PHOTOEQ新暹同仁教育剃|幺束教材

程名耦:TrackConfiguration及功能^介

欲逢之目襟:期使新謹(jǐn)同仁熟悉了解TrackConfiguration及功能

撰癮者:白昆明最彳芟修tf者：版本:1.0編虢:T?1

內(nèi)容:

TRACKS臺(tái)在黃光國最主要功能是符WAFER（晶片）作光阻覆/以倩STEPPER做型拗

曝光.接著揩已曝光彳發(fā)之WAFER予以DEVELOPERS影，使圜型能完全定羲

出.

TELMARK7,MARK8:

TEL之TRACK械臺(tái)在黃光國可分^甬槿型式,MK?8,MK?7雨槿，主要差昇在MK-8

上有加裝FILTER蟠濾器）,所以各（^CONTROLLER（控制器）可放在檄臺(tái)上方以^省空

限至於MK-7檄臺(tái)上方^^放式空置所以各彳固CONTROLLER（控制器）需放在檄臺(tái)下方.

INLINE輿OFFLINE:

黃光TRACK檄臺(tái)又依是否和STEPPER遛泉，可分IN-LINE及OFF-LINE雨

稹OFF-LINE又可再分COATER（光阻覆翻顆DEVELOPER例影陶,ADIREWORK

SCRUBBER（工程用刷洗拗，及POLYIMIDE（聚乙醯^）.IN-LINE基本上可看成COATER

典DEVELOPER合彳并.

主械依功能IS分：

IN-LINETRACK可分CARRIERSTATION,PROCESSSTATION,INTERFACE

STATION三部份.

OFFLINETRACK可分CARRIERSTATION,PROCESSSTATION雨部份.

CARRIERSTATION:收放WAFER用.言十有四A3STAGE可下材料，及一名且

CARRIERSTATIONARM用以停送晶片.

PROCESSSTATIONS.INLINE可分COATERUNIT（冷熱

板,HMDS,COATER陷阱槽,MAINARM）.DEVELOPERUNIT（冷級(jí),DEVELOPER陷阱

槽,WEEiSig曝光,MAINRMM）.

2.OFFLINECOATER只有冷熱板,HMDS,COATER陷阱

槽,MAINARM.OFFLINEDEVELOPER只有冷黑板,DEVELOPER陷阱槽,MAIN

ARM.POLYIMIDE有冷熱板,PICOATER,PIDEVELOPER,MAINARM.SCRUBBER有

冷熱板，反傅橫，晶背刷洗（噫洗），正面刷洗（超音波震謾）,MAINARM.

INTERFACESTATION:^TRACK典STEPPER之，『面,可分:冷板,BUFFER

STAGE圈存國INTERFACEARM.

RAP附匾1殳施：

INLINE:CHEMICALBOX（EBR及DEVELOPER自勤供Jg系統(tǒng)），

TEMPERATURE/HUMIDITYCONTROLLER（溫混度控制J器）,MULTICONTROLLER（冷

板,CIRCULATOR控溫）TRANSFORMER（燮屋器）.

OFFLINECOATER:CHEMICALBOX（EBR自勤供鷹系統(tǒng)）,

TEMPERATURE/HUMIDITYCONTROLLER（溫漏度控

制器）,MULTICONTROLLER（冷板,CIRCULATOR控溫）,TRANSFORMER（燮屢器）.

OFFLINEDEVELOPER:HEMICALBOX（DEVELOPER自勤供鷹系

統(tǒng)）,MULTICONTROLLER,令板,CIRCULATOR控溫）,TRANSFORMER（燮Jg器）.

ADIREWORKSCRUBBER:MULTICONTROLLER,（冷板,CIRCULATOR

控制，TRANSFORMER（凝器）.至於CHEMICALBOX

即M并在檄臺(tái)尾.

POLYIMIDE:只有TRANSFORMER（燮屢器）.至於CHEMICALBOX知M并在

械臺(tái)尾）各UNIT之黜部國分：

CARRIERSTATION畫再C/S）:

1.謾濾器：謾濾PARTICLE.

2.POWERSWITCH,WEESWITCH:械臺(tái)甯源|^后機(jī)遇遏曝光甯源朗居隊(duì)

3.RESISTAIRVENTOPERATIONPANEL（光阻打F氧泡操作面板）：

MODE:可逗OFF,MANUAL,AUTO.

