電路與模擬電子技術(shù)

原理第六章半導(dǎo)體元器件14:10:171電路與模擬電子技術(shù)

原理第六章08:58:171第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管6.2半導(dǎo)體6.3半導(dǎo)體二極管6.4晶體管6.5場效應(yīng)晶體管14:10:172第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管08:58:6.1從電子管到晶體管真空電子二極管單向?qū)щ娦裕宏帢O加熱后發(fā)射電子，陽極吸收電子真空電子三極管放大效應(yīng)柵極電壓控制從陰極到達(dá)陽極電子的數(shù)量電壓→控制→電流14:10:1736.1從電子管到晶體管真空電子二極管08:58:173真空管（電子管）14:10:174真空管（電子管）08:58:174第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管6.2半導(dǎo)體6.3半導(dǎo)體二極管6.4晶體管6.5場效應(yīng)晶體管14:10:175第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管08:58:6.2半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，稱為半導(dǎo)體。熱敏性→測溫光敏性→測光光伏電池發(fā)光光源14:10:1766.2半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，稱為半6.2.1本征半導(dǎo)體純凈晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。四價元素硅鍺14:10:1776.2.1本征半導(dǎo)體純凈晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體（續(xù)）四價元素構(gòu)成本征半導(dǎo)體14:10:178本征半導(dǎo)體（續(xù)）四價元素構(gòu)成本征半導(dǎo)體08:58:188本征半導(dǎo)體（續(xù)）帶負(fù)電的自由電子，和帶正電的空穴，統(tǒng)稱為載流子。在受熱（熱激發(fā)）或者光照（光激發(fā)）時，共價鍵中的價電子可能獲得一定的能量，少數(shù)價電子擺脫共價鍵的束縛而成為自由電子，同時在共價鍵中留下空位，稱為空穴14:10:179本征半導(dǎo)體（續(xù)）帶負(fù)電的自由電子，和帶正電的空穴，統(tǒng)稱為載流本征半導(dǎo)體（續(xù)）“本征”的含義，是指載流子的濃度取決于半導(dǎo)體自身的固有（本征）特征。在一定溫度下，載流子的濃度保持一定產(chǎn)生過程與復(fù)合過程相對平衡。本征半導(dǎo)體中的載流子濃度除了與半導(dǎo)體材料自身特性有關(guān)以外，還與溫度、光照等因素有關(guān)。14:10:1710本征半導(dǎo)體（續(xù)）“本征”的含義，是指載流子的濃度取決于半導(dǎo)6.2.2雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，熱穩(wěn)定性也很差，改進(jìn)方式→摻入雜質(zhì)根據(jù)摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同，N（Negative）型半導(dǎo)體P（Positive）型半導(dǎo)體14:10:17116.2.2雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，熱穩(wěn)定性也1．N型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入微量五價元素，如磷、銻、砷等自由電子為多數(shù)載流子（多子），空穴為少數(shù)載流子（少子）。14:10:17121．N型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入微量五價元素，如磷、銻、砷等2．P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入三價元素，如硼、鋁、鎵等空穴為多子自由電子為少子14:10:17132．P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入三價元素，如硼、鋁、鎵等06.2.3PN結(jié)PN結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的核心在一塊硅片上，一邊N型半導(dǎo)體，另一邊P型半導(dǎo)體，交界面處形成PN結(jié)。14:10:17146.2.3PN結(jié)PN結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的核心082．PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止14:10:17152．PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止08:58:19153．PN結(jié)的反向擊穿特性當(dāng)反向電壓超過一定數(shù)值時，PN結(jié)電阻突然減小、反向電流突然增大，這種現(xiàn)象稱為PN結(jié)的反向擊穿。PN結(jié)的反向擊穿有兩種類型：齊納擊穿雪崩擊穿電擊穿是可逆的，熱擊穿不可逆14:10:17163．PN結(jié)的反向擊穿特性當(dāng)反向電壓超過一定數(shù)值時，PN結(jié)電4．PN結(jié)方程流過PN結(jié)的電流i與外加電壓u之間的關(guān)系為IS為PN結(jié)的反向飽和電流；UT＝kT/q，為溫度的電壓當(dāng)量或熱電壓，在T＝300K（室溫）時，UT＝26mV。

