1、 晶圓級芯片封裝測試及倒貼片項目一期前道設(shè)備采購采購需求方案采購人：淄博高新產(chǎn)業(yè)投資有限公司采購代理機構(gòu)：山東中慧咨詢管理有限公司項目名稱：晶圓級芯片封裝測試及倒貼片項目一期前道設(shè)備采購編制時間：2021年7月13日 一、采購項目需實現(xiàn)的功能：晶圓級芯片封裝測試及倒貼片項目一期前道設(shè)備采購 落實政府采購政策需滿足的要求：（1）節(jié)能、環(huán)保產(chǎn)品（2）小型和微型企業(yè)（3）監(jiān)獄企業(yè)（4）殘疾人福利性單位 二、采購項目需執(zhí)行的標準： 與本項目有關(guān)法律法規(guī)標準規(guī)范和滿足國家、省市相關(guān)規(guī)范及其他相關(guān)專業(yè)現(xiàn)行規(guī)范及標準。 三、采購要求：本次招標共 3 個包，供應(yīng)商必須按招標文件要求對采購的全部內(nèi)容及要求做出報

2、價響應(yīng)，否則作廢標處理。（一）采購項目名稱及預算：項目名稱：晶圓級芯片封裝測試及倒貼片項目一期前道設(shè)備采購；預算金額：（大寫）貳億叁仟零捌拾柒萬元整（230870000元）。（二）采購項目通用要求項目要求常規(guī)標準1、設(shè)備用途：用于生產(chǎn)及檢測12/8吋晶圓凸塊產(chǎn)品。2、典型產(chǎn)品構(gòu)造：direct bump, 1P1M, 2P2M。3、典型電鍍凸塊：Cu/SnAg 40-60um/20-30um。4、典型植球凸塊：150um-300um。常規(guī)配置要求1、設(shè)備內(nèi)部密封：確保設(shè)備內(nèi)部處于獨立于生產(chǎn)車間的孤立狀態(tài)；2、主控計算機：包含實現(xiàn)設(shè)備完整功能的軟件且能夠自我備份和記錄日志；3、Barcode/R

3、fid Reader：具備，并注明具備具體哪種reader；4、UPS：確保保護產(chǎn)品不受損壞、支持到完成log寫入的UPS。通訊要求支持SECS-GEM通訊協(xié)議，非自動化設(shè)備除外安全標準設(shè)備應(yīng)符合SEMI S2 93A、SEMI S2-0200或SEMI S2 0302安全標準，如有日本設(shè)備應(yīng)符合JIS安全標準（三）采購項目清單及技術(shù)要求包A：前道工藝設(shè)備序號設(shè)備名稱技術(shù)參數(shù)單位數(shù)量1濺鍍機1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸

4、要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、真空腔室漏氣率要求：10000nTorr/Min；8、多片Degas加熱均勻性（+/-, ）要求：200；12、沉積速率（A/Min）要求：700（STD Ti）/2300（STD Cu）；13、片間電阻均勻性（%, 1）：5；14、片內(nèi)電阻均勻性（%, 1）：5；15、Proclean片間均勻性（%, 1）：5；16、Proclean片內(nèi)均勻性（%, 1）：5。臺12

5、光刻膠涂布機1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、涂布均勻性要求：5% (片內(nèi)，從wafer 3mm以內(nèi))，for 20um膠厚以下；10% (片內(nèi)，從wafer 3mm以內(nèi))，for 超過20um膠厚；

6、4% (片間)；8、打膠量控制精度：1-16ml+/-0.1ml；9、熱盤溫度范圍：R.T180；10、冷盤溫度范圍：2025；11、熱盤溫度誤差：2；12、冷盤溫度誤差：0.5；13、勻膠槍體溫度精度；230.5；14、勻膠槍體溫度精度：455%；15、工藝要求：涂布時保證無氣泡、洗邊流量位置控制精確；16、工藝控制：實時監(jiān)控工藝參數(shù)和關(guān)鍵機臺參數(shù)，超范圍報警，并可隨時追溯歷史參數(shù)；17、EBR精度范圍：1.4 0.2mm。臺13光刻機1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Foup、Casset

