1、薄膜材料4n熱生長(zhǎng)制備薄膜不是一種常用技術(shù)，但熱熱生長(zhǎng)制備薄膜不是一種常用技術(shù)，但熱生長(zhǎng)金屬和半導(dǎo)體氧化物的研究較為廣泛。生長(zhǎng)金屬和半導(dǎo)體氧化物的研究較為廣泛。由于氧化物可以鈍化表面，而氧化物的絕由于氧化物可以鈍化表面，而氧化物的絕緣性質(zhì)在電子器件制備中非常有用。緣性質(zhì)在電子器件制備中非常有用。n所有金屬除了所有金屬除了Au以外都與氧反應(yīng)形成氧化以外都與氧反應(yīng)形成氧化層。層。假設(shè)金屬陽離子或陰假設(shè)金屬陽離子或陰離子通過氧化物點(diǎn)陣擴(kuò)散而不是沿著晶界離子通過氧化物點(diǎn)陣擴(kuò)散而不是沿著晶界或孔洞擴(kuò)散形成氧化膜?；蚩锥磾U(kuò)散形成氧化膜。n熱氧化過程通常是在傳統(tǒng)的氧化爐中進(jìn)行。熱氧化過程通常是在傳統(tǒng)的氧化爐

2、中進(jìn)行。有大量文獻(xiàn)報(bào)道有大量文獻(xiàn)報(bào)道Si的氧化，即的氧化，即SiO2薄膜的薄膜的形成。形成。nPonpon等人在干燥的氧氣氣氛下，在硅等人在干燥的氧氣氣氛下，在硅上進(jìn)行快速熱氧化生長(zhǎng)，制備了很薄的上進(jìn)行快速熱氧化生長(zhǎng)，制備了很薄的氧化硅膜。生長(zhǎng)速率較傳統(tǒng)的氧化爐高，氧化硅膜。生長(zhǎng)速率較傳統(tǒng)的氧化爐高，且與時(shí)間的平方根成正比。且與時(shí)間的平方根成正比。n在進(jìn)行高溫循環(huán)的快速熱循環(huán)系統(tǒng)中，在進(jìn)行高溫循環(huán)的快速熱循環(huán)系統(tǒng)中，可以在小于可以在小于1min的時(shí)間里制備厚度達(dá)的時(shí)間里制備厚度達(dá)30nm的氧化層。生長(zhǎng)系統(tǒng)在的氧化層。生長(zhǎng)系統(tǒng)在164s時(shí)間時(shí)間內(nèi)溫度范圍可在內(nèi)溫度范圍可在10001200變化變化

3、。n高溫、快速方法的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)：可精確高溫、快速方法的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)：可精確控制氧化硅（控制氧化硅（ 30nm）的生長(zhǎng)；可獲）的生長(zhǎng)；可獲得低電荷、低界面態(tài)密度氧化硅膜。得低電荷、低界面態(tài)密度氧化硅膜。n在空氣和超熱水蒸氣下，通過對(duì)薄在空氣和超熱水蒸氣下，通過對(duì)薄Bi膜的氧化，制膜的氧化，制備備Bi2O3膜。膜。n即使在最高溫度即使在最高溫度367時(shí)水蒸氣分子也不會(huì)分解成時(shí)水蒸氣分子也不會(huì)分解成氧和氫，高溫水蒸氣對(duì)反應(yīng)不起作用，只是取代了氧和氫，高溫水蒸氣對(duì)反應(yīng)不起作用，只是取代了反應(yīng)室中存在的空氣，改變反應(yīng)室中有效氧氣含量。反應(yīng)室中存在的空氣，改變反應(yīng)室中有效氧氣含量。Bi2O3n化學(xué)氣相沉積：化學(xué)

4、氣相沉積：Chemical vapor deposition，CVD。利用氣態(tài)的先驅(qū)。利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，通過原子、分子間化學(xué)反應(yīng)反應(yīng)物，通過原子、分子間化學(xué)反應(yīng)的途徑生成固態(tài)薄膜的技術(shù)。的途徑生成固態(tài)薄膜的技術(shù)。n是制備各種薄膜材料的一種重要和普是制備各種薄膜材料的一種重要和普遍使用的技術(shù)，可以在各種基片上制遍使用的技術(shù)，可以在各種基片上制備元素及化合物薄膜。備元素及化合物薄膜。n與物理氣相沉積相比，與物理氣相沉積相比，CVD在相對(duì)較高壓在相對(duì)較高壓力環(huán)境下進(jìn)行，有助于提高薄膜的沉積速力環(huán)境下進(jìn)行，有助于提高薄膜的沉積速率。率。nCVD 過程中氣體的流動(dòng)狀態(tài)處于黏滯流狀過程中氣體的流動(dòng)狀態(tài)