A.在OFFMODE畤可依逗定管路手殳定排氧泡畤^.由UPDOWN

^定.一般得殳10秒.

B.在MANUALMODE日寺，可依逗定管路直接JESTART維作排氧泡,

不受^定排氧泡畤^影警,若手不一直屋START筵刖結(jié)束排氟泡勤作.

C.在AUTOMODE日寺,按一次START維畤，可依逗定管路依^定畤

排氧泡.按STOP維可立即停指排氧泡.

NOZZLESEL:可逗定要排氟泡之管路.可依COATER2?1或COATER

2-2MJ?RESIST1-1（光阻第一管第一瓶），RESIST2-1（光

阻第二管第一瓶）,RESIST3.（第三管光阻）.RESIST1-2（光阻第一管第二瓶），RESIST

2■（光阻第二管第二瓶）,RESIST3.（第三管光阻）.

STARTSTOP維：可軌行/停止料F氟泡.

4.STAGE1-1至IJ1-4可放四（0CASSETTE,有CASSETTESENSOR可值汛IJ是

否放CASSETTE.

5.CARRIERSTATIONARM:A.可Y,X,Z三方向移勤.

B.MAPPINGSENSOR可便冽［CASSETTE內(nèi)

WAFER位置,捕瞄畤MAPPINGSENSOR可

伸出,結(jié)束峙收回.

C.WAFERSENSOR可削WAFER是否存在.

D.陶磁PINCETTE迤出CASSETTE內(nèi)以便撈取

或存放WAFER.^非真空式吸取，可降低PARTICLE.

E.陶磁PINCETTE部份接斶晶背，降低

PARTICLE.

F.四堡PIN可上下以利停送WAFER.

6.WAFEREXTRUDESENSOR:可值哪/VAFER是否突出CASSETTE.可

偵測陶磁PINCETTE是否正硅停送及接收WAFER.

7.EMOSWITCH:繁急停止維.

8.CARRIERSTAGESWITCH:可START及STOPCASSETTE的慮理.放

CASSETTE日寺,CARRIER亮燎,STANDBY^燎.接著STANDBY亮燎日寺，MAPPING

SENSOR^始重力作.等MAPPINGS吉束彳爰,RUNNING亮燎.STANDBY熄燎.整他作完

日寺,RUNNING熄燎,FINISHED亮燎.

9.ARMPOUSE:可暫停C/SARM的停送.

10.LED燧：供AGV定彳立用.

11.操作面板.稍接再介貂.

12.光阻瓶存放位置:可放四槿光阻，或三槿光阻及一槿ARC.光阻一可雨瓶自

勒切換，光阻二可雨瓶自重力切換.光阻三不可互換.

13.PI/O:PHOTOI/O供AGV輿TRACKCOMMUNICATION用.

14.指示燎

COATERUNIT曾介：

1.璟境控制：由溫漏度控制器控制溫度23度C,漏度45%,凰速0.3米/秒的空

氟耀謾濾氟予以謾漏各有溫舞十漏度"凰速料可俱洌I其值.已^謾二^RAP流顯度控制

器控制之空氟由醇管接至械臺(tái)，再^由手勤DAMPER可控制其凰速大小系蜃遇渡氟謾濾

PARTICLE接到陷阱槽上方.璟境之溫度，漏度,凰速均曾影警光阻膜厚大小.

2.EBR:清起晶邃使用溶剜OK82.由ARM2移到晶遏位置再依程式內(nèi)^定作

晶遏清洗.一般條勺2M

3.BACKRINSE1.BACKRINSE2:用以清洗晶背.使用溶剜OK82,防止晶

背PARTICLE.

4.SPINCHUCK:利用真空以吸住晶片，避免晶片在旋穗中掉片.清槽大接斶

面小可減少晶背PARTICLE.

5.陷阱糟：防止晶片在高速旋率朝寺揭起PARTICLE^真有抽凰）.

6.禹連：帶勤CHUCK旋樽.在禹連上方有FLANGE,有冷郤水循琪，可避免禹

蓬因高速旋穗崖生熟最^由焉逵心物僖至CHUCK再停至晶片,謹(jǐn)而影警光阻膜厚.

