配合物的化學鍵理論研究中心原子和配體之間結合力的本性，說明配合物的物理和化學性質，如配位數(shù)、幾何構型、磁學性質、光學性質、熱力學穩(wěn)定性和動力學反響性等等。靜電理論價鍵理論晶體場理論配位場理論1a價鍵理論考慮了中心原子和配體的結構，能較好地說明許多配合物的配位數(shù)、幾何構型、磁性質和一些反響活性等問題。價鍵理論只能說明配合物在基態(tài)時的性質，而不能說明與激發(fā)態(tài)有關的性質〔如配合物的各種顏色和光譜〕，也不能說明同一過渡金屬系列中不同配合物的相對穩(wěn)定性等等2a晶體場理論考慮了中心原子的電子結構，考慮中心原子的結構受到配體的靜電場的影響而發(fā)生的變化，因而可看作是改進的靜電理論。晶體場理論沒有考慮中心原子和配體的電子軌道的重疊。因此，用它來說明中心原子和配體的軌道重疊得很少的配合物是比較成功的，但對于重疊得較多的配合物，晶體場理論只能看作是粗糙的近似。另外，晶體場理論仍不能用于特殊低價和特殊高價的配合物，也不能用于羰基配合物、夾心配合物及烯烴配合物。3a配體場理論〔分子軌道理論〕1935年VanVleck首先用分子軌道理論方法來處理配合物的化學鍵問題，遵循成鍵三原那么：能量近似、最大重疊和對稱性匹配原那么。在理論上比晶體場理論等方法更為嚴謹，所得的結果常用來補充晶體場理論的缺乏。4a

顯然,

配合物的配位數(shù)就是中心原子在成鍵時動用的空軌道數(shù)。

價鍵理論(VB理論)要點：配位原子給出孤對電子進入中心原子或離子的空軌道,為了接受這些電子對,中心原子的原子軌道首先要進行雜化形成一組新的具有一定方向性和對稱性的等價雜化軌道,再與配體的給予體軌道重疊形成配鍵。如果中心原子還有適宜的孤對電子,而配體又有適宜的空軌道,這時中心原子上的孤對電子將進入配體空軌道從而形成反響的配鍵。5a

＝

其中n為配合物中的成單電子數(shù),為配合物的磁矩。價鍵理論順利地解釋了配合物的分子構型。顯然,分子構型決定于雜化軌道的類型：

根據(jù)配合物的磁矩可以計算配合物中成單的電子數(shù)并由此確定雜化軌道的類型：配位數(shù)2344雜化軌道spsp2sp3dsp2分子構型直線三角形正四面體正方形配位數(shù)556雜化軌道sp3dd2sp2,d4ssp3d2,d2sp3分子構型三角雙錐四方錐正八面體6a

例,實驗測得Co(CN)63－和CoF63－均有正八面體的結構且磁矩分別為0和.

d2sp36CN－Co(CN)63－：在配位后,

sp3d26F－CoF63－：

在Co(CN)63－中,Co3＋中心離子以d2sp3雜化軌道成鍵,配離子沒有成單電子,顯抗磁性,為內軌型配合物(也叫共價型配合物)。

在CoF63－中,雜化軌道的類型為sp3d2,配離子有4個單電子,顯順磁性,為外軌型配合物(也叫電價配合物)。Co3d74s2:Co3＋3d6：7a外軌型配合物的中心離子的電子結構不受配體影響,保持其自由離子的結構,給予體電子排布在外層軌道,中心離子和配體借靜電引力結合在一起。共價或內軌配合物是中心離子的內層d電子重新排布空出局部軌道參與成鍵,中心離子和配體借較強的共價鍵結合在一起。8a

3、它不能解釋化合物的電子光譜躍遷問題。因為沒有提到反鍵軌道;