5、處于黏滯流狀態(tài)，氣相分子的運(yùn)動(dòng)路徑不再是直線，而態(tài)，氣相分子的運(yùn)動(dòng)路徑不再是直線，而它在襯底上的沉積不再等于它在襯底上的沉積不再等于100%，而是取，而是取決于氣壓、溫度、氣體組成、氣體激發(fā)狀決于氣壓、溫度、氣體組成、氣體激發(fā)狀態(tài)、薄膜表面狀態(tài)等多個(gè)復(fù)雜因數(shù)的組合。態(tài)、薄膜表面狀態(tài)等多個(gè)復(fù)雜因數(shù)的組合。n特性：決定了特性：決定了CVD薄膜可以被均勻地涂覆薄膜可以被均勻地涂覆在復(fù)雜零件的表面上，較少受到陰影效應(yīng)在復(fù)雜零件的表面上，較少受到陰影效應(yīng)的限制。的限制。n可以準(zhǔn)確控制薄膜的組分及摻雜水平使可以準(zhǔn)確控制薄膜的組分及摻雜水平使其組分具有理想化學(xué)配比。其組分具有理想化學(xué)配比。n在復(fù)雜形狀的基片

6、上沉積薄膜。在復(fù)雜形狀的基片上沉積薄膜。n由于許多反應(yīng)可以在大氣壓下進(jìn)行，系由于許多反應(yīng)可以在大氣壓下進(jìn)行，系統(tǒng)不需要昂貴的真空設(shè)備。統(tǒng)不需要昂貴的真空設(shè)備。n高沉積溫度會(huì)大幅度改善晶體的結(jié)晶完高沉積溫度會(huì)大幅度改善晶體的結(jié)晶完整性。整性。n利用某些材料在熔點(diǎn)或蒸發(fā)時(shí)分解的特利用某些材料在熔點(diǎn)或蒸發(fā)時(shí)分解的特點(diǎn)得到其他方法無法得到的材料。點(diǎn)得到其他方法無法得到的材料。n可以在大尺寸基片或多基片上進(jìn)行?？梢栽诖蟪叽缁蚨嗷线M(jìn)行。 缺缺 點(diǎn)點(diǎn)n化學(xué)反應(yīng)需要高溫?；瘜W(xué)反應(yīng)需要高溫。n反應(yīng)氣體會(huì)與基片或設(shè)備發(fā)生化學(xué)反應(yīng)氣體會(huì)與基片或設(shè)備發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。反應(yīng)。n使用設(shè)備可能較為復(fù)雜，許多變量使用設(shè)備

7、可能較為復(fù)雜，許多變量需要控制。需要控制。n在切削工具上獲得在切削工具上獲得TiN或或SiC涂層提高抗涂層提高抗磨性，從而提高刀具的使用壽命。磨性，從而提高刀具的使用壽命。n在大尺寸基片上沉積非晶硅可使太陽能在大尺寸基片上沉積非晶硅可使太陽能電池的制備成本降低。電池的制備成本降低。nTiN涂層可以成為黃金的替代品，使裝涂層可以成為黃金的替代品，使裝飾寶石的成本降低。飾寶石的成本降低。n主要應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電子技術(shù)，沉積主要應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電子技術(shù)，沉積氧化硅、氮化硅薄膜。氧化硅、氮化硅薄膜。n在化學(xué)氣相沉積中，氣體與氣體在包含在化學(xué)氣相沉積中，氣體與氣體在包含基片的真空室中相混合。在適當(dāng)?shù)臏囟?/p>