14:10:17174．PN結(jié)方程流過PN結(jié)的電流i與外加電壓u之間的關(guān)系為PN結(jié)的伏安特性曲線溫度升高時，正向特性曲線向左移動，反向特性曲線向下移動。14:10:1718PN結(jié)的伏安特性曲線溫度升高時，08:58:19185．PN結(jié)的電容效應(yīng)當(dāng)PN結(jié)上的外加電壓變化時，會引起PN結(jié)（即耗盡層）所存儲的電荷量的變化，PN結(jié)所具有的這種“電壓變化引起電荷量變化”的特征，就是PN結(jié)的的電容效應(yīng)。根據(jù)結(jié)電容的成因，可分為勢壘電容擴(kuò)散電容。14:10:17195．PN結(jié)的電容效應(yīng)當(dāng)PN結(jié)上的外加電壓變化時，會引起PN第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管6.2半導(dǎo)體6.3半導(dǎo)體二極管6.4晶體管6.5場效應(yīng)晶體管14:10:1720第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管08:58:6.3半導(dǎo)體二極管二極管（Diode）的核心特性——單向?qū)щ娦栽谝粋€電流方向上的電阻很?。ɡ硐肭闆r是零），在另一個電流方向上的電阻卻很大（理想情況是無窮大）14:10:17216.3半導(dǎo)體二極管二極管（Diode）的核心特性——單6.3.1基本結(jié)構(gòu)14:10:17226.3.1基本結(jié)構(gòu)08:58:20226.2.2二極管的特性1．二極管的伏安特性曲線14:10:17236.2.2二極管的特性1．二極管的伏安特性曲線08:二極管的伏安特性曲線（續(xù)）（1）正向特性死區(qū)電壓（也稱開啟電壓）Uth

導(dǎo)通電壓Uon

（2）反向特性反向飽和→反向擊穿（3）溫度特性溫度升高，正向特性曲線向左移，反向特性曲線向下移14:10:1724二極管的伏安特性曲線（續(xù)）（1）正向特性08:58:20242．二極管的特性參數(shù)（1）最大整流電流IF

（2）最大反向工作電壓URM

（3）反向電流IR

（4）最高工作頻率fM

14:10:17252．二極管的特性參數(shù)（1）最大整流電流IF08:58:26.2.3二極管的應(yīng)用利用二極管的特性：單向?qū)щ娦苑聪驌舸┨匦岳硐攵O管：正向?qū)〞r，二極管視為短路，正向電阻為零，正向壓降忽略不計；反向截止時，二極管視為開路，反向電阻為無窮大，反向電流忽略不計。14:10:17266.2.3二極管的應(yīng)用利用二極管的特性：08:58:21．二極管整流（檢波）電路利用：單向?qū)щ娦?4:10:17271．二極管整流（檢波）電路利用：單向?qū)щ娦?8:58:212．二極管限幅電路利用：單向?qū)щ娦?4:10:17282．二極管限幅電路利用：單向?qū)щ娦?8:58:2128二極管限幅電路（續(xù)）二極管限幅電路實際上就是確保輸出電壓不能高于電壓源US。由于限幅電路能夠?qū)⑤斎胄盘栔谐鲋付ǚ鹊牟糠窒髌?，所以也稱為削波電路。

換個角度看，也可以說二極管限幅電路實際上是在電壓源US和輸入電壓ui之間選擇一個較低的電壓作為輸出。

14:10:1729二極管限幅電路（續(xù)）二極管限幅電路實際上就是確保輸出電壓不能3．二極管電平選擇電路（邏輯門電路）

利用：單向?qū)щ娦?4:10:17303．二極管電平選擇電路（邏輯門電路）利用：單向?qū)щ娦?8:二極管與門電路在數(shù)字電路中，通常把高于2.4V的電平當(dāng)作高電平，記為邏輯1，把低于0.8V的電平當(dāng)作低電平，記為邏輯0，此時6-13（a）所示的電路的輸出信號就等于兩個輸入信號的邏輯“與”，所以該電路又稱為二極管與門電路。14:10:1731二極管與門電路在數(shù)字電路中，通常08:58:21314．穩(wěn)壓二極管利用：反向擊穿特性14:10:17324．穩(wěn)壓二極管利用：反向擊穿特性08:58:2232穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓UZ

（2）最大穩(wěn)定工作電流IZmax和最小穩(wěn)定工作電流IZmin

要保證穩(wěn)壓管的反向電壓穩(wěn)定于Uz，必須確保Izmin＜Iz＜Izmax

（3）額定功耗PZM

允許的最大功耗PZM=UZIZmax

14:10:1733穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓UZ08:58:223穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例【例6-1】已知UZ＝6V，IZmin＝5mA，PZM＝150mW，限流電阻R＝1KΩ，負(fù)載電阻RL＝500Ω。分別計算Ui為15V、30V、45V時輸出電壓UO的值。