7、te；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、曝光波長：i-line, ghi-line；8、照明均勻性：誤差小于3%；9、劑量精度：誤差小于2%；10、關(guān)鍵尺寸 L/S：2um；11、CD均勻性：10%BF&BE；12、DOF：10um2um L/S；13、硅片曝光強度：2000mW/c（ghi-line）；14、產(chǎn)率：以1000mj計算。臺14顯影機1、自動上下料

8、機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、轉(zhuǎn)速精度：1rpm（503000rpm） ；8、熱盤溫度范圍：R.T180；9、冷盤溫度范圍：2025；10、熱盤溫度誤差：2；11、冷盤溫度誤差：0.5；12、顯影液、定影液流量

9、精度：2%；13、工藝控制：實時監(jiān)控工藝參數(shù)和關(guān)鍵機臺參數(shù)，超范圍報警，并可隨時追溯歷史參數(shù)；14、Chiller溫度誤差：231。臺15介電層固化爐1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、支持硅片尺寸：12吋&8吋兼容；Notch、Flat兼容；3、硅片翹曲度支持3mm；4、LoadPort要求：2進2出，支持Foup、Casset等；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、自動化（CIM）接口：具備兼容性接口；8、最

10、大操作溫度：750；9、控溫精度：5；10、工藝控制：實時監(jiān)控工藝參數(shù)和關(guān)鍵機臺參數(shù)，超范圍報警，并可隨時追溯歷史參數(shù)。臺16干刻蝕設(shè)備1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、支持硅片尺寸：12吋&8吋兼容；Notch、Flat兼容；3、硅片翹曲度支持3mm；4、LoadPort要求：2進2出，支持Foup、Casset等；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：設(shè)備接地電阻Rg：1，報警器通過ESD校準；7、自動化（CIM）接口：具備兼容性接口；8、片內(nèi)刻蝕速率均一性（49pt, EE5mm)： 10%；9、片間刻蝕速率均一性（49pt,

11、EE5mm)：5%；10、工藝控制：實時監(jiān)控工藝參數(shù)和關(guān)鍵機臺參數(shù)，超范圍報警，并可隨時追溯歷史參數(shù)；11、水滴角：40；12、工藝控壓精度：0.05Torr ；13、下電極溫度范圍：540；14、下電極溫度精度：0.5。臺17晶圓電鍍機1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30

12、cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、工藝控制：實時監(jiān)控工藝參數(shù)和關(guān)鍵機臺參數(shù)，超范圍報警，并可隨時追溯歷史參數(shù)；8、片間均勻性（%, 1）：8；9、片內(nèi)均勻性（%, 1）：8；10、重布線片內(nèi)均勻性（%, 1）：150A/s；8、Ti腐蝕速率：15A/s；9、Cu腐蝕片內(nèi)/片間均勻性分別是10%和10%；10、Ti腐蝕片內(nèi)/片間均勻性分別是10%和10%；11、Cu、Ti單邊undercut：1.5um。臺110植球機1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Fou

13、p、Cassette；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（至少支持Notch）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、圖像識別功能：可自動定位晶圓；8、對準精度：25m或1/3球直徑；9、最小晶圓厚度：200m；10、最小植球直徑：60um；11、最大植球直徑：300m；12、植球成功率：94%。臺111回流爐1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadP

14、ort，支持Foup、Cassette；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（至少支持Notch）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、溫控要求：最高溫度：400；誤差2（200條件下）；8、含氧量：50PPM；9、涂布機轉(zhuǎn)速偏差3%；10、噴涂品質(zhì)需求：均勻涂布，無中斷、氣泡、,拉扯、漏滴、晶背無殘留。臺1包B：前道輔助工藝設(shè)備序號設(shè)備名稱技術(shù)參數(shù)單位數(shù)量1FOUP清洗機1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三

15、方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋&8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、最大壓強10Mpa；8、清洗要求：干進干出，不傷害部件本體；9、顆粒去除率99。臺12Wafer分片機1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、硅片翹曲度支持3mm；3、支持硅片尺寸要

