1、綜合檢索報告綜 合 檢 索 報 告姓名 _ _ 班級 _ _ 學號 _檢索課題（中文） _人造金剛石的合成_ （英文）_ the synthesis of synthetic diamond _一、檢索策略1、檢索詞：主題詞（中文）:人造金剛石（英文）: synthetic diamond相關詞：（中文）_金剛石_ （英文）_ diamond _副主題詞：（中文）_人造_（英文）_ synthetic _副主題詞：（中文）_合成_（英文）_ synthesis _2、構(gòu)造檢索式（布爾邏輯表達式或網(wǎng)絡檢索式）金剛石and人造and合成 二、檢索來源（本文所查數(shù)據(jù)庫名或其它來源）萬方數(shù)據(jù)庫 e.i

2、數(shù)據(jù)庫 維普數(shù)據(jù)庫 歐洲專利局 美國專利局 中國專利局 calis學位論文系統(tǒng) ohiolinketds學位論文 谷歌圖書網(wǎng) 亞馬遜圖書網(wǎng)三、檢索結(jié)果：分別寫出篇名、作者、文獻來源（期刊指刊名、年、卷期；專利指專利號；學位論文指授予單位，標準指標準號等文摘形式）及摘要（有原文請注明），所有數(shù)據(jù)庫均檢索近6年的文獻。1、中文期刊（找5篇）：（必備）人造大單晶金剛石合成技術(shù)及應用研究現(xiàn)狀摘要：隨著近幾年人造金剛石技術(shù)研究的再次發(fā)展,大單晶金剛石合成技術(shù)成為相關研究者新的研究方向.本文結(jié)合當前人造金剛石合成現(xiàn)狀,詳細介紹了金剛石的合成技術(shù)發(fā)展,各人研究機構(gòu)的研究進度,生產(chǎn)設備及合成方法.大單晶金剛石

3、的應用情況等.作者：王東勝 王志勇 董耀華 來源：廣東建材2010.26（4）絕緣片在粉末工藝合成人造金剛石中的試驗研究摘要：本文介紹了一種用氧化鋁陶瓷基片制作的絕緣片,應用在粉末工藝合成人造金剛石中.通過在六面頂壓機上進行人造金剛石高溫、超高壓合成的對比實驗,結(jié)果表明:絕緣片能有效地改善合成腔體內(nèi)部的溫度分布差異,為金剛石的成核生長提供良好的環(huán)境.具有絕緣片的粉末合成塊在粉末合成工藝中較沒有絕緣片粉末合成塊合成工藝更穩(wěn)定.同時由于合成腔體的溫場均勻,合成的金剛石顏色、透明度、單產(chǎn)都有很大提高.為進一步提高金剛石的品位進行了實驗摸索.作者：李丹 孟繼承 張景鑫 朱鳳福 周連科文獻來源：人工晶體

4、學報 2009.38（1）高品級人造金剛石合成工藝特點的探討摘要：通過對高品級金剛石理想合成區(qū)間和實際生產(chǎn)區(qū)間的探討分析,闡述了高品級金剛石合成過程中溫度與壓力的匹配與控制的關鍵技術(shù),對合理制定高品級金剛石合成工藝不無益處.作者：劉立新 趙巖文獻來源：超硬材料工程 2010.22（2）金剛石合成設備的技術(shù)進展摘要：近年來,隨著以粉末合成塊為代表的人造金剛石合成工藝的迅速推廣,大壓機更新?lián)Q代發(fā)展勢頭迅猛。以無缸壓機為代表的壓機已從650、1000向1500缸徑邁進。而以有缸壓機為代表的壓機也從700、750缸徑向850缸徑方向發(fā)展。與大壓機配套的頂錘也朝著尺寸大的方向發(fā)展,壓機頂錘直徑也從142

5、、160、175向199甚至220尺寸發(fā)展。然而,大頂錘或大壓機這種在原尺寸上按比例的放大,無疑加重了投資者的負擔,使得大壓機只能是財大氣粗的大戶才能用得起,并且投資回報期也不能如投資者所愿。因此,實現(xiàn)低成本、高產(chǎn)出、高回報才是每個廠商的真正愿望。作者：陸振勤1 胡毅勝1 郭滇生1 黃凱2 龍雷明1文獻來源：研究和應用 1673-1433（2011）03-0023-03高品級、高性能人造金剛石合成工藝的實驗研究摘要：通過不同材料的配比合成實驗、不同合成工藝的對比分析，總結(jié)出一種合成高品級、高性能人造金剛石的工藝方法。作者：楊燁 姜杰 陳寶良文獻來源：超硬材料合成工藝及技術(shù) tq1632、外文期