7.光阻管路:PR1,PR2,PR3.可依程式內(nèi)3殳定抓取指定之光阻管.有循琪水

可控制光阻溫度.光阻溫度不同曾影簪膜厚,一般名勺23-24度C.依程式內(nèi)光阻溫度^定不同

而改燮.故在不同程式內(nèi)可能因不同泡知殳定曾ALARM,但曾自勤升或降至鼓定溫度而畿

行.

8.ARM1：可依程式內(nèi)gg定抓取指定之光阻管，旋移到晶片正中心以利上光

阻.也可依程式內(nèi)言殳定位置之不同而定位在不同位置.

9.SOLVENTNOZZLE:利用RRC功能可降低光阻消耗量.ARM1W

NOZZLE移至晶片正中心，上OK8215漏晶片，接著再上光阻.

10.SOLVENTBATH:iftOK82在NOZZLETIP下方.崖生能和蒸氟可避免光

阻乾掉.曾伴隨光IaDUMMYDISPENSE的軌行作DISPENSE可防止DRAIN阻塞.

11.DRAIN:排光阻屢液至一液桶.

12.MASSFLOWCONTROLLER:在高架地板下方，用以控制旋穩(wěn)定抽凰.

一般控制^度懸50%.

13.SPINCUPEXHPRESSURE:用以簽洌I抽凰值的大小COATER一舟殳卷

4.0MMH20,可由手重力DAMPER^整大小.

14.EXHERRORRESETSW.:若靡獴系抽凰有昊常B寺可待系統(tǒng)恢彳復(fù)正常

彳爰按此維，此畤在陷阱槽內(nèi)之崖品需作修改.

15.SPINNERVAC:用以測真空值的大小，可防止因真空度不足畤，造成破片.

一般在650以上.

16.DUMMYDISPENSEPANEL:光阻于控制器.fg防光阻噴嘴乾掉，覲查

DISPENSE辨兄.

A.AUTOMODE:依DUMMYDISPENSER定H寺^^行JR喧（一封殳察勺30

分余童），或每批的第一片ram-.

B.OFFMODE:不軌行頸口意

C.PR：依琪在的程式內(nèi)^定管路及DISPENSE的^可孰行Jlift.

D.P1,P2,P3即光阻1,2,3管.

E.TIMER:DISPENSE次數(shù).。次輾法軟I行PR^ng,最多999次.

F.START,STOP:軌行/停止fa邕

G.MEASURE:噴量量源一般依RECIPE內(nèi)容軌行,以檢查噫量.

H.NOZZLEUP:定之Dg嘴予以升起以便椀查DISPENSE於兄.若生

濫羥品前作演官且忘舒特NOZZLEDOWNgIJMAINARM曾停在冷板前不勤作,且不曾

ALARM.

I.RECIPE燎表示有RECIPE.若瓢RECIPE同BgPR日寺輾法軌行御竟一

般逗PFU殳定001次,NOZZLEUP再按START秒桁?通喧檎查有輾氟泡，回吸辨兄.回吸高

度2MM有輾光阻殘留在噫嘴旁，噴嘴是否有撞歪，損｛算

17.ARMPOUSE維：暫停ARM之移勃.勿任意使用，尤其MAINARM在高速

再加寺，曾折ta皮帶.

18.SPINSTOP:強(qiáng)制停止晶片之旋穗，富晶片有殿重偏心旋醇H寺.可用此維

強(qiáng)制停止，可避免破片.但^晶片需作修改.

19.INTERLOCK:力有保18^跟若在生崖羥品中任意的故曾聚急停止潼品

需修改.

20.RESIST1,RESIST2AUTOCHANGEOPERATIONPANEL:光阻自

勤更凰E攆由指^可iSBOTTLE1,AUTO,BOTTLE2,一般逗在AUTO位置,以利自

勤更攙若只逗BOTTLE1或BOTTLE2表示只一直使用^瓶，而維法軌行自勤切攙L/E量

燎表示瓶光阻已用光，需更換.SUPPLY量燎表示正在使用^瓶光阻.

21.HMDSAUTOSUPPLYPANEL:

A.MODE可切換OFF,MANUAL,AUTO.一舟殳在AUTO可劾行自重力供鷹.