1、這一理論認為配合物中所有的3d軌道能量均相同,這是不真實的；

2、3d和4d的能量差較大,但人為地一會兒用3d,一會兒又用4d來成鍵,至少是不恰當?shù)模?/p>

4、應用這一理論時,有時需要把一個電子激發(fā)到較高能級的空軌道,這樣就加進了不切實際的大量能量。9a自由離子Cu2＋由3d激發(fā)一個電子到4p需要的激發(fā)能為1422.6kJ·mol－1,要補賞這個能量,必須使CuX鍵鍵能至少要到達－356kJ·mol－1,Cl－Cl鍵鍵能為－243kJ·mol－1,這說明,形成Cu－Cl鍵放出的能量比形成Cl－Cl鍵放出的能量還要大,這可能是不真實的。根據(jù)這個結構,可以推測Cu2＋的配合物應當很容易地失去未配對的4p電子而迅速氧化為Cu3＋,但事實并非如此。

例如,為了說明Cu2＋配合物的平面四方形構型問題,認為3d電子被激發(fā)到4p能級從而發(fā)生dsp2雜化。Cu2＋dsp24X－CuX42－10a

晶體場理論是一種靜電理論,把中心原子與配體之間的相互作用,看作類似于離子晶體中正負離子間的相互作用。在一定對稱性的配體靜電場作用下,五重簡并的d軌道將解除簡并,分裂為兩組或更多的能級組,這種分裂將對配合物的性質產生重要影響。晶體場理論d軌道示意圖11a一、晶體場中d軌道能級的分裂1正八面體場八面體場中的d軌道假定有一個d1構型的正離子,當它處于一個球殼的中心,球殼外表上均勻分布著6個單位的負電荷,它所受到的負電荷的排斥作用都是相同的,即d軌道能量雖然升高,但仍保持五重簡并。假設負電荷集中在球的內接正八面體的六個頂點上,且這六個頂點均在x、y、z軸上,每個頂點的電量為1個單位的負電荷,不會改變對d電子的總排斥力,即不會改變d軌道的總能量,但是單電子處在不同的d軌道上時所受到的排斥作用不再完全相同。12adz2和dx2－y2軌道能量有所升高,這組軌道稱為eg軌道。相反,dxy、dxz、dyz三條軌道的能量有所降低,這組軌道稱為t2g軌道。八面體場中的d軌道八面體場中的d軌道13ad軌道能級在Oh場中的分裂14a

由于電子的總能量,亦即各軌道總能量保持不變,eg能量的升高總值必然等于t2g軌道能量下降的總值,.

將eg和t2g這兩組軌道間的能量差用△o或10Dq來表示,△o或10Dq稱為分裂能.2E(eg)＋3E(t2g)＝0由此解得E(eg)＝0.6△o=6DqE(eg)－E(t2g)＝△o

E(t2g)＝－0.4△o=－4Dq15a

在正四面體場中,過渡金屬離子的五條d軌道同樣分裂為兩組,一組包括dxy、dxz、dyz三條軌道,用t2表示,這三條軌道的極大值分別指向立方體棱邊的中點。距配體較近,受到的排斥作用較強,能級升高,另一組包括dz2和dx2－y2,以e表示,這兩條軌道的極大值分別指向立方體的面心,距配體較遠,受到的排斥作用較弱,能級下降。2正四面體場四面體場中的d軌道16a在四面體場中,這兩組軌道都在一定程度下避開了配體分裂能△t小于△o,計算說明△t＝(4/9)△o同樣,出t2及e軌道的相對能量：解得：E(t2)＝1.78DqE(e)＝－2.67Dq△t＝E(t2)－E(e)＝(4/9)△o3E(t2)＋2E(e)＝017a配體的本性