6、刊（找5篇）：（必備）muon spin relaxation in synthetic type iia diamond grown by high-pressure and high-temperature (hpht) synthesis摘要：the behaviour of hydrogen in the low strain pure diamond material synthesized by the high pressure high temperature (hpht) route has been studied using the longitudinal field

7、muon spin relaxation technique (lf-sr). this study almost completes a survey of muonium in diamond with a range of defect compositions. the result may provide information on the so-called missing fraction (mf) observed in many previous studies of muons implanted into semiconductors. the experimental

8、 results showed the existence of a diamagnetic muon state (+), two paramagnetic muonium states (tetrahedral interstitial and bond-centred ), and mf formed by positive muons implanted into the sample. the absolute fractions of +, , and mf in the sample were 4%, 54%, 30% and 12%, respectively.作者：m. ma

9、dhukua, d. gxawub, s.h. connellc, i.z. machid, j.m. keartlande, p.j.c. kingf文獻來源： high quality synthetic single crystal diamond for novel optical applications摘要：recent breakthroughs in single crystal diamond synthesis by chemical vapor deposition have lead to reproducible material of exceptionally h

10、igh quality and of practical size, for a range of novel laser and photonics applications.作者：santini, p.1; friel, i.2 ; twitchen文獻來源：qels 2009/06/08hot spot formation in microwave plasma cvd diamond synthesis摘要：plasma-substrate interactions in diamond synthesis via microwave plasma-assisted chemical

11、vapor deposition (cvd) are an important issue in cvd reactor optimization. the hot spot formation observed during single-crystal diamond synthesis in 2.45-ghz cylindrical cavity reactors is examined after long-run deposition. 2006 ieee. (5 refs.)作者：hemawan, kadek w.1; yan, chih s.1; liang, qi1; lai,

12、 joseph1; meng, yufei1; krasnicki, szczesny1; mao, ho k.1; hemley, russell j文獻來源：hemawan, kadek w.1；yan, chih s.1; liang, qi1； lai, joseph1; meng, yufei1； krasnicki, szczesny1； mao, ho k.1; hemley, russell j.chemical vapour deposition synthetic diamond: materials, technology and applications摘要: subs

13、tantial developments have been achieved in the synthesis of chemical vapour deposition (cvd) diamond in recent years, providing engineers and designers with access to a large range of new diamond materials. cvd diamond has a number of outstanding material properties that can enable exceptional perfo

14、rmance in applications as diverse as medical diagnostics, water treatment, radiation detection, high power electronics, consumer audio, magnetometry and novel lasers. often the material is synthesized in planar form; however, non-planar geometries are also possible and enable a number of key applica

15、tions. this paper reviews the material properties and characteristics of single crystal and polycrystalline cvd diamond, and how these can be utilized, focusing particularly on optics, electronics and electrochemistry. it also summarizes how cvd diamond can be tailored for specific applications, on

16、the basis of the ability to synthesize a consistent and engineered high performance product.作者：balmer, r.s.1; brandon, j.r.1; clewes, s.l.1; dhillon, h.k.1; dodson, j.m.1 ; friel, i.1; inglis, p.n.1; madgwick, t.d.1; markham, m.l.1; mollart, t.p.1; perkins, n.1; scarsbrook, g.a.1; twitchen, d.j.1 ;

17、whitehead, a.j.1; wilman, j.j文獻來源：journal of physics condensed matter, v 21, n 36, 2009; issn: 09538984, e-issn: 1361648x; doi: 10.1088/0953-8984/21/36/364221; article number: 364221; publisher: institute of physics publishinga review of diamond synthesis by cvd processes摘要：diamond has some of the m

18、ost extreme mechanical, physical and chemical properties of all materials. within the last 50 years, a wide variety of manufacturing methods have been developed to deposit diamond layers under various conditions. the most common process for diamond growth is the chemical vapor deposition (cvd). star