在MANUALMODE日寺，按SUPPLY可由HMDS瓶供BgHMDS至BUBBLINGTANK.按多久

可襁充多久看EMPTY或HMDSHIGH亮麒寺即不再神充.

B.DRAIN:強(qiáng)制揩HMDS由BUBBLINGTANK排至DRAINTANK.

C.STOP:可停止HMDS供J想

D.各指示燎及意羲.

HMDSSUPPLY:HMDS供愿中.

BUBBLING:正在作BUBBLING（冒泡）

BUBBLERHIGH:表液位已襁充至高鉆自勤停止HMDS襁充.

BUBBLERLOW:表液位已彳氐，須衲充HMDS.

LIQUIDEMPTY:CAPACITYSENSOR偵測至［BUFFERTANK已空,

需換HMDS新瓶.

OVERFLOW:表示DRAINTANKJi液已滿.

E.TIMER1:（AIRVENTTIME）表HMDSE供鷹至BUBBLINGTANK^吉

束彳爰需再排氟日寺

F.TIMER2:

22.AD2-3,2-7HMDSPRESSUREGAGE:HMDS瓶N2力口|gjg力，

0.5KG/CM2.

23.AD2-3,2-7HMDSBUBBLINGPRESSUREGAGE:BUBBLING瓶內(nèi)作

BUBBLING（冒泡）及DILUTION（稀釋用）N2J魅力，1KG/CM2.

24.流量號(hào)十:

EBR:10ML/MIN.

SOVLENTNOZZLE:一般卷OFF.(有RRC功能疇才使用).

BACKRINSE1,BACKRINSE2:50ML/MIN.

SOLVENTBATH:一般卷OFF.

2-3,2-7HMDSBUBBLING(N2):3NL/MIN.

2-3,2-7HMDSDILLUTION:4NL/MIN.

2-3,2-7HMDSVAPORLINE:7NL/MIN.

25:光阻管路：

光阻瓶-BUFFERTANK--PUMP--FILTER及回吸^整^

-NOZZLE.

BUFFERTANK:暫存光阻，避免氟包直接迤人管^中，造成MICRO

BUBBLE.裝有CAPACITYSENSOR可偵測光阻是否用光.上方有自勤排氟泡系統(tǒng)可方便

光阻瓶排氧泡.

PUMP:DISPENSED寺擲屋光阻至FILTER,回程日寺;將光阻瓶內(nèi)光阻吸出,

以借下次DISPENSE.可精硅控制噴量及噴速麻，居港g重力方式.

FILTER:遇濾光阻PARTICLE.有排氟泡R顯

昌及回吸^整礎(chǔ)腳寺可DISPENSE光阻，腳寺結(jié)束DISPENSE

速度可^整.回吸^整口哥可^整回吸速度及回吸高度.

NOZZLE：前端有溫度控制.

26:HMDS管路:

HMDS瓶一BUFFERTANK-FILTER-BUBBLINGTANK一流量含十

-HMDS熟板.

-BUFFERTANK:暫存HMDS,避免氟泡直接迤入管^中，造成MICRO

BUBBLE.裝有CAPACITYSENSOR可偵測HMDS是否用光.上方有手勤排籥包花喝可方便

排氧泡.

FILTER:?WHMDSPARTICLE.有手勤排氟泡樹可排氟泡.

BUBBLINGTANK:A.液位言十（浮球式）可知液位高低，密偵測到

BUBBLINGLOW日寺可自咖f充.

B.BUBBLING管：N2加）E在液位下方作冒泡以崖生

HMDS蒸氟

C.DILLUTION:N2稀^HMDS蒸寂震度.

D.HMDSSUPPLY:襁充HMDS到BUBBLINGTANK.

E.HMDSVAPOR:供凝MDS蒸氧至HMDS熱板.

DRAINTANK:容納HMDS）較液（由BUFFERTANK及FILTER排氧泡日寺

之鷹HMDS液.）有液位浮球SENSOR可偵測是否屢液滿.

27.EBR,BACKRINSE,SOLVENTBATH管路：

CSS-EBRPUMP—FILTER—流量含十一^信時(shí)身一NOZZLE.