8、基片的真空室中相混合。在適當(dāng)?shù)臏囟认?，氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)將反應(yīng)物沉積在下，氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)將反應(yīng)物沉積在基片表面最終形成固態(tài)膜。因此，基片表面最終形成固態(tài)膜。因此，CVD過程中所發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)非常重要。過程中所發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)非常重要。n可控變量：氣體流量、氣體組分、沉積可控變量：氣體流量、氣體組分、沉積溫度、氣壓、真空室?guī)缀螛?gòu)型等。溫度、氣壓、真空室?guī)缀螛?gòu)型等。n三個(gè)基本過程：反應(yīng)物的輸運(yùn)過程，化三個(gè)基本過程：反應(yīng)物的輸運(yùn)過程，化學(xué)反應(yīng)過程，去除反應(yīng)副產(chǎn)物過程。學(xué)反應(yīng)過程，去除反應(yīng)副產(chǎn)物過程。(1)(1) 熱解反應(yīng)熱解反應(yīng)制備金屬膜制備金屬膜羰羰(2)(2) 還原反應(yīng)還原反應(yīng)(3)(3) 氧化反

9、應(yīng)氧化反應(yīng)制備氧化物膜制備氧化物膜(4)(4) 置換反應(yīng)置換反應(yīng)制備氮化物和碳化物制備氮化物和碳化物(5) (5) 歧化反應(yīng)歧化反應(yīng)制備半導(dǎo)體薄膜制備半導(dǎo)體薄膜(6)(6) 氣相輸運(yùn)氣相輸運(yùn)可以寫成可以寫成aA(g)+bB(g)cC(s)+dD(g) 由一個(gè)固相和幾個(gè)氣相構(gòu)成。由一個(gè)固相和幾個(gè)氣相構(gòu)成。因此有必要了解。因此有必要了解CVD反應(yīng)過程的熱力學(xué)。反應(yīng)過程的熱力學(xué)。n穩(wěn)定的單晶生長(zhǎng)條件：只引入一個(gè)生長(zhǎng)核心，穩(wěn)定的單晶生長(zhǎng)條件：只引入一個(gè)生長(zhǎng)核心，同時(shí)抑制其他生長(zhǎng)核心的形成。同時(shí)抑制其他生長(zhǎng)核心的形成。n根據(jù)晶體的形核理論，要滿足晶體的生長(zhǎng)條根據(jù)晶體的形核理論，要滿足晶體的生長(zhǎng)條件，需要

10、新相形成過程的自由能變化件，需要新相形成過程的自由能變化 G2200 紊流狀態(tài)紊流狀態(tài)n2200 Re1200 紊流或?qū)恿鲬B(tài)紊流或?qū)恿鲬B(tài)nRe1200 層流狀態(tài)層流狀態(tài)vdRe判斷氣體流動(dòng)狀態(tài)的另一個(gè)參數(shù)判斷氣體流動(dòng)狀態(tài)的另一個(gè)參數(shù)n有化學(xué)反應(yīng)發(fā)生的有化學(xué)反應(yīng)發(fā)生的CVD過程中，襯過程中，襯底表面的氣流也會(huì)形成相應(yīng)的邊界層。底表面的氣流也會(huì)形成相應(yīng)的邊界層。n在邊界層內(nèi)，氣體處于一種流動(dòng)性較在邊界層內(nèi)，氣體處于一種流動(dòng)性較低的狀態(tài)，而反應(yīng)物和反應(yīng)產(chǎn)物都需低的狀態(tài)，而反應(yīng)物和反應(yīng)產(chǎn)物都需要經(jīng)過擴(kuò)散過程通過這一邊界層。要經(jīng)過擴(kuò)散過程通過這一邊界層。n邊界層的存在限制了薄膜的沉積速率。邊界層的存在限

11、制了薄膜的沉積速率。n提高提高Re有利于減小邊界層的厚度有利于減小邊界層的厚度 ，提高薄膜的沉積速率。要求相應(yīng)地提高薄膜的沉積速率。要求相應(yīng)地提高氣體的流速和壓力，降低氣體提高氣體的流速和壓力，降低氣體的黏度系數(shù)。的黏度系數(shù)。nRe過高，氣體流動(dòng)狀態(tài)為紊流狀態(tài)，過高，氣體流動(dòng)狀態(tài)為紊流狀態(tài)，影響薄膜沉積的均勻性，造成薄膜影響薄膜沉積的均勻性，造成薄膜缺陷。希望氣體流動(dòng)狀態(tài)維持層流缺陷。希望氣體流動(dòng)狀態(tài)維持層流狀態(tài)。狀態(tài)。n氣體流速過高，不僅提高了氣體流速過高，不僅提高了CVD過過程的成本，也會(huì)使氣體分子尤其是程的成本，也會(huì)使氣體分子尤其是活性基團(tuán)在襯底附近的停留時(shí)間過活性基團(tuán)在襯底附近的停留時(shí)