16、求：12吋&8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；4、破片率10ppm；5、設(shè)備ESD保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；6、Load Port：4；7、產(chǎn)率：180WPH（OCRPre Aligner ）臺13Wafer清洗機1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Foup、Cassette。3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率1

17、0ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、顆粒去除能力要求：作業(yè)完圓片表面尺寸2um，顆粒少于40個；8、圓片清洗質(zhì)量：圓片正反面均無水印，無圓片缺陷；9、腔體數(shù)量及要求：單片式清洗，至少清洗四個腔體，四個均具備充CO2功能，且其中至少兩個腔體具備水加熱功能；10、清洗要求：同時擁有二流體和高壓（Max10MPa）清洗功能，干進干出。臺14光刻板清洗機1、清潔光刻版尺寸：6寸、9寸和14寸；2、光刻版位置檢測功能、熱水及水槍、設(shè)備run貨記錄：必備；3、清洗能力：除污率 99.

18、99；4、UPH：2 pcs/hr。臺15補球機1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（至少支持Notch）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、圖像識別功能：可自動定位晶圓；8、對準精度：25m或1/3球直徑；9、晶圓厚度：200m；10、最小植球直徑：60um；11、最

19、大植球直徑：300m；12、補球后良率：99.5%。臺1包C：前道檢測設(shè)備序號設(shè)備名稱技術(shù)參數(shù)單位數(shù)量1半自動顯微鏡1、硅片翹曲度支持3mm；2、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋（支持Notch或支持Flat）；3、破片率10ppm；4、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；5、支持明暗場功能；6、拍照和存檔要求：可實時進行圖像的預覽和拍照保存，支持數(shù)據(jù)導出；7、放大倍數(shù)要求：25X500X（至少四檔）；8、晶圓自動傳送要求：在手不接觸wafer的情況下進行晶圓傳送和檢查；9、光源要求：長壽命

20、LED冷光源照明，壽命不小于2萬小時。臺22手動顯微鏡1、硅片翹曲度支持3mm；2、破片率10ppm；3、設(shè)備ESD 保護搭建：ESD保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；4、支持明暗場功能；5、拍照和存檔要求：可實時進行圖像的預覽和拍照保存，支持數(shù)據(jù)導出；6、放大倍數(shù)要求：25X1000X（至少四檔）；7、光源要求：長壽命LED冷光源照明，壽命不小于2萬小時。臺23剪力量測儀1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：不要求；3、硅片翹曲度

21、支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、清除殘留要求：須能自動化推球、拉球且作業(yè)后可清除殘留錫球；8、管制界限要求：機臺可設(shè)定測力數(shù)值的管制界限，超過界限發(fā)出警告，保證在自動作業(yè)時不會因機臺錯誤或誤判造成產(chǎn)品異常問題；9、感測器重復性精度：0.08%；10、偏移距離要求：對位點可抓取的偏移距離最大為0.15mm，且執(zhí)行下刀位置不可觸碰其他Bump。臺14XRF電鍍層檢測儀1、硅片翹

22、曲度支持3mm；2、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；3、破片率10ppm；4、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；5、測量內(nèi)容：測量Sn、Ag含量；6、測量精度：5%。臺15晶圓外觀檢測及測量設(shè)備1、自動上下料機構(gòu)（EFEM）要求：具備，并支持使用方與第三方建立的CIM系統(tǒng)；2、LoadPort要求：至少兩個LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翹曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；

23、5、破片率10ppm；6、設(shè)備ESD 保護搭建：靜電電壓小于35V；設(shè)備接地電阻小于1；距離小于30cm時，消散時間小于15秒；距離大于30cm時，消散時間小于30秒；7、檢測要求：可檢測出10um的各類缺陷，綜合檢出率95%；8、支持明暗場功能；9、移動平臺：各軸分辨率0.1m；10、垂直方向分辨率：0.3m；11、3D 檢測效率：20WPH（200mm wafer）；2D 檢測效率： 35 WPH for 5X（物鏡）（200mm wafer）。臺1特別說明：投標產(chǎn)品參數(shù)不得完全復制采購文件中的技術(shù)要求作實質(zhì)性響應(yīng)。各投標人在投標文件中須提供滿足設(shè)備技術(shù)參數(shù)各項指標的技術(shù)描述或證明，如果評