CSS:CHEMICALSUPPLYSYSTEM:由摩矜提供之自勤供Bg系統(tǒng).

EBRPUMP:由RAP)ffOK82供jg至檄臺(tái).

FILTER:遇慚ARTICLE.

mm決定EBR,BACKRINSE等是否作清洗酬乍.

MAINARM麓介:COATER及DEVELOPER架橫相同

A.可X,Y,Z,TH四軸逋勤.

B.手臂有三集由上而下分別是ARM3,ARM1,ARM2.探用^取方式抓

或放晶片.非真空吸取方式.

C.ARM3懸由冷板抓晶片至COATER或DEVELOPER事用,可避免ARM

揩熱量停到冷晶片上，造成OATINGH寺膜候不均，或DEVELOPING8寺CD不德

D.ARM3輿ARM倜有徽籃隔隔可避免ARM1或ARM2之都的晶片揩熟

量停至ARM3的冷晶片上，造成COATING峙膜候不均，或DEVELOPING峙CD不穩(wěn).

E.MAINARM前端有SENSOR可俱冽JWAFER是否存在.用以檢查MAIN

ARM上的晶片，是否正硅送出正硅?；?

F.MAINARM俾送WAFER位置要非常精硅，否刖曾造成RBR清洗大小

遏，或在冷熱板上掉片，費(fèi)片.

DEVELOPERUNIT曾介：

1.璟境控制：受FAB激晟度控制溫度23度C再度40%盜通H氟予以造意

璟境之溫度，漏度，凰速溝曾影警CD大小,但燮化不大.

2.DIRINSE:由ARM2移到晶片正中心位置再依程式內(nèi)^定作頸泳或清洗.

3.BACKRINSE:用DI水清洗晶背，防止晶背PARTICLE及符滲到晶背的^

影液清洗乾浮.避免污染晶片,MAINARM及冷熱板.

4.SPINCHUCK:利用真空以吸住晶片，避免晶片在旋穗中掉片.清槽大接斶

面小可減少晶背PARTICLE.

5.陷阱糟：防止晶片在高速旋率朝寺揭起PARTICLE^真有抽凰）.

6.禹連：帶勤CHUCK旋樽.在禹連上方有FLANGE,有冷郤水循琪，可避免禹

蓬因高速旋穗崖生熟最^由焉逵心物僖至CHUCK再停至晶片，迤而影警CD.

7.E2NOZZLE:可同日寺由一百多彳固小孔噴在晶片上灌到均勻覆蓋目地有循

璟水可控制SH影液溫度影液溫度不同曾影簪CD.一般條勺23度C.^影液同畤由E2

NOZZLE麗端刖管禱充，由中央一管排氟泡.

8.E2NOZZLE:HOME位置有N2作密氟防止^影液晨日寺^下滴落，造成氟泡.

9.ARM1：可依程式內(nèi)容符E2NOZZLE移到晶片正中心以利上^影液.也可

依程式內(nèi)含殳定之不同而定位在不同位置.

10.DRAIN:排影液至矜屢水慮理.

11.SPINCUPEXHPRESSURE:用以盛洌I抽凰值的大小,DEVELOPER一

般卷7.0MMH20,可由手重力DAMPER^整大小.

12.EXHERRORRESETSW.:若靡謝系抽凰有昊常畤可待系統(tǒng)快彳復(fù)正常

接按此維，此畤在陷阱槽內(nèi)之崖品需作修改.

13.SPINNERVAC:用以洌J真空值的大小，可防止因真空度不足日寺，造成破片.

一般在650以上.

14.DUMMYDISPENSEPANEL:影液fg噴控制器.可防止噴嘴乾掉查

DISPENSE擾兄.

A.AUTOMODE:依DUMMYDISPENSER定日寺^^行覆噴（一般祭勺30

分^）,或每批的第一片mn>.

B.OFFMODE:不軌行

C.PR:依現(xiàn)在的程式內(nèi)^定DISPENSE的日寺置軌行道真

D.S1,S2即^影液1,2管,S3^RINSE管,S4未指定.

E.TIME:DISPENSER寺隊(duì)最多999秒.