將一些常見配體按光譜實驗測得的分裂能從小到大次序排列起來,便得光譜化學序：

配體場強度順序是純靜電理論所不能解釋的。例如OH－比H2O分子場強度弱,按靜電的觀點OH－帶了一個負電荷,H2O不帶電荷,因而OH－應該對中心金屬離子的d軌道中的電子產生較大的影響作用,但實際上是OH－的場強度反而低,顯然這就很難純粹用靜電效應進行解釋。這說明了

d

軌道的分裂并非純粹的靜電效應,

其中的共價因素也不可忽略?！?8a電子成對能和配合物上下自旋成對能是電子在配對時為了克服靜電場的排斥作用所需的能量,以P表示。對于一個處于配位場中的金屬離子,其電子排布究竟采用高自旋,還是低自旋的狀態(tài),可以根據(jù)成對能和分裂能的相對大小來進行判斷：19a

④由于P(d5)＞P(d4)＞P(d7)＞P(d6),故在八面體場中d6離子常為低自旋的(但Fe(H2O)62＋和CoF63－例外),而d5離子常為高自旋的(CN－的配合物例外)。●當P＞△時,因電子成對需要的能量高,電子將盡量以單電子排布分占不同的軌道,取高自旋狀態(tài)；●當P＜△時,電子成對耗能較少,此時將取低自旋狀態(tài)。

①在弱場時,由于△值較小,配合物將取高自旋構型,相反,在強場時,由于△值較大,配合物將取低自旋構型。

②對于四面體配合物,由于△t＝(4/9)△0,這樣小的△t值,通常都不能超過成對能值,所以四面體配合物通常都是高自旋的。

③第二、三過渡系金屬因△值較大,故他們幾乎都是低自旋的20ad5:d7:d6:d4:d1:d2:d3:d8:d9:d10:高自旋排布低自旋排布顯然,d1、d2、d3、d8、d9、d10只有一種排布,無上下自旋區(qū)別。21a在配體靜電場的作用下,根據(jù)能量最低原理,體系中的電子優(yōu)先進入低能級。如果下降的能量多于上升的能量,那么體系的總能量將下降。這樣獲得的能量稱為晶體場穩(wěn)定化能。

晶體場穩(wěn)定化能(CFSE)晶體場穩(wěn)定化能的大小與以下因素有關：★配合物的幾何構型；★中心原子的d電子的數(shù)目；★配體場的強弱；★電子成對能。

如,Fe3＋(d5)在八面體場中中可能有兩種電子排布①t2g3eg2,相對于未分裂的d軌道的能量值為

CFSE①＝3×(－4Dq)＋2×6Dq＝0

②t2g5eg0,CFSE②＝5×(－4Dq)＋2P＝－20Dq＋2P22a如,Fe3＋(d5)在八面體場中中可能有兩種電子排布①t2g3eg2,相對于未分裂的d軌道的能量值為

CFSE①＝3×(－4Dq)＋2×6Dq＝0

②t2g5eg0,CFSE②＝5×(－4Dq)＋2P＝－20Dq＋2P23a表6

表6列出幾種配位場下的晶體場穩(wěn)定化能值,為了簡化,忽略了成對能。24a④在弱場中,相差5個d電子的各對組態(tài)的穩(wěn)定化能相等,如d1與d6、d3與d8,這是因為,在弱場中無論何種幾何構型的場,多出的5個電子,根據(jù)重心守恒原理,對穩(wěn)定化能都沒有奉獻。從表6可以發(fā)現(xiàn)以下幾點規(guī)律：①在弱場中,d0、d5、d10構型的離子的CFSE均為0。

②除d0、d5、d10外,無論是弱場還是強場,CFSE的次序都是正方形＞八面體＞四面體。③在弱場中,正方形與八面體穩(wěn)定化能的差值以d4、d9為最大,而在弱場中那么以d8為最大。25a①t2g6(dz2)2(dx2－y2)1,由于dx2－y2軌道上電子比dz2軌道上的電子少一個,那么在xy平面上d電子對中心離子核電荷的屏蔽作用就比在z軸上的屏蔽作用小,中心離子對xy平面上的四個配體的吸引就大于對z軸上的兩個配體的吸引,從而使xy平面上的四個鍵縮短,z軸方向上的兩個鍵伸長,成為拉長的八面體。Jahn－Teller(姜－泰勒)效應