14:10:1734穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例【例6-1】已知UZ＝6V，IZmin＝5mA穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）【分析】要讓穩(wěn)壓管起到穩(wěn)壓作用，必須滿足兩個條件：①穩(wěn)壓管必須工作在反向擊穿狀態(tài)；②流過穩(wěn)壓管的反向電流必須在IZmin和IZmax之間?！窘狻浚?）根據(jù)PZM計算IZmax

14:10:1735穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）【分析】要讓穩(wěn)壓管起到穩(wěn)壓作用，必須滿足穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）（2）當(dāng)Ui=15V時，假設(shè)DZ開路（穩(wěn)壓管反向截止），計算此時的穩(wěn)壓管兩端電壓

因為DZ開路時時，所計算得到的穩(wěn)壓管兩端電壓小于UZ，所以穩(wěn)壓管截止，UO＝5V。

14:10:1736穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）（2）當(dāng)Ui=15V時，假設(shè)DZ開路（穩(wěn)穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）（3）類似地，當(dāng)Ui=30V時，假設(shè)DZ開路，計算此時的穩(wěn)壓管兩端電壓穩(wěn)壓管已經(jīng)處于反向擊穿狀態(tài)，滿足穩(wěn)壓條件①。再假設(shè)穩(wěn)壓管工作于穩(wěn)壓狀態(tài)，并計算此時的穩(wěn)壓管反向電流14:10:1737穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）（3）類似地，當(dāng)Ui=30V時，假設(shè)DZ穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）計算假定條件下的穩(wěn)壓管反向電流，并判斷其是否處于穩(wěn)壓電流范圍之內(nèi)14:10:1738穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）08:58:2338穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）穩(wěn)壓管反向電流處在IZmin和IZmax之間，滿足穩(wěn)壓條件②，所以穩(wěn)壓管可以正常工作，能起到穩(wěn)壓作用。所以

UO＝UZ＝6V

14:10:1739穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）穩(wěn)壓管反向電流處在IZmin和IZmax穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）（4）類似地，當(dāng)Ui=45V時，假設(shè)DZ開路，計算此時的穩(wěn)壓管兩端電壓

穩(wěn)壓管已經(jīng)處于反向擊穿狀態(tài)，滿足穩(wěn)壓條件①。再假設(shè)穩(wěn)壓管工作，計算此時的穩(wěn)壓管反向電流14:10:1740穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）（4）類似地，當(dāng)Ui=45V時，假設(shè)DZ穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）IZ＝IR-IL＝39-12=27(mA)>IZmax

穩(wěn)壓管反向電流超過IZmax，將因功耗過大而損壞，電路不能正常工作。

14:10:1741穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）08:58:24415．發(fā)光二極管發(fā)光二極管（LED）正向偏置時，二極管導(dǎo)通，N區(qū)的自由電子、P區(qū)的空穴均流向PN結(jié)，二者在PN結(jié)內(nèi)復(fù)合，并釋放光子和聲子。二極管發(fā)光。反向偏置時，二極管不發(fā)光。14:10:17425．發(fā)光二極管發(fā)光二極管（LED）08:58:24426．光電二極管光電二極管（photodiode）又稱光敏二極管可構(gòu)成太陽能電池（有光照而無外加電壓）。在有光照而有外加電壓時，可作為光檢測器件使用時，光電二極管必須反向偏置。14:10:17436．光電二極管光電二極管（photodiode）又稱光敏二電路與模擬電子技術(shù)

原理第六章半導(dǎo)體元器件14:10:1744電路與模擬電子技術(shù)