12、間過短、利用率下降。短、利用率下降。 氣體的流動(dòng)氣體的流動(dòng)狀態(tài)還取決狀態(tài)還取決于容器的幾于容器的幾何形狀何形狀n軸對(duì)稱式反應(yīng)容器在襯底表面附近提供的氣軸對(duì)稱式反應(yīng)容器在襯底表面附近提供的氣體流場(chǎng)最為均勻。體流場(chǎng)最為均勻。n水平式容器具有較大的裝填效率，但容器的水平式容器具有較大的裝填效率，但容器的下游處，反應(yīng)物的有效濃度逐漸降低。下游處，反應(yīng)物的有效濃度逐漸降低。n管式容器的裝填效率最高，但在襯底間隙處，管式容器的裝填效率最高，但在襯底間隙處，反應(yīng)氣體的對(duì)流效果較差。反應(yīng)氣體的對(duì)流效果較差。n氣體溫度的不均勻性引起氣體溫度的不均勻性引起的高溫氣體上升、低溫氣的高溫氣體上升、低溫氣體下降的流動(dòng)。

13、體下降的流動(dòng)。n在低溫的容器壁附近，氣在低溫的容器壁附近，氣體的流動(dòng)方向是向下的，體的流動(dòng)方向是向下的，但在容器中心，氣流方向但在容器中心，氣流方向是向上的。這會(huì)影響氣體是向上的。這會(huì)影響氣體流動(dòng)的均勻性，進(jìn)而影響流動(dòng)的均勻性，進(jìn)而影響薄膜沉積的均勻性。薄膜沉積的均勻性。n提高氣體的流動(dòng)速度，可提高氣體的流動(dòng)速度，可以在一定程度上抑制自然以在一定程度上抑制自然對(duì)流的發(fā)生。對(duì)流的發(fā)生。自然對(duì)流自然對(duì)流n襯底表面附近存在流動(dòng)性很差、厚襯底表面附近存在流動(dòng)性很差、厚度為度為 的氣相邊界層。的氣相邊界層。n氣相里的各種組分只有經(jīng)擴(kuò)散過程氣相里的各種組分只有經(jīng)擴(kuò)散過程通過邊界層，才能參與薄膜表面的通過邊

14、界層，才能參與薄膜表面的沉積過程。沉積過程。n反應(yīng)產(chǎn)物也必須經(jīng)擴(kuò)散過程通過邊反應(yīng)產(chǎn)物也必須經(jīng)擴(kuò)散過程通過邊界層，才能離開薄膜表面。界層，才能離開薄膜表面。n氣體組分在擴(kuò)散至薄膜表面之后，氣體組分在擴(kuò)散至薄膜表面之后，還要經(jīng)過還要經(jīng)過表面吸附表面吸附、表面擴(kuò)散表面擴(kuò)散、表表面反應(yīng)面反應(yīng)、反應(yīng)產(chǎn)物脫附反應(yīng)產(chǎn)物脫附等多個(gè)過程，等多個(gè)過程，完成薄膜的沉積過程。完成薄膜的沉積過程。n吸附、反應(yīng)、脫附過程的快慢可能吸附、反應(yīng)、脫附過程的快慢可能成為薄膜沉積過程的控制性環(huán)節(jié)。成為薄膜沉積過程的控制性環(huán)節(jié)。n氣相組分向襯底表面的擴(kuò)散通量為氣相組分向襯底表面的擴(kuò)散通量為J。n在到達(dá)襯底表面以后，它被襯底表面俘獲

15、的幾在到達(dá)襯底表面以后，它被襯底表面俘獲的幾率為率為 ，被反射離開襯底表面的幾率為，被反射離開襯底表面的幾率為1- 。n被俘獲的分子只是被物理吸附于表面，它還可被俘獲的分子只是被物理吸附于表面，它還可以沿襯底表面進(jìn)行一定距離的擴(kuò)散。以沿襯底表面進(jìn)行一定距離的擴(kuò)散。n在擴(kuò)散過程中，一些分子會(huì)獲得適當(dāng)?shù)脑跀U(kuò)散過程中，一些分子會(huì)獲得適當(dāng)?shù)哪芰?，?jīng)脫附過程離開襯底。能量，經(jīng)脫附過程離開襯底。n能夠從物理吸附態(tài)進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為化學(xué)吸能夠從物理吸附態(tài)進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為化學(xué)吸附態(tài)的分子只占擴(kuò)散通量附態(tài)的分子只占擴(kuò)散通量J的一部分，相的一部分，相應(yīng)的轉(zhuǎn)化幾率被稱為化學(xué)吸附幾率應(yīng)的轉(zhuǎn)化幾率被稱為化學(xué)吸附幾率 。n在已被化