電子在簡并軌道中的不對稱占據(jù)會導致分子的幾何構型發(fā)生畸變,從而降低分子的對稱性和軌道的簡并度,使體系的能量進一步下降,這種效應稱為姜－泰勒效應。以d9,Cu2＋的配合物為例,26a②t2g6(dz2)1(dx2－y2)2,使z軸方向上兩個鍵縮短,xy面上的四條鍵伸長,成為壓扁的八面體。姜－泰勒效應不能指出究竟應該發(fā)生哪種幾何畸變,但實驗證明,Cu的六配位配合物,幾乎都是拉長的八面體,這是因為,在無其他能量因素影響時,形成兩條長鍵四條短鍵比形成兩條短鍵四條長鍵的總鍵能要大之故。27a人們在晶體場理論的根底上,吸收了分子軌道理論的假設干成果,既適當考慮中心原子與配體化學鍵的共價性,又仍然采用晶體場理論的計算方法,開展成為一種改進了的晶體場理論,特稱為配體場理論。配位場理論晶體場理論能較好地說明了配合物的立體化學、熱力學性質等主要問題,這是它的成功之處,但是它不能合理解釋配體的光化學順序。按照靜電理論的觀點也不能解釋一些金屬同電中性的有機配體的配合物的生成事實,這是由于晶體場理論沒有考慮金屬離子與配體軌道之間的重疊,即不成認共價鍵的存在的緣故。近代實驗測定說明,金屬離子的軌道和配體的軌道確有重疊發(fā)生。配位場理論認為:

(1)配體不是無結構的點電荷,而是有一定的電荷分布;(2)成鍵作用既包括靜電的,也包括共價的作用。28a

在第一過渡系中,中心原子的價電子軌道是五條3d,1條4s和3條4p軌道,在八面體場中,這九條軌道中只有六條軌道(4s、4px、4py、4pz、3dz2、3dx2－y2)在x、y、z的軸上分布,指向配體,因而這六條軌道可以形成鍵。而另外三條軌道,即3dxy、3dxz、3dyz,因其位于x、y、z軸之間,在Oh場中對于形成鍵對稱性不匹配,不適合于形成鍵,但可參與形成鍵。

分子軌道理論由中心原子和配位體的原子軌道通過線性組合建立起一系列配合物的分子軌道。其分子軌道由成鍵的非鍵和反鍵的軌道所組成,在整個分子范圍內運動。能夠有效地組成分子軌道的原子軌道,應滿足成鍵三原那么：對稱性匹配；能量近似；最大重疊。

因此,可以根據(jù)對稱性對上述軌道進行分類：

a1g——4st1u——4px、4py、4pz

eg——3dz2、3dx2－y2t2g——3dxy、3dxz、3dyz前三類可用于參與形成鍵,后一類可參與形成鍵。29a

例如,具有與dx2－y2軌道相同對稱性的配位體的軌道的線性組合,在＋x和－x方向為正號,在＋y和－y方向上為負號,這種組合為：

＋x＋－x－＋y－－y;

在確定了過渡金屬中心原子能用于參與形成鍵的軌道之后,再來確定配位體的哪些軌道能用于形成鍵。

可使用一種簡單直觀的方法,即

根據(jù)金屬離子價軌道的形狀(對稱性)來決定哪些配體軌道可以與金屬軌道重疊。

又如,dz2的±z軸上都是正號且是大頭,x、y軸上為負號且為小頭,因此與dz2有相同對稱性的配位體軌道的線性組合為：2＋z＋2－z－＋x－－x－＋y－－y

其他對稱性匹配的配位體軌道的組合也可用相同方法找到。這些組合及其歸一化常數(shù)列表9中。30a31a

假定在八面體配合物中,金屬離子軌道能量的一般次序是:(n－1)d＜ns＜np,而大多數(shù)配位體,如H2O、NH3、F－等,用來與金屬鍵合的六條配體群軌道的能量都比金屬的價層軌道能量要低。由此可以得到鍵合的八面體配合物的分子軌道能級圖