24、審專家根據(jù)投標文件無法判斷所報設(shè)備是否滿足采購文件要求，則評審專家有權(quán)根據(jù)評標辦法得分給予最低得分或最低檔區(qū)間得分。投標供應(yīng)商應(yīng)選擇滿足或高于以上技術(shù)要求的產(chǎn)品進行報價。如有不一致的地方，供應(yīng)商應(yīng)逐一列在規(guī)格性能偏離表中。對招標要求虛假響應(yīng)者，一經(jīng)查實按廢除其投標資格處理。 = 2 * GB3 * MERGEFORMAT 為保證正常工作需要，采購人在落實擬采購貨物的“采購項目清單及技術(shù)參數(shù)”要求時，根據(jù)以往工作經(jīng)驗、并通過網(wǎng)絡(luò)等途徑參考了部分廠家相應(yīng)型號的產(chǎn)品，“采購項目清單及技術(shù)參數(shù)”中如有涉及產(chǎn)品廠家或產(chǎn)品型號時，僅出于描述技術(shù)參數(shù)、性能要求的需要，采購人不存在指定廠家、指定品牌型號的意向

25、。（四）貨物要求1、貨物必須為合格產(chǎn)品，質(zhì)量達到國家有關(guān)標準，供應(yīng)商供貨時須提供有關(guān)貨物（包括原材料、燃料、設(shè)備、產(chǎn)品等）的合格證明材料、詳細技術(shù)資料和檢測報告等。2、供應(yīng)商應(yīng)保證貨物是全新、未使用過的合格產(chǎn)品，如投標設(shè)備非全新設(shè)備，應(yīng)當明確說明。并完全符合合同規(guī)定的質(zhì)量、規(guī)格和性能的要求。供應(yīng)商應(yīng)保證所提供的貨物經(jīng)正確安裝、正常運轉(zhuǎn)和保養(yǎng)后，在其使用壽命期內(nèi)應(yīng)具有滿意的性能。在貨物質(zhì)量保證期內(nèi)供應(yīng)商應(yīng)對由于設(shè)計、工藝或者材料的缺陷而發(fā)生的任何不足或者故障負責。3、本項目設(shè)備：濺鍍機、光刻膠涂布機、光刻機、顯影機、介電層固化爐、干刻蝕設(shè)備、晶圓電鍍機、光刻膠剝除機、金屬刻蝕機、植球機、回流爐、

26、FOUP清洗機、Wafer分片機、Wafer清洗機、光刻板清洗機、補球機、半自動顯微鏡、手動顯微鏡、剪力量測儀、XRF電鍍層檢測儀、晶圓外觀檢測及測量設(shè)備；以上設(shè)備均可采購進口產(chǎn)品，但不對國產(chǎn)設(shè)備加以限制。進口產(chǎn)品是指通過中國海關(guān)報關(guān)，驗放進入中國境內(nèi)，且產(chǎn)自關(guān)境外的產(chǎn)品。投標供應(yīng)商所投貨物是進口產(chǎn)品的，必須保證貨物的來源合法，報價為人民幣完稅價格。若中標，在貨物驗收的同時必須提供該貨物的海關(guān)進口證明、海關(guān)貨物報關(guān)單復印件、產(chǎn)品合格證書和商檢證明。（五）中標后設(shè)備供貨時提供隨機資料清單：1、裝箱清單。2、設(shè)備完整的使用手冊（包含使用說明書、操作手冊、維修及安裝說明等）：至少1套潔凈紙質(zhì)版和1套

