半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)培訓(xùn)課件匯報(bào)人：XX目錄01半導(dǎo)體概述02半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)03半導(dǎo)體器件原理05半導(dǎo)體材料特性06半導(dǎo)體行業(yè)趨勢(shì)04半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體概述01半導(dǎo)體的定義核心特性具有可控導(dǎo)電性，是電子器件的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體概念導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體間的材料。0102半導(dǎo)體的分類(lèi)二極管、晶體管、集成電路等按功能分硅半導(dǎo)體、鍺半導(dǎo)體等按材料分半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域用于集成電路、晶體管及光通信。電子通信太陽(yáng)能電池、LED照明及醫(yī)療設(shè)備廣泛應(yīng)用。能源醫(yī)療半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)02能帶理論原子能級(jí)重疊形成連續(xù)能帶能帶形成價(jià)帶、導(dǎo)帶與禁帶劃分能帶類(lèi)型決定材料導(dǎo)電等性質(zhì)能帶影響載流子濃度定義與重要性載流子濃度指單位體積內(nèi)自由電子或空穴數(shù)量，影響半導(dǎo)體電導(dǎo)率。計(jì)算方法通過(guò)公式計(jì)算電子或空穴濃度，涉及導(dǎo)帶、價(jià)帶、費(fèi)米能級(jí)等參數(shù)。本征半導(dǎo)體與摻雜加入雜質(zhì)原子，提高導(dǎo)電性，形成N型或P型半導(dǎo)體。摻雜半導(dǎo)體純凈無(wú)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能較弱。本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件原理03二極管的工作原理將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，只允許電流單向通過(guò)。整流作用從調(diào)制信號(hào)中檢出調(diào)制信號(hào)的過(guò)程，廣泛應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)電接收。檢波功能晶體管的結(jié)構(gòu)與功能由發(fā)射極、基極、集電極構(gòu)成，控制電流實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大。基本結(jié)構(gòu)通過(guò)基極電流控制集電極電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大與開(kāi)關(guān)功能。工作原理場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)通過(guò)電場(chǎng)控制導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)電流調(diào)制。工作原理包括N溝道、P溝道及增強(qiáng)型、耗盡型等多種類(lèi)型。類(lèi)型介紹半導(dǎo)體制造工藝04硅片制備將石英礦石提純，轉(zhuǎn)化為高純度多晶硅。原材料提純采用直拉法或區(qū)熔法，從多晶硅生長(zhǎng)出單晶硅。單晶硅生長(zhǎng)光刻技術(shù)在硅片上形成精細(xì)電路DUV、EUV及電子束直寫(xiě)核心工藝作用主要曝光方法離子注入與擴(kuò)散離子注入精準(zhǔn)控制摻雜熱擴(kuò)散法高溫遷移雜質(zhì)半導(dǎo)體材料特性05常見(jiàn)半導(dǎo)體材料穩(wěn)定性好，成本低，應(yīng)用廣泛。硅材料高溫穩(wěn)定性，高頻特性，用于高功率、高頻率器件。碳化硅高電子遷移率，適用于高效率LED和高功率器件。氮化鎵010203材料的電學(xué)特性01導(dǎo)電性半導(dǎo)體導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體間，受外界條件影響。02熱敏性導(dǎo)電性隨溫度變化，溫度升高導(dǎo)電性增強(qiáng)。03光敏性受光照時(shí)導(dǎo)電性增強(qiáng)，用于光電探測(cè)器等領(lǐng)域。材料的熱學(xué)特性溫度升高，載流子增多，導(dǎo)電性增強(qiáng)。熱敏性01本征半導(dǎo)體電阻率隨溫升而降低，雜質(zhì)半導(dǎo)體則更復(fù)雜。溫度對(duì)電阻影響02半導(dǎo)體行業(yè)趨勢(shì)06技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)通過(guò)垂直堆疊提高性能，領(lǐng)先制造商正大力投資。3D芯片架構(gòu)石墨烯、氮化鎵等新材料，突破傳統(tǒng)硅基限制。新材料探索市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)態(tài)2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模預(yù)計(jì)增至6972億美元。市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)2025上半年，半導(dǎo)體企業(yè)IPO活躍，科創(chuàng)板領(lǐng)跑，A股港股雙線(xiàn)開(kāi)花。IPO活躍未來(lái)挑戰(zhàn)與機(jī)遇01技術(shù)突破難題制程進(jìn)步艱難，需探索新技術(shù)如量子計(jì)算、光子芯片。02國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)加劇中美半導(dǎo)