可以發(fā)現(xiàn),MO形成的結果,金屬的d軌道發(fā)生了分裂,原來簡并的5條d軌道分裂為兩組,一組為t2g,一組是eg*。32a任何特定的八面體配合物，將配位體的6對成對電子填入最低能級,即a1g、t1u和eg分子軌道。而過渡金屬離子的電子那么填入非鍵t2g和反鍵eg*軌道(這些軌道的能量接近金屬軌道的能量,具有純金屬軌道的大局部性質)。33a4px－34a

當配位體是強電子給予體時,eg能量下降大,eg*能量上升多,顯然,△0大,有可能使得△0＞P,得到低自旋排布。相反,弱的電子給予體,eg能量下降少,eg*能量上升少,顯然,△0小,有可能使得△0＜P,得到高自旋的排布。對于d1、d2、d3金屬離子,其d電子自然填入的是t2g軌道。但d4、d5、d6、d7就有兩種選擇,新增加的電子,或是優(yōu)先填入t2g能級自旋成對,得到低自旋的電子排布；或是優(yōu)先占據(jù)不同的軌道保持自旋平行,得到高自旋的排布。這兩種排列中實際上是哪一種,取決于t2g和eg*軌道之間的分裂能和電子成對能的相對大小：假設△0＞P,得低自旋的電子排布,假設△0＜P,得高自旋的排布。d8、d9、d10各只有一種排布方式,分別為t2g6eg*2、t2g6eg*3、t2g6eg*4。顯然,這與晶體場理論的結果一致。35a

中心金屬離子具有對稱性的價軌道有：

★t2g:3dxy、3dxz、3dyz

★t1u:4px、4py、4pz

其中t1u已參與形成σ軌道,不再加以考慮。金屬離子與配位體除能生成鍵之外,如果配體中含有軌道,那么還應考慮他們與具有成鍵能力的金屬軌道的相互作用。配體有三種類型的軌道：1垂直于金屬－配體鍵軸的p軌道。2與金屬d

軌道處于同一平面的配體的d軌道。3與金屬d

軌道處于同一平面的配體的*反鍵分子軌道配體軌道與金屬的t2g軌道組成的分子軌道示于以下圖。36aCoF63－可作為M(t2g)－L(p)成鍵的例子,F－離子的2px和2py軌道可與Co3＋的t2g軌道形成分子軌道(2pz已用于成鍵)。由于F－離子的已排滿電子的2p軌道能量低,成鍵的結果使原來非鍵的t2g分子軌道能量升高而成為t2g*反鍵分子軌道,導致分裂能變小(見以下圖),這就是F－離子及其他鹵素配體在光化學序中處于弱場一端的原因。37a

烷基磷PR3和烷基硫SR2配體與金屬t2g軌道生成的鍵屬于M(t2g)－L(d)的類型。硫和磷采用sp3不等性雜化軌道與金屬形成鍵,此外,P和S配位原子還有空的3d軌道可參加成鍵。由于P和S配位原子的3d軌道比已填有d電子的金屬的3d軌道能量高,

成鍵使金屬的t2g軌道成為成鍵的分子軌道從而能量降低,結果造成分裂能增大。P和S原子的3d軌道則成為*反鍵分子軌道,能級升高。金屬和配體間的這種成鍵作用使定域在金屬離子上的d電子進入成鍵分子軌道,電子密度從金屬離子移向配體。這時金屬離子是提供電子的給予體,配體成為電子的接受體而形成反響鍵。配鍵和反響鍵的形成是同時進行的,他們之間產生的協(xié)同效應十分重要,這種鍵合類型也被稱為－配鍵。*38aNO2－、CN－、CO也可同金屬形成反響鍵。只是接受電子的是配體的*反鍵分子軌道,因而屬于M(t2g)－L(*)的情形。由于配體反鍵分子軌道的能量較高,所以能級圖與M(t2g)－L(d)相似。*