27、存有電子版的U盤。3、出廠檢驗報告。（六）安裝、技術(shù)支持及培訓1、中標供應(yīng)商接到采購人通知后1周內(nèi)執(zhí)行設(shè)備現(xiàn)場安裝，并需遵守采購方的規(guī)章制度。2、提前提供安裝所需信息，且雙方需提前制定安裝計劃，包括硬件安裝及驗收的時間表及所需人力。3、中標供應(yīng)商負責整套裝置的用戶現(xiàn)場調(diào)試工作, 安裝調(diào)試驗收發(fā)生的費用由中標供應(yīng)商承擔。4、中標供應(yīng)商負責對采購方人員進行至少2人的原理、操作、維護、保養(yǎng)、安全、檢修培訓，保證采購方人員能獨立操作、維護、保養(yǎng)、檢修工作。每種設(shè)備培訓時間至少5個工作日。（七）驗收 1、指標驗收方案：投標供應(yīng)商須根據(jù)設(shè)備功能與配置、技術(shù)指標要求編制驗收方案。驗收方案中應(yīng)列出主要技術(shù)指標

28、的測試方法。指標驗收方案須列在投標文件中。2、 驗收條件和規(guī)格：根據(jù)出廠和現(xiàn)場驗收方案驗收所有的配置、功能和技術(shù)指標。3、乙方須提供出廠驗收報告，經(jīng)甲方及設(shè)備使用方確認后方可發(fā)貨。4、最終驗收在甲乙雙方及設(shè)備使用方三方授權(quán)代表均在場的情況下按照現(xiàn)場驗收方案逐項進行。乙方須提供最終驗收報告，由甲乙雙方及設(shè)備使用方三方共同簽署后證明完成設(shè)備最終驗收。如發(fā)現(xiàn)非合格產(chǎn)品或產(chǎn)品與投標文件不一致時或產(chǎn)品達不到使用要求以及有其他質(zhì)量問題時，中標供應(yīng)商須無條件修復或更換，以確保系統(tǒng)性能，否則采購人有權(quán)拒收并要求中標供應(yīng)商賠償由此對采購人造成的損失。（八）其他要求1、以上貨物的質(zhì)量標準均須符合國家、行業(yè)相關(guān)標準

29、要求。上述標準不一致的，以國家標準為準；沒有國家標準、行業(yè)標準的，按照通常標準或者符合合同目的的特定標準確定。2、中標供應(yīng)商須保證其所出售的上述貨物均為全新的的合格產(chǎn)品，且須保證其所出售的上述貨物沒有侵犯任何第三人的知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)秘密等權(quán)利，如采購人使用中標供應(yīng)商貨物構(gòu)成上述侵權(quán)的，則由中標供應(yīng)商承擔全部責任。3、中標供應(yīng)商所提供的貨物必須符合合同規(guī)定的規(guī)格、質(zhì)量，如不符時，中標供應(yīng)商應(yīng)負全責并免費更換全部不合格貨物。所有因貨物規(guī)格不符、質(zhì)量不符及損壞而造成的項目延誤和由此產(chǎn)生的相關(guān)費用由中標供應(yīng)商負責。同時，采購人有權(quán)終止合同。對采購人造成損失的，由中標供應(yīng)商承擔賠償責任。4、交貨時間：自合同簽訂之日起4個月內(nèi)全部交貨并安裝調(diào)試完畢。4.1乙方應(yīng)按付款進度在甲方付款5個工作日前出具發(fā)票。4.2乙方對于交貨前的付款應(yīng)隨發(fā)票交付交機協(xié)議，協(xié)議里含設(shè)備交機時間。4.3如有不可抗力因素發(fā)生導致交期超出原訂日期，乙方應(yīng)在上述事件發(fā)生后 3日內(nèi)發(fā)函通知甲方或設(shè)備使用方可推遲交貨日期，推遲交貨的日期應(yīng)獲得甲方或設(shè)備使用方同意許可。（九）質(zhì)量保證與售后服務(wù)1、質(zhì)保期：設(shè)備質(zhì)保期為自甲乙雙方及設(shè)備使用方共同簽署最終驗收報告之日起1年。質(zhì)保期內(nèi)，因乙方責任導致的設(shè)備或設(shè)備零部