19、ting from the first publications until the latest results today, a range of different developments can be seen. comparing the basic conditions and the process parameters of the cvd techniques, the technical limitations are shown. processes with increased pressure, flow rate and applied power are the

20、 general tendency.作者：michael schwander ，nut partes文獻來源：bias bremer institut fr angewandte strahltechnik gmbh, klagenfurter str. 2, d-28359 bremen, germany3、專利文獻（中外文各找2篇）：（工科必備）中文文獻 人造聚晶金剛石噴嘴的制造方法 本發(fā)明公開了一種人造聚晶金剛石噴嘴的制造方法，用六方氮化硼膜均勻地涂覆在預定好尺寸的金屬絲上，涂覆膜厚為1mm；將涂覆好的金屬絲放在金剛石與金屬co微粉的混合物料中心，然后一起放在寶石噴嘴嘴芯尺寸的模具內(nèi)；在

21、13501550溫度和5.56.5gpa的壓力條件下合成出人造聚晶金剛石；拔出金屬絲，再用常規(guī)方法加工打磨、去毛刺和修整磨平后即得直徑在0.101mm之間的人造聚晶金剛石噴嘴。本發(fā)明加工過程簡單，使用壽命高，可實現(xiàn)噴嘴內(nèi)孔形狀的多樣化。申請專利號：cn200910028424.8 申請日期：2009年1月20日申請專利權(quán)人：江蘇工業(yè)學院,常州市潤洋超硬材料有限公司發(fā)明人：曹大呼,陳 功,李 海,王芝秀,陸 剛 一種實時測量金剛石單晶生長的動態(tài)方法本發(fā)明屬于超硬材料應用領域，是一種實時測量金剛石單晶生長的動態(tài)方法。本發(fā)明的特征是采用聲發(fā)射無損檢測技術(shù)，以金剛石單晶在高溫高壓合成條件下生長過程的原

22、位反應所產(chǎn)生的聲發(fā)射源信號作為檢測對象，進行實時動態(tài)檢測。本發(fā)明可以將金剛石單晶在高溫高壓下生長時原位反應過程所產(chǎn)生的聲發(fā)射源信號進行直接、真實、有效地采集、識別、記錄和分析，所測量得到的聲發(fā)射信號計數(shù)率隨合成時間的變化曲線直接反映了金剛石單晶生長時原位反應過程的實時動態(tài)變化規(guī)律，為研究人造金剛石單晶的生長機理提供了在高溫高壓下直接獲得的實驗數(shù)據(jù)和客觀依據(jù)。申請專利號：cn200810140396.4 申請日期：2008年10月17日申請（專利權(quán)）人：山東大學 發(fā)明人：李木森,尹龍衛(wèi),許 斌,亓永新,宮建紅,宿慶財,李和勝,劉 磊外文文獻 system and method for produ

23、cing synthetic diamond synthetic monocrystalline diamond compositions having one or more monocrystalline diamond layers formed by chemical vapor deposition, the layers including one or more layers having an increased concentration of one or more impurities (such as boron and/or isotopes of carbon),

24、as compared to other layers or comparable layers without such impurities. such compositions provide an improved combination of properties, including color, strength, velocity of sound, electrical conductivity, and control of defects. a related method for preparing such a composition is also describe

25、d, as well as a system for use in performing such a method, and articles incorporating such a composition.發(fā)明人：linares; robert c. (sherborn, ma), doering; patrick j. (holliston, ma)專利權(quán)人：apollo diamond, inc. (medfield, ma)專利號：12/047,884 申請日期：march 13, 2008method of partially infiltrating an at least p

26、artially leached polycrystalline diamond table and resultant polycrystalline diamond compacts發(fā)明人：mukhopadhyay debkumar us; bertagnolli kenneth e us; gonzalez jair j us專利權(quán)人：us synthetic corp us; mukhopadhyay debkumar us; bertagnolli kenneth e us; gonzalez jair j us +專利號：wo2011us60380 20111111 申請日期：20