16、學(xué)吸附的分子中，只有部分分在已被化學(xué)吸附的分子中，只有部分分子最終溶入薄膜之中，其余分子通過脫子最終溶入薄膜之中，其余分子通過脫附過程又返回氣相之中。附過程又返回氣相之中。n在擴(kuò)散來的通量在擴(kuò)散來的通量J中，最終溶入薄膜的分中，最終溶入薄膜的分子比例被稱為凝聚系數(shù)子比例被稱為凝聚系數(shù)Sc。n在各種物理氣相沉積過程中，薄膜在各種物理氣相沉積過程中，薄膜的沉積速率只取決于蒸發(fā)、濺射來的沉積速率只取決于蒸發(fā)、濺射來的物質(zhì)通量，即的物質(zhì)通量，即Sc 1。n對(duì)于對(duì)于CVD過程，尤其是當(dāng)襯底溫度過程，尤其是當(dāng)襯底溫度很低或襯底表面已經(jīng)被吸附分子覆很低或襯底表面已經(jīng)被吸附分子覆蓋的情況下，蓋的情況下，Sc的

17、數(shù)值可能很小。的數(shù)值可能很小。在氣相與固相處于平衡的情況下，在氣相與固相處于平衡的情況下， Sc=0。n當(dāng)分子沿曲線當(dāng)分子沿曲線ac接近襯底時(shí)，由于存在能量勢(shì)接近襯底時(shí)，由于存在能量勢(shì)壘壘Ea，分子將首先進(jìn)入物理吸附態(tài)，分子將首先進(jìn)入物理吸附態(tài)a。n當(dāng)分子沿曲線當(dāng)分子沿曲線bc接近襯底時(shí)，分子可先進(jìn)入物接近襯底時(shí)，分子可先進(jìn)入物理吸附態(tài)理吸附態(tài)b，也可直接轉(zhuǎn)化至化學(xué)吸附態(tài)，也可直接轉(zhuǎn)化至化學(xué)吸附態(tài)c。n具體發(fā)生的反應(yīng)過程取決于擴(kuò)散來的分子的能量具體發(fā)生的反應(yīng)過程取決于擴(kuò)散來的分子的能量以及吸附能量曲線的具體形狀。以及吸附能量曲線的具體形狀。n濺射法濺射法制備薄膜，入射原子一般具有較高制備薄膜，

18、入射原子一般具有較高能量。這時(shí)，原子可以直接與薄膜表面的能量。這時(shí)，原子可以直接與薄膜表面的原子發(fā)生反應(yīng)，完成沉積過程。原子發(fā)生反應(yīng)，完成沉積過程。n在各種在各種等離子體輔助等離子體輔助的沉積方法中，等離的沉積方法中，等離子體可有效地提高入射粒子的能量，直接子體可有效地提高入射粒子的能量，直接完成粒子的沉積過程。完成粒子的沉積過程。n在在熱蒸發(fā)或普通熱蒸發(fā)或普通CVD方法制備薄膜的情況方法制備薄膜的情況下，入射分子、原子的能量一般較低。這下，入射分子、原子的能量一般較低。這時(shí)，粒子的沉積過程一般先經(jīng)過物理吸附時(shí)，粒子的沉積過程一般先經(jīng)過物理吸附態(tài)的階段，然后進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為化學(xué)吸附態(tài)態(tài)的階段，然后