F.START,STOP:軌行/停止JI噴

G.NOZZLEUP/DOWN:符E2NOZZLE予以升起以便檢查DISPENSE

狀況若生崖羥品前作fS真且忘言己招NOZZLEDOWNRIJMAINARM曾停在冷板前不勤作，

且不曾ALARM.

H.NOZZLEIN/OUT:E2NOZZLE曾移至IJCHUCK中心，且CHUCK曾下

降,CHUCK真空曾勤作.可利畫莆檢查E2NOZZLE典晶片^隙1.0MM.

I.RECIPE烯表示有RECIPE.若輾RECIPE即塘PRH寺輾法軌行E2

NOAZZLEfM真

J.AIRVENTSTOPSW:作fg要寺可同畤!將AIRVENTR期昌起不作排氟

泡.一般逗PR音殳定002秒,NOZZLEUP再按START軌行演盾.檢查有輾氟泡回吸狀況

影液是否正常而一致地廉狀噴出，且不曾打結(jié).若i8S1B寺W殳定之日寺^不要超出002秒，否袁

噴量曾不足，瓢法正常神充疑!影液，且噴的狀況曾很奇怪造成^判.

15.ARMPOUSE維：暫停ARM之移助.勿任意使用，尤其MAINARM在高速

建勤日寺,曾折損皮帶.

16.SPINSTOP:強(qiáng)制停止晶片之旋常晶片有殿重偏心旋申副寺.可用此維

強(qiáng)制停止，可避免破片.坦^晶片需作修改.

17.INTERLOCK:「鳥有保隨若在生崖崖品中任意^啟攵曾繁急停止建品

需修改.

18.COATERWINDVELOCITY:COATER陷阱槽凰速示器.

19.SUBTANKAUTOSUPPLYOPERATIONPANEL:可作SUBTANK^

影液衲充.

RESTS：富SUBTANK出現(xiàn)EMPTYB寺,可按此維再作SUPPLY的H式.

STOP徽停止.

SUPPLY燎：^示正在供名合狀熊.

FULL?:表示已襁充至滿的狀慝.

OVERFLOW:表示未在指定的^^內(nèi)神充滿i液位，或OVERFLOW

SENSOR勤作.

EMPTY:表示未禱充到滿的位置.

20.SUBTANKDRAINSW:勿使用.強(qiáng)制力n!EN2至SUBTANK以排^影液

至DRAIN.曾造成OVERFLOWSENSOR咖乍.

21.LEAKMONITORPANEL:用以指示漏;夜位置.一舟殳其LEAKSENSORIE

常，偵測到有漏畤穗懸缸色燎.

A.C/S亮燎表示CARRIERSTATION有漏光阻.

B.P/SHMDSCART亮燎HMDS有漏.

C.P/SCOATER1亮燎:2-1COATER陷阱槽有漏.

D.P/SCOATER2亮燎:2-2COATER陷阱槽有漏.

E.P/SDEV1亮燎:3-2DEVELOPER陷阱槽有漏.

F.P/SDEV2亮域3-3DEVELOPER陷阱槽有漏.

G.TEMPHUMIDCONT亮燎：二1#的溫晟度控制器有漏.

H.EXTERNALCABINET亮燎：二;?的CSS系統(tǒng)有漏.

22.流量升及屋力表：

A.E2NOZZLE:1.2L/MIN.^影液流量.

B.E2NOZZLEBLOW:20ML/MIN.吹N2防止^景鄉(xiāng)液滴落.

C.RINSENOZZLE:0.9L/MIN.DIRINSE.

D.BACKRINSE:100ML/MIN.晶背DI水清洗.

E.影液禱充至SUBTANK之屋力言十表：整曾改^^影液禱充速度.

F.E2NOZZLEBLOW屋力表：1.0KG/CM2.

G.RINSENOZZLEJ1力表:1.0KG/CM2.

H.BACKRINSEg^j^:1.0KG/CM2.

23.SUBTANKRHIGHLOWLEVELSENSOR:影液暫存椎及液位偵測

器.

24.JACKET:影液溫度控制器徽交換氮.由CIRCULATOR流出之冷郤水

在此輿影液作低一次熱交換.注意：由CIRCULATOR流出之冷谷U水在E2NOZZLE日寺仍

曾有溫控.