27、10/12/074、學位論文（中外文各找2篇）：（必備）中文學位論文 高溫高壓金剛石生長機理的價電子理論及熱力學分析摘要：造金剛石單晶不僅具有硬度高、抗腐蝕、高耐磨等優(yōu)異性能，還具有優(yōu)良的光學、聲學、熱學和電學性質(zhì)，不斷表現(xiàn)出其在現(xiàn)代科學技術(shù)和發(fā)展中的重要作用。目前，最具有工業(yè)生產(chǎn)規(guī)模與廣泛應用價值的金剛石單晶合成方法仍然是高溫高壓觸媒法。高溫高壓金剛石的生長機理對于指導工業(yè)生產(chǎn)金剛石無疑具有重要意義，但由于高溫高壓下在線檢測的困難性，理論研究的難度仍然過大，造成目前學術(shù)觀點尚未統(tǒng)一，尤其是對金剛石生長的碳源這一關鍵問題仍存在較大爭議，近年來金剛石生長機理方面的研究投入也較少，對機理的研究依然

28、是一個重大的探索性課題。 課題組前期對合成金剛石后的觸媒及包覆著金剛石單晶的金屬包膜的組織、結(jié)構(gòu)、成分等進行了系統(tǒng)的實驗表征，根據(jù)前期的實驗結(jié)果，本文利用余氏理論和程氏理論計算分析了高溫高壓觸媒法金剛石生長中各物相的價電子結(jié)構(gòu)及界面的電子密度，從電子結(jié)構(gòu)角度研究了金剛石生長的碳源問題及觸媒的催化作用，探討了高溫高壓金剛石生長機理；同時結(jié)合熱力學理論，解釋觸媒在其中的變化過程，從熱力學角度進一步分析了金剛石生長的碳源問題。從而為金剛石的機理研究開辟了一條新途徑，并提出了觸媒成分設計的新思路。 本文首先根據(jù)材料的熱膨脹本質(zhì)和廣義虎克定律，利用晶體的線膨脹系數(shù)和彈性常數(shù)，建立了晶格常數(shù)與溫度和壓力之

29、間的關系。運用該方法計算六方石墨在不同溫度和壓力下的晶格常數(shù)，所得結(jié)果與前人的實驗結(jié)果非常接近，驗證了本文計算方法的可行性。進而計算了金剛石合成過程中各物相(金剛石、石墨、fe3c、-(fe,ni)等)的晶格常數(shù)隨溫度和壓力的變化，為高溫高壓條件下晶體的的價電子結(jié)構(gòu)分析提供了計算基礎。 根據(jù)價電子理論，異相界面的電子密度應連續(xù)，則在金剛石晶體生長中，碳源相與金剛石界面的電子密度應保持連續(xù)，這是金剛石生長要滿足的邊界條件。本文對金剛石和石墨的價電子結(jié)構(gòu)分析表明：常溫常壓下，金剛石和兩種石墨各主要晶面之間的最小電子密度差在80左右，而1600 k、5.5 gpa時最小電子密度差在60左右，雖然由于

30、溫度和壓力的作用，金剛石和石墨之間的電子密度有所接近，但仍要要遠遠大于10，即在一級近似下是不連續(xù)的，不能滿足金剛石生長的邊界條件。因此從電子結(jié)構(gòu)角度看，觸媒法金剛石晶體生長的直接碳源不是來自石墨。另外，石墨結(jié)構(gòu)中共價鍵的鍵能隨溫度和壓力變化并不明顯，最強鍵上的鍵能約為240 kj/mol，平面網(wǎng)層之間的共價鍵能非常小，靠范德華力結(jié)合。在金剛石合成過程中，部分石墨需以c原子形式溶入似熔態(tài)觸媒，與觸媒合金形成碳化物或間隙固溶體。已有研究證實選擇鐵基觸媒合成金剛石具有較好的應用前景及較高的學術(shù)研究價值，課題組前期對合成后的fe-ni觸媒及包膜進行了系統(tǒng)的研究，發(fā)現(xiàn)在包膜/金剛石界面存在著大量的fe

31、3c和-(fe,ni)，并推測fe3c為金剛石晶體生長的碳源相，-(fe,ni)為催化相。因此，本文以fe-ni-c系金剛石晶體生長為例探討金剛石的生長機理，對合成后包膜中主要物相的價電子結(jié)構(gòu)及界面的電子密度進行了計算分析。對fe3c的價電子結(jié)構(gòu)及fe3c/金剛石界面電子密度的分析表明：高溫高壓狀態(tài)下，fe3c/金剛石界面的電子密度在一級近似下是連續(xù)的，能夠滿足金剛石生長的邊界條件。因而，高溫高壓觸媒法合成金剛石，并不是由石墨結(jié)構(gòu)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸Y(jié)構(gòu)，而是c原子集團不斷從fe3c中脫落，轉(zhuǎn)移到與之電子密度相近的金剛石界面上，進而完成金剛石晶體的生長。另外，fe3c的兩個主要晶面同金剛石(111