19、進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為化學(xué)吸附態(tài)或脫附返回氣相中。兩種過程都需要吸收或脫附返回氣相中。兩種過程都需要吸收一定的能量，克服相應(yīng)的能量勢(shì)壘。一定的能量，克服相應(yīng)的能量勢(shì)壘。CVD裝置的幾個(gè)基本部分：裝置的幾個(gè)基本部分：n反應(yīng)氣體和載氣的供給和計(jì)量裝置反應(yīng)氣體和載氣的供給和計(jì)量裝置n必要的加熱和冷卻系統(tǒng)必要的加熱和冷卻系統(tǒng)n反應(yīng)產(chǎn)物氣體的排出裝置或真空系統(tǒng)反應(yīng)產(chǎn)物氣體的排出裝置或真空系統(tǒng)分類：分類：n高溫、低溫高溫、低溫CVDn常壓、低壓常壓、低壓CVDn冷壁、熱壁式冷壁、熱壁式CVDn薄膜制備時(shí)兩個(gè)最重要的物理量：氣薄膜制備時(shí)兩個(gè)最重要的物理量：氣相反應(yīng)物的過飽和度；沉積溫度。相反應(yīng)物的過飽和度；沉積溫度。

20、n兩者結(jié)合起來決定薄膜沉積過程中的兩者結(jié)合起來決定薄膜沉積過程中的形核率、沉積速率和薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。形核率、沉積速率和薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。n通過調(diào)節(jié)上述兩個(gè)參數(shù)，獲得的沉積通過調(diào)節(jié)上述兩個(gè)參數(shù)，獲得的沉積產(chǎn)物可以是單晶或多晶狀態(tài)，也可以產(chǎn)物可以是單晶或多晶狀態(tài)，也可以是非晶狀態(tài)。是非晶狀態(tài)。n要想得到結(jié)構(gòu)完整的單晶薄膜，要求要想得到結(jié)構(gòu)完整的單晶薄膜，要求氣相的過飽和度要低，沉積溫度要高。氣相的過飽和度要低，沉積溫度要高。相反條件則促進(jìn)多晶甚至非晶薄膜的相反條件則促進(jìn)多晶甚至非晶薄膜的生成。生成。n在強(qiáng)調(diào)薄膜晶體質(zhì)量時(shí)，多采用高溫在強(qiáng)調(diào)薄膜晶體質(zhì)量時(shí)，多采用高溫CVD系統(tǒng)，而在強(qiáng)調(diào)材料的低溫制系統(tǒng)

21、，而在強(qiáng)調(diào)材料的低溫制備條件時(shí)，多使用低溫備條件時(shí)，多使用低溫CVD系統(tǒng)。系統(tǒng)。n高溫高溫CVD系系統(tǒng)被廣泛用統(tǒng)被廣泛用于制備半導(dǎo)于制備半導(dǎo)體外延薄膜，體外延薄膜，以確保薄膜以確保薄膜材料的生長(zhǎng)材料的生長(zhǎng)質(zhì)量。分為質(zhì)量。分為熱壁式和冷熱壁式和冷壁式。壁式。n高溫高溫CVD系統(tǒng)：半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)，系統(tǒng)：半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)，金屬部件耐磨涂層的制備。金屬部件耐磨涂層的制備。n低溫低溫CVD系統(tǒng)：各類絕緣介質(zhì)薄膜，如系統(tǒng)：各類絕緣介質(zhì)薄膜，如SiO2、Si3N4等。等。n工作壓力工作壓力P0.1MPa，與常壓，與常壓CVD相比，低壓相比，低壓CVD裝置工作壓力常低至裝置工作壓力常低至100Pa左

22、右。左右。n反應(yīng)氣體的擴(kuò)散系數(shù)反應(yīng)氣體的擴(kuò)散系數(shù)D提高約三個(gè)數(shù)量級(jí)。提高約三個(gè)數(shù)量級(jí)。n氣體的流速提高氣體的流速提高12個(gè)數(shù)量級(jí)。個(gè)數(shù)量級(jí)。n薄膜沉積速率提高一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。薄膜沉積速率提高一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。n為了抵消工作壓力降低的影響，需要提高反應(yīng)為了抵消工作壓力降低的影響，需要提高反應(yīng)氣體在氣體總量中的濃度比。氣體在氣體總量中的濃度比。n沉積速率高沉積速率高n厚度均勻性好厚度均勻性好n氣相形核引起顆粒污染的幾率小氣相形核引起顆粒污染的幾率小n薄膜較為致密薄膜較為致密n需要一套真空泵系統(tǒng)維持整個(gè)系統(tǒng)的需要一套真空泵系統(tǒng)維持整個(gè)系統(tǒng)的工作氣壓。工作氣壓。n將襯底垂直排列也會(huì)大大降低顆粒物將襯底垂直排列也會(huì)大大降低顆粒物污染的幾率。污染的幾率。n采用激光作為輔助的激發(fā)