成鍵的結果使分裂能增加,所以這些配位體屬于強場配位體,位于光譜化學序列的右端。39a

理解了成鍵作用之后,光譜化學序不難理解：

(2)配體的中心原子之間配鍵所產生的效應。如果配體為強的電子給予體(鹵原子),形成配體→金屬配鍵,t2g*軌道能量上升,分裂能減少;如果配體為強的電子接受體,形成金屬→配體反響鍵,t2g軌道能量下降,分裂能增加。

(1)配體與中心原子之間的配鍵所產生的效應。強的電子給予體,eg能量下降大,反鍵eg*相應上升能量也大,因而△0值大,如CH3－及H－有特別強的形成鍵的能力,他們的△值通常也很大；按MO理論,影響分裂能△值大小的因素是：

即，成鍵作用對光譜化學序(即配位場強度)的影響為：強的電子給予體(I－,Br－、Cl－、SCN－)＜弱的電子給予體(F－、OH－)＜很小或無相互作用(H2O、NH3)＜弱的

接受體(phen)＜強的接受體(NO2－、CN－、CO)40a

鹵離子一方面因其電負性較大,所以是弱的電子給予體,另一方面又因其具有p孤電子對,有強的給予體的能力,能降低分裂能,所以鹵離子位于光譜化學序的左端;而NH3不具p孤對電子對,不形成鍵,無相互作用,分裂能不減小,所以位于光譜化學譜的中間。靜電觀點認為H2O和OH－的顛倒也得到了解釋：水含有兩對孤對電子,其中一對參加配位,一對可參與形成鍵,相反,OH－含三對孤對電子,一對參與形成鍵,還剩兩對能參與形成鍵,因而OH－屬于強的給予體,分裂能較小,所以排在H2O之前。

綜上可見,弱的電子給予體和強的電子給予體相結合產生小的分裂能；而強的電子給予體和強的電子接受體相結合產生大的分裂能,這樣便可以合理地說明光譜化學序。

請分析為什么H－、CO、P(OR)3位于光譜化學序的右邊,分裂能大?！?1a4.5配位化合物幾何構型的理論預示－配位化合物角重疊模型簡介

在解釋和預測主族元素化合物的幾何構型時,使用價層電子對互斥理論是十分成功的。但是將價層電子對互斥理論推廣到過渡無素配合物時,就遠不能令人滿意,這是因為價層電子對理論只把電子對之間的排斥作用作為影響幾何構型的唯一因素而完全忽略了成鍵電子對和

d

電子的相互作用、配位場穩(wěn)定化能的影響和配體的空間位阻效應等因素的影響之故。42a1角重疊模的基本原理

按照分子軌道理論,金屬離子的d軌道和配體的群軌道相互作用生成成鍵和反鍵的分子軌道,如圖所示,如果配體軌道的能量低于金屬軌道的軌道的能量,那么成鍵分子軌道的能量則更接近于配體的能量,而反鍵分子軌道的能量則更接近于金屬的能量。EβSσ2ψdψaψbψLβSσ2

金屬的軌道與配體的群軌道之間的相互作用記作S2,其中參數(shù)是軌道間相互作用強度的量度,而S是金屬的ψd軌道和配體的ψL軌道的重疊積分。因此,成鍵分子軌道ψb將比配體的ψL軌道穩(wěn)定S2,而反鍵分子軌道ψa將比金屬的ψd軌道不穩(wěn)定S2

。43a

重疊積分S包括d軌道波函數(shù)的徑向部分和角度部分分別與配體波函數(shù)重疊,即S＝S徑向S角度對于指定的中心金屬離子,d軌道的徑向波函數(shù)與配體的波函數(shù)的重疊積分S徑向都是固定的值,于是相互作用

S2＝S徑向2S角度2＝kS角度2本