32、)晶面的電子密度連續(xù)，可以解釋金剛石包裹體中薄片狀fe3c同金剛石(111)面存在著平行的位向關系這一現(xiàn)象。對-(fe,ni)的價電子結(jié)構(gòu)及y-(fe,ni)/fe3c界面電子密度的分析則發(fā)現(xiàn)：-(fe,ni)/fe3c界面的電子密度在一級近似下是連續(xù)的，這表明在金剛石生長過程中-(fe,ni)起著促使fe3c分解的作用即催化作用?？梢?，價電子理論分析結(jié)果與前期實驗表征結(jié)果是相吻合的。 為了分析不同觸媒的催化作用，進而嘗試從電子理論上指導觸媒的成分設計，本文對采用過渡族金屬(fe、ni、mn、co)及其合金為觸媒合成金剛石過程中可能形成的各種me3c型碳化物與金剛石界面以及不同成分配比的-me

33、固溶體與相應me3c界面的電子密度分別進行了分析，結(jié)果表明：各me3c型碳化物與金剛石界面的電子密度以及各-me固溶體與相應me3c界面的電子密度在一級近似下均連續(xù)，從而可以認為金剛石生長的碳源相和催化相分別為me3c和-me固溶體。不同碳化物與金剛石界面的電子密度連續(xù)性不同，與金剛石界面保持電子密度連續(xù)性越好，結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化所需要越過的化學勢壘越低，也就越容易轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸Y(jié)構(gòu)，在相同的合成條件下，合成的金剛石品質(zhì)更好。fe、ni、mn、co合金碳化物與金剛石界面的電子密度連續(xù)性基本上都分別好于其單金屬碳化物；所有碳化物中，mn和co基碳化物與金剛石的電子密度連續(xù)性最好；fe基碳化物與金剛石界面的電

34、子密度連續(xù)性好于ni基碳化物，其中(fe,ni)3c/金剛石界面的電子密度連續(xù)性最好。不同元素組成及不同成分配比的)-me固溶體與相應me3c界面的電子密度連續(xù)性也不同，連續(xù)性越好，越易促使me3c分解，則金剛石的生長速度越快。其中，-(fe,ni)隨著ni含量的增加，與fe3c界面的電子密度連續(xù)性基本上呈逐漸變差的趨勢。體現(xiàn)實際合成工藝中為，隨著fe-ni觸媒中ni含量的增加，金剛石的生長速度逐漸變慢，這與金剛石合成實驗相吻合。從電子結(jié)構(gòu)的角度提出了良好的觸媒劑所應具備的三個條件：高溫高壓下能與石墨形成me3c型碳化物；me3c型碳化物與金剛石生長界面有較高的電子密度連續(xù)性；-me固溶體與m

35、e3c型碳化物界面的電子密度連續(xù)性適中。根據(jù)價電子理論分析的結(jié)果，本文對高溫高壓觸媒法金剛石的生長進行了熱力學分析，在計算中考慮了體積隨溫度和壓力的變化，結(jié)果表明：在金剛石形成之前就有大量fe3c形成，而在觸媒法合成金剛石的溫度和壓力范圍內(nèi)，fe3cc(金剛石)+3-fe反應的自由能變化和石墨金剛石相變的自由能均為負值，但前者比后者更負，即前者更容易發(fā)生。因此，從熱力學角度來看，fe3c的形成降低了石墨轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸竭^的勢壘，使用鐵基觸媒合成金剛石晶體的生長來源于fe3c的分解而不是石墨的直接轉(zhuǎn)變。同時，得出了在1200k以上石墨-金剛石的平衡曲線p-t關系：peq(gpa)=1.036+

