第十二講分子的雜化與構(gòu)型一、等電子體：___________和___________相同，性質(zhì)相似【書寫方法】拆原子法：___________換元素-___________補電荷例：CO2的等電子體：練： 與互為等電子體的分子___________練：二、雜化軌道與VSEPR理論1、易錯概念辨析價電子對（分叉）：成鍵電子對+孤電子對（價電子對數(shù)=分叉數(shù)=孤對數(shù)+σ鍵數(shù)）價電子對互斥（VSEPR）理論：（人話版）中心原子價電子對間存在_____________，導(dǎo)致其空間構(gòu)型（空間取向）發(fā)生改變，趨向彼此遠離。（盡可能采取對稱結(jié)構(gòu)）；每一對價電子對（分叉，只看σ鍵）都可看作___________個空間取向。雜化軌道理論：（人話版）在外界條件影響下，原子內(nèi)部能量相近的原子軌道重新組合生成新的原子軌道；有幾個原子軌道參與雜化，就生成幾個雜化軌道。2、判斷價電子對數(shù)（分叉數(shù)）的方法分叉（VSEPR）——雜化——對——構(gòu)型（1）教材方法（了解即可）a：中心原子的價電子數(shù)；b：所連原子最多能接受的電子數(shù)；x：所連原子數(shù)（離子加減電荷）（2）ABn型：配體特征數(shù)法配體特征數(shù)=2-最多能接受電子數(shù)，單電子當(dāng)一對H、Cl、F、Br、I、-OH、-NH2O、SN分叉數(shù)=_________________________孤對數(shù)=例：問雜化。先______________除以2________，為孤對空間結(jié)構(gòu)骨架練：2min內(nèi)填滿表格物質(zhì)CO雜化VSEPR構(gòu)型分子構(gòu)型小結(jié)：雜化與構(gòu)型雜化VSPER構(gòu)型模型構(gòu)型實例sAB2直線形CO2、CS2sp2AB3平面三角形SO3、BF3AB2EV形SO2Sp3AB4正四面體形CH4、CCl4、、AB3E三角錐形NH3、PCl3、AB2E2V形H2O、OF2、練：COCl2和SOCl2的構(gòu)型是否相同？（3）非ABn型——看共價鍵類型，雙鍵當(dāng)“滿鍵”配體特征致：單鍵_________，雙鍵________，三鍵________例：S2C12S的雜化方式___________C原子的雜化方式_________【總結(jié)】熟練掌握后可通過構(gòu)型反推1個三鍵：直線sp2個雙鍵：直線sp1個雙鍵：平面sp21個單鍵：立體sp3【補：橋鍵】原子兩邊均為_________，且為V形：立體sp3例：CH3OCH3中O原子的雜化方式例：（2021·山東）關(guān)于CH3OH、N2H4和(CH3)2NNH2的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，下列說法錯誤的是（）A.CH3OH為極性分子B.N2H4空間結(jié)構(gòu)為平面形C.N2H4的沸點高于(CH3)2NNH2D.CH3OH和(CH3)2NNH2中C、O、N雜化方式均相同練：（2021·山東）Xe是第五周期的稀有氣體元素，與F形成的XeF2室溫下易升華。XeF2中心原子的價層電子對數(shù)為___________，下列對XeF2中心原子雜化方式推斷合理的是_________（填標(biāo)號）。A.sp B.sp2 C.sp3 D.sp3d練：（2021·湖南）SiCl4與N-甲基咪唑（）反應(yīng)可以得到M2+，其結(jié)構(gòu)如圖所示：N-甲基咪唑分子中碳原子的雜化軌道類型為____________，H、C、N的電負性由大到小的順序為___________，1個M2+中含有___________個σ鍵：【總結(jié)】雜化方式判斷1、配體特征數(shù)法2、構(gòu)型反推法3、模型記憶法練：（2021甲卷）太陽能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅。Si的價電子層的電子排布式為___________；單晶硅的晶體類型為__________。SiCl4是生成高純硅的前驅(qū)體，其中Si采取的雜化類型為__________。SiCl4可發(fā)生水解反應(yīng)，機理如下：含s、p、d軌道的雜化類型有：①dsp2、②sp3d、③sp3d2，中間體SiCl4(H2O)中Si采取的雜化類型為______________（填標(biāo)號）。小結(jié)：高中常見d軌道雜化構(gòu)型雜化VSPER構(gòu)型模型構(gòu)型實例sp3dAB5三角雙錐PCl5AB4E四面體SCl4AB3E2T形ClF3AB2E3直線形sp3d2AB6正八面體SF6AB5E四方錐IF5AB5E2平面四方XeF43、分子中鍵角比大小（1）比雜化方式：CH4、C2H4、C2H2：（2）比孤對電子數(shù)：（電子對間斥力：____________>____________>____________）CH4、NH3、H2O孤對電子數(shù)（3）【補：同孤對比鍵角】H2O________H2SNH3_______PH3NH3_______NF3電負性_________，且原子半徑_________，中心原子電子云密度_________，形成的共用電子對間_________，故……小結(jié)：鍵角三部曲問鍵角，比________；同雜化，________；同孤對，比中心原子________密度—________電子對間斥力例：（2021·湖北）下列關(guān)于N、P及其化合物的說法錯誤的是（）A.N的電負性比P的大，可推斷NCl3分子的極性比PCl3的大B.N于N的π鍵比P與P的強，可推斷的穩(wěn)定性比的高C.NH3的成鍵電子對間排斥力較大?？赏茢郚H3的鍵角比PH3的大D.HNO3的分子間作用力較小，可推斷HNO3的熔點比H3PO4的低練：（2021乙卷）中配體分子NH3、H2O以及分子PH3的空間結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的鍵角如圖所示。PH3中P的雜化類型是__________。NH3的沸點比PH3的__________，原因是_________。H2O的鍵角小于NH3的，分析原因____________________________________。三、（無限長）片段的簡化處理例：V2O5溶解在NaOH溶液中，可得到釩酸鈉（Na3VO4），該鹽陰離子的立體構(gòu)型為___________；也可以得到偏釩酸鈉，其陰離子呈如圖所示的無限鏈狀結(jié)構(gòu)，則偏釩酸鈉的化學(xué)式為__________。練：在硼酸鹽中，陰離子有鏈狀、環(huán)狀等多種結(jié)構(gòu)形式。圖（a）是一種無限長鏈狀結(jié)構(gòu)的多硼酸根，則多硼酸根離子符號為___________。圖（b）是硼砂晶體中陰離子的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中硼原子采取的雜化類型為___________。練：在硅酸鹽中，四面體（如下圖a）通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式，圖b為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為___________。Si與O的原子數(shù)之比為Si___________。【改編】硅酸鹽中，四面體（如下圖a）可以通過共用頂角氧離子形成無限長雙鏈結(jié)構(gòu)（如下圖b）。則該無限長雙鏈結(jié)構(gòu)的化學(xué)式為___________。練：已知BeCl2可以通過配位鍵形成無限長鏈多聚體，請畫出該多聚體的結(jié)構(gòu)。例：（2019國三）NH4H2PO4和LiFePO4屬于簡單磷酸鹽，而直鏈的多磷酸鹽則是一種復(fù)雜磷