原理第六章08:58:171第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管6.2半導(dǎo)體6.3半導(dǎo)體二極管6.4晶體管6.5場效應(yīng)晶體管14:10:1745第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管08:58:6.1從電子管到晶體管真空電子二極管單向?qū)щ娦裕宏帢O加熱后發(fā)射電子，陽極吸收電子真空電子三極管放大效應(yīng)柵極電壓控制從陰極到達(dá)陽極電子的數(shù)量電壓→控制→電流14:10:17466.1從電子管到晶體管真空電子二極管08:58:173真空管（電子管）14:10:1747真空管（電子管）08:58:174第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管6.2半導(dǎo)體6.3半導(dǎo)體二極管6.4晶體管6.5場效應(yīng)晶體管14:10:1748第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管08:58:6.2半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，稱為半導(dǎo)體。熱敏性→測溫光敏性→測光光伏電池發(fā)光光源14:10:17496.2半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，稱為半6.2.1本征半導(dǎo)體純凈晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。四價元素硅鍺14:10:17506.2.1本征半導(dǎo)體純凈晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體（續(xù)）四價元素構(gòu)成本征半導(dǎo)體14:10:1751本征半導(dǎo)體（續(xù)）四價元素構(gòu)成本征半導(dǎo)體08:58:188本征半導(dǎo)體（續(xù)）帶負(fù)電的自由電子，和帶正電的空穴，統(tǒng)稱為載流子。在受熱（熱激發(fā)）或者光照（光激發(fā)）時，共價鍵中的價電子可能獲得一定的能量，少數(shù)價電子擺脫共價鍵的束縛而成為自由電子，同時在共價鍵中留下空位，稱為空穴14:10:1752本征半導(dǎo)體（續(xù)）帶負(fù)電的自由電子，和帶正電的空穴，統(tǒng)稱為載流本征半導(dǎo)體（續(xù)）“本征”的含義，是指載流子的濃度取決于半導(dǎo)體自身的固有（本征）特征。在一定溫度下，載流子的濃度保持一定產(chǎn)生過程與復(fù)合過程相對平衡。本征半導(dǎo)體中的載流子濃度除了與半導(dǎo)體材料自身特性有關(guān)以外，還與溫度、光照等因素有關(guān)。14:10:1753本征半導(dǎo)體（續(xù)）“本征”的含義，是指載流子的濃度取決于半導(dǎo)6.2.2雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，熱穩(wěn)定性也很差，改進(jìn)方式→摻入雜質(zhì)根據(jù)摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同，N（Negative）型半導(dǎo)體P（Positive）型半導(dǎo)體14:10:17546.2.2雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，熱穩(wěn)定性也1．N型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入微量五價元素，如磷、銻、砷等自由電子為多數(shù)載流子（多子），空穴為少數(shù)載流子（少子）。14:10:17551．N型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入微量五價元素，如磷、銻、砷等2．P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入三價元素，如硼、鋁、鎵等空穴為多子自由電子為少子14:10:17562．P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入三價元素，如硼、鋁、鎵等06.2.3PN結(jié)PN結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的核心在一塊硅片上，一邊N型半導(dǎo)體，另一邊P型半導(dǎo)體，交界面處形成PN結(jié)。14:10:17576.2.3PN結(jié)PN結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的核心082．PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止14:10:17582．PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止08:58:19153．PN結(jié)的反向擊穿特性當(dāng)反向電壓超過一定數(shù)值時，PN結(jié)電阻突然減小、反向電流突然增大，這種現(xiàn)象稱為PN結(jié)的反向擊穿。PN結(jié)的反向擊穿有兩種類型：齊納擊穿雪崩擊穿電擊穿是可逆的，熱擊穿不可逆14:10:17593．PN結(jié)的反向擊穿特性當(dāng)反向電壓超過一定數(shù)值時，PN結(jié)電4．PN結(jié)方程流過PN結(jié)的電流i與外加電壓u之間的關(guān)系為IS為PN結(jié)的反向飽和電流；UT＝kT/q，為溫度的電壓當(dāng)量或熱電壓，在T＝300K（室溫）時，UT＝26mV。

14:10:17604．PN結(jié)方程流過PN結(jié)的電流i與外加電壓u之間的關(guān)系為PN結(jié)的伏安特性曲線溫度升高時，正向特性曲線向左移動，反向特性曲線向下移動。14:10:1761PN結(jié)的伏安特性曲線溫度升高時，08:58:19185．PN結(jié)的電容效應(yīng)當(dāng)PN結(jié)上的外加電壓變化時，會引起PN結(jié)（即耗盡層）所存儲的電荷量的變化，PN結(jié)所具有的這種“電壓變化引起電荷量變化”的特征，就是PN結(jié)的的電容效應(yīng)。根據(jù)結(jié)電容的成因，可分為勢壘電容擴(kuò)散電容。14:10:17625．PN結(jié)的電容效應(yīng)當(dāng)PN結(jié)上的外加電壓變化時，會引起PN第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管6.2半導(dǎo)體6.3半導(dǎo)體二極管6.4晶體管6.5場效應(yīng)晶體管14:10:1763第6章半導(dǎo)體元器件6.1從電子管到晶體管08:58:6.3半導(dǎo)體二極管二極管（Diode）的核心特性——單向?qū)щ娦栽谝粋€電流方向上的電阻很?。ɡ硐肭闆r是零），在另一個電流方向上的電阻卻很大（理想情況是無窮大）14:10:17646.3半導(dǎo)體二極管二極管（Diode）的核心特性——單6.3.1基本結(jié)構(gòu)14:10:17656.3.1基本結(jié)構(gòu)08:58:20226.2.2二極管的特性1．二極管的伏安特性曲線14:10:17666.2.2二極管的特性1．二極管的伏安特性曲線08:二極管的伏安特性曲線（續(xù)）（1）正向特性死區(qū)電壓（也稱開啟電壓）Uth