36、0.00236t(k)，這一結(jié)果與bundy計算的平衡線比較接近，從而驗證了本文熱力學計算方法的可行性。 本文基于價電子理論和熱力學理論的計算分析，均支持了“高溫高壓觸媒法合成金剛石單晶的生長來自于me3c型碳化物的分解，而非石墨結(jié)構(gòu)的直接轉(zhuǎn)變”這一論述。作者：李麗 學科專業(yè)：物理學 授予學位：博士學位授予單位：山東大學 導師姓名：許斌、李木森學位年度：2008 分類號：tb32 粉末系過剩壓晶種發(fā)金剛石合成研究摘要：金剛石在工業(yè)中具有廣泛用途，近年來粉末觸媒-石墨金剛石合成工藝得到迅速發(fā)展：在粉末工藝的基礎上進一步提高技術(shù)水平是現(xiàn)在的關鍵問題。國外早在20世紀80年代就己對過剩壓晶種法進行了

37、充分研究；而我國在過去近20年里只有少數(shù)人對該項技術(shù)的進行了一定程度的研究，而且都是基于傳統(tǒng)片狀法金剛石合成工藝基礎；總的來說實驗不夠充分，對現(xiàn)行的粉末工藝指導意義不大。本文在粉末法金剛石合成技術(shù)的基礎上引入了過剩壓晶種法；目的是為了探尋粉末體系下過剩壓晶種法的生長機理及其工業(yè)化應用前景。 實驗選用了四種有代表性的金剛石作為晶種；采用晶種表面預附有機膜方式能使其較均勻地分散于粉末觸媒、石墨合成體系中；通過對高溫高壓合成的不同階段的高壓合成塊的斷面形貌、晶種形貌、晶體微觀結(jié)構(gòu)的分析，建立了粉末系過剩壓晶種法生長的模型。通過拉曼光譜對金剛石晶體內(nèi)部球形包裹物進行了結(jié)構(gòu)分析，表征了晶種型金剛石的晶種

38、特性及晶種與后續(xù)長大晶體之間的界面狀況。對粉末系過剩壓晶種法的若干現(xiàn)象進行了分析：晶種粒度細有利于合成優(yōu)質(zhì)金剛石；晶種完整度差不能合成優(yōu)質(zhì)金剛石；片狀法的晶種嵌于晶體表面，而粉末法晶種位于晶體正中心；片狀法晶種可能存在浮力效應，而粉末法晶種無浮力效應。 通過建立恒溫曲線及調(diào)整過剩壓的壓力梯度，優(yōu)化了晶體的合成工藝。采用200/230目的完整型金剛石作為晶種進行批量生產(chǎn)合成的金剛石的系列質(zhì)量指標均能達到無晶種條件合成的金剛石；而且從粒度集中度、粗粒度晶體比例、單位體積轉(zhuǎn)化率三個方面都明顯優(yōu)于無晶種金剛石；表明粉末系過剩壓晶種法工藝具有較好的工業(yè)化應用前景。作者：姚勇 學科專業(yè)：原子與分子物理 授

39、予學位：碩士學位授予單位：四川大學 導師姓名：寇自力學位年度：2006 分類號：0783 0635.1外文學位論文deling of chemical vapor deposition reactors for silicon carbide and diamond growth摘要：in order to improve the quality of silicon carbide and diamond grown by chemical vapor deposition (cvd) and to increase the operational efficiency of the rea

40、ctors, a comprehensive understanding of the reaction and transport processes is necessary. powerful computational tools now exist which allow models of cvd processes to be developed and used to predict reactor performance. reactors for the deposition of silicon carbide and diamond were modeled using

41、 the software package fluent, currently under development by fluent, inc. results from the modeling were compared with data from operating reactors. two configurations of hot-filament cvd reactors for diamond growth and one reactor configuration for silicon carbide were examined for typical conditio

42、ns. chemical reaction sets containing both homogeneous and heterogenous reactions, along with the appropriate rate constants, were developed. streaklines, temperature profiles, and species concentrations were obtained for all reactors. in addition, predicted temperature distributions along the subst

43、rate and power consumption were obtained for the two diamond reactors. problems in the fluent code were identified and improvements suggested. deposition rates of silicon carbide were found to be limited by both depletion of carbon and by the limi ted reactivity of propane. non-uniformity of silicon