25.^影液管路:CSS-DEVELOPERPUMP-SUBTANK--流量多十

--FILTER-^翩臥-E2NOZZLE.

CSS:CHEMICALSUPPLYSYSTEM:由I?矜提供之IS影液自勤供d

系統(tǒng).

DEVELOPERPUMP:由RAP揩DEVELOPER供至械臺(tái).

SUBTANK:If影液暫存桶，利用N2加屋以便供鷹至E2NOZZLE

FILTER:遇慚ARTICLE.

mm決定DEVELOPER^ME及回吸^整.

E2NOZZLE:均勻的；lOg影液嗔出.

26.RINSE及BACKRINSE管路：

矜DI水一流量言十--FILTER■扁哪蜀—NOZZLE.

FILTER:遁l意PARTICLE.

決定DI水^層目及回吸^整.

NOZZLE:穩(wěn)定的符DI水嘀出.

FLOWMETERAMP:檄臺(tái)所有的流量偵測器的放大器：

一般流量偵測器未偵測到流量疇（浮球未升起）亮符嶗旗測到流量畤（浮球升

起日寺）亮幺工^燎.

COATER:BACKRINSE1,2,HMDS,EBR.

DEVELOPER:E2NOZZLE,RINSENOZZLE,BACKRINSE.

INTERFACED介：

A.4?1可作PICKUP（PILOT用），也可作^^影暫存Ig.生崖用晶舟.

B.4-2,4-3:STEPPER暫存顯敏晶舟.

C.4-6:FIXCOOLINGPLATE置除上只是DEVELOPER及INTERFACE的

MAINARM交換晶片未置.

D.4-4:COOLINGPLATE:冷板，有PIN可UP/DOWN.

E.4-5:STEPPER.

F.MAINARM:同CARRIERSTATIONARM,但多了TH軸可旋穗.

G.ARMPOUSE:同C/SARM.

H.WAFEREXTRUDESENSOR:同C/SARM.

I.INTERLOCK:同C/SARM.

J.操作面板：同C/S.

械臺(tái)接方檄情：

冷熱板曾介：

A.可^由程式中含殳定不同加熱及冷郤溫度及畤

B.株用PROXIMITYTPYE近接式加熱或冷窗I,而不是探用接斶式加熱或冷

sn,

可避免造成晶背污染.

C.PROXIMITYGAPE:0.1MM陶瓷薄片，在晶遏位置，言十六黠.

D.防滑裝置：2.0MM陶瓷，避免晶片位移.

E.PINUP/DOWN:三集PIN用以接晶片.由氟屋缸作僖重力.

F.BEFOREBAKE,AFTERBAKE:

BEFOREBAKE:三堡PIN接晶片接不直接下降至熟板加熱依程式內(nèi)日寺

^作fg熟彳乳PIN下降再加熱晶片.

AFTERBAKE：三堡PIN接晶片接直接下降至熟板加熱，依程式內(nèi)日寺^加

熟彳麥,PIN上升在熟板上方等待.

G.COVERUP/DOWN:HMDS蓋板需密氟抽真空及上HMDS蒸氧再排廖氟,

需有COVER及密封璟昨密氟.由氟屋缸作僖重力.

H.SHUTTERUP/DOWN:一般熟板不必完全密氯作加熟，需有通凰及抽氧.

作成璟;1犬,由氟屋缸作停勤.

I.冷板蓋板：觸冷谷幾不^^^板，可直接抽出，不必作UP/DOWN.

WEE曾介：

A.WAFEREDGEEXPOSURE:晶遏曝光系勺3MM大小.

B.水金艮燎光源^謾光傅至聚焦翔乍FOCUS控制，再由SHUTTER控制光的

通謾，可封晶片做外遇圜圈;（犬曝光，或3泉）伏曝光（可曝平遏）.

C.水金艮燎奔命2000小疇.

D.水金艮燒降溫抽凰：11MM/H2O.摩矜若抽凰停止超出7分呈里以上，水金艮燎溫

度超謾90度C曾自勤招水金艮燎熄滋，若抽凰輾法立即供鷹位避免水至艮燎不正常升溫可先符

WEE重源切掉.

E.溫度控制：溫度超遇90度C曾自勃捋水童艮燎熄;威.

CIRCULATOR:

可封光