放大電路的偏置方式及其作用：-固定偏置：簡單易實現(xiàn)，但靜態(tài)工作點不穩(wěn)定。-分壓偏置：穩(wěn)定性好，常用。-發(fā)射極偏置：提高靜態(tài)工作點的穩(wěn)定性。-自偏置：簡單，但穩(wěn)定性較差。2.集成電路的封裝形式及其優(yōu)缺點：-陶瓷封裝：絕緣性好，高頻特性好，但成本高。-塑料封裝：成本低，但高頻特性較差。-金屬封裝：散熱性好，但成本高。-貼片封裝：體積小，適合高頻應用，但焊接要求高。3.TTL集成電路和CMOS集成電路的區(qū)別：-TTL：輸入阻抗低，功耗高，速度較快。-CMOS：輸入阻抗高，功耗低，速度較慢，抗干擾能力強。4.電路調試中常用的方法和步驟：-觀察法：觀察電路現(xiàn)象，判斷故障部位。-測量法：使用萬用表、示波器等工具測量關鍵參數(shù)。-替換法：替換可疑元件，確認故障。-逐步排查法：從電源到輸出，逐步排查。五、作圖題（略，請