44、 carbide deposition was caused by a combination of convective rolls and large concentration gradients arising from diffusional limitations. the modeling suggested that other carbon source gas molecules and low pressure operation be examined. in hot-filament diamond reactors, growth rates are limited

45、 in part by diffusional limitations of both atomic hydrogen and methyl groups. however, these conclusions must be considered tentative because of large uncertainties in the surface reaction rates. significant energy transport in the diamond reactor occurs by atomic hydrogen recombination, which can

46、be equal or greater to the contributions of conduction and radiation. at the low pressures of hot-filament diamond reactors, convection does not play an important role. the results show that this type of reactor modeling can be used as a diagnostic tool and design method for the chemical vapor depos

47、ition of silicon carbide, diamond, and related materials.作者：kuczmarski, maria ann 授予學位及學位授予單位：doctor of philosophy, case western reserve university, chemical engineering, 1992.導師姓名：john c. angus 授予年度：1992hot filament assisted deposition of diamond films摘要：a novel hot filament assisted chemical vapor

48、 deposition reactor for diamond was designed and built. the substrate is an independently heated, isothermal wire. this provides for the decoupling and independent control of substrate and hot filament temperatures, which is not possible in conventional diamond reactors. the reactor was used for: (1

49、) the measurement of energy flows during diamond deposition, (2) estimation of hydrogen recombination rates on the substrate and (3) study of deposition of diamond and other forms of carbon outside of the normal parameter space for diamond deposition. the recombination rate of atomic hydrogen on the

50、 substrate was measured as a function of substrate temperature and methane concentration. the gas phase concentration of atomic hydrogen at the substrate was estimated. a detailed analysis of the energy transport to the substrate was performed showing that atomic hydrogen recombination on the substr

51、ate is a major mechanism of energy transport. the conditions under which the transport of atomic hydrogen to the substrate is diffusion limited were found. this reactor also permitted broad investigation of the experimental parameter space. it was discovered that graphite fibers can be deposited by

52、the vapor-liquid-solid mechanism by making modest variations in the diamond growth conditions. diamond can be deposited on these fibers resulting in a new composite material which may have numerous technological applications.作者：gat, roy 學位：doctor of philosophy哲學博士學位授予單位：凱斯西保留地大學 學科單位：材料科學與工程授予年度：199

53、25、標準文獻（找1篇）：（工科必備）超硬磨料 人造金剛石品種代替號：部分代替：gb/t 6405-1994起草單位：鄭州磨料磨具磨削研究所、河南黃河旋風股份有限公司、南陽中南金剛石有限公司、河南華晶超硬材料股份有限公司歸口單位：全國磨料磨具標準化技術(shù)委員會發(fā)布日期：2009-4-23 實施日期：2009-12-1分類號：j43 國際分類號：25.100.706. 產(chǎn)品樣本:只提供圖,商品名:廠家.聯(lián)系方式.（工科必備）ge公司（美國） 黃色人造金剛石 聯(lián)系方式(ge中國北京分部)：北京市朝陽區(qū)光華路7號漢威大廈六層b1郵編：100004 電話傳真：010-6561

54、168圖：7. 網(wǎng)絡上相關網(wǎng)頁(10頁) (只列題名，ip地址.)(注意相關度)（必備）1、/periodical_rgjtxb98200506013.aspx /periodical_gdjc201004013.aspx /periodical_kjf201007200.aspx /periodical_rgjtxb98200901034.aspx http:/218.1

55、99.187.100/asp/detail.asp2、/controller/servlet/controller?searchid=1f31652137ebfc8c3b54ffprod3data2&cid=quicksearchabstractformat&docindex=1&database=1&format=quicksearchabstractformat /science/article/pii/s0921452609007339http:/www.engineer

56、/controller/servlet/controller?searchid=15d3388137ebfd8aa95251prod4data1&cid=expertsearchabstractformat&docindex=2&database=1&format=expertsearchabstractformat/controller/servlet/controller?searchid=15d3388137ebfd8aa95251prod4data1&cid=expertsearchabstra

57、ctformat&docindex=9&database=1&format=expertsearchabstractformat3、/patent_cn200910028424.8.aspx /patent_cn200810140396.4.aspx/publicationdetails/biblio?db=&ii=0&nd=3&adjacent=true&locale=en_ep&ft=d&date=20120614&cc=wo&nr=2012078314a1&kc=a1htt