導(dǎo)通電壓Uon

（2）反向特性反向飽和→反向擊穿（3）溫度特性溫度升高，正向特性曲線向左移，反向特性曲線向下移14:10:1767二極管的伏安特性曲線（續(xù)）（1）正向特性08:58:20242．二極管的特性參數(shù)（1）最大整流電流IF

（2）最大反向工作電壓URM

（3）反向電流IR

（4）最高工作頻率fM

14:10:17682．二極管的特性參數(shù)（1）最大整流電流IF08:58:26.2.3二極管的應(yīng)用利用二極管的特性：單向?qū)щ娦苑聪驌舸┨匦岳硐攵O管：正向?qū)〞r，二極管視為短路，正向電阻為零，正向壓降忽略不計；反向截止時，二極管視為開路，反向電阻為無窮大，反向電流忽略不計。14:10:17696.2.3二極管的應(yīng)用利用二極管的特性：08:58:21．二極管整流（檢波）電路利用：單向?qū)щ娦?4:10:17701．二極管整流（檢波）電路利用：單向?qū)щ娦?8:58:212．二極管限幅電路利用：單向?qū)щ娦?4:10:17712．二極管限幅電路利用：單向?qū)щ娦?8:58:2128二極管限幅電路（續(xù)）二極管限幅電路實際上就是確保輸出電壓不能高于電壓源US。由于限幅電路能夠?qū)⑤斎胄盘栔谐鲋付ǚ鹊牟糠窒髌?，所以也稱為削波電路。

換個角度看，也可以說二極管限幅電路實際上是在電壓源US和輸入電壓ui之間選擇一個較低的電壓作為輸出。

14:10:1772二極管限幅電路（續(xù)）二極管限幅電路實際上就是確保輸出電壓不能3．二極管電平選擇電路（邏輯門電路）

利用：單向?qū)щ娦?4:10:17733．二極管電平選擇電路（邏輯門電路）利用：單向?qū)щ娦?8:二極管與門電路在數(shù)字電路中，通常把高于2.4V的電平當(dāng)作高電平，記為邏輯1，把低于0.8V的電平當(dāng)作低電平，記為邏輯0，此時6-13（a）所示的電路的輸出信號就等于兩個輸入信號的邏輯“與”，所以該電路又稱為二極管與門電路。14:10:1774二極管與門電路在數(shù)字電路中，通常08:58:21314．穩(wěn)壓二極管利用：反向擊穿特性14:10:17754．穩(wěn)壓二極管利用：反向擊穿特性08:58:2232穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓UZ

（2）最大穩(wěn)定工作電流IZmax和最小穩(wěn)定工作電流IZmin

要保證穩(wěn)壓管的反向電壓穩(wěn)定于Uz，必須確保Izmin＜Iz＜Izmax

（3）額定功耗PZM

允許的最大功耗PZM=UZIZmax

14:10:1776穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓UZ08:58:223穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例【例6-1】已知UZ＝6V，IZmin＝5mA，PZM＝150mW，限流電阻R＝1KΩ，負(fù)載電阻RL＝500Ω。分別計算Ui為15V、30V、45V時輸出電壓UO的值。

14:10:1777穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例【例6-1】已知UZ＝6V，IZmin＝5mA穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）【分析】要讓穩(wěn)壓管起到穩(wěn)壓作用，必須滿足兩個條件：①穩(wěn)壓管必須工作在反向擊穿狀態(tài)；②流過穩(wěn)壓管的反向電流必須在IZmin和IZmax之間?！窘狻浚?）根據(jù)PZM計算IZmax

14:10:1778穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）【分析】要讓穩(wěn)壓管起到穩(wěn)壓作用，必須滿足穩(wěn)壓管應(yīng)用舉例（續(xù)）（2）當(dāng)Ui=15V時，假設(shè)DZ開路（穩(wěn)壓管反向截止），計算此時的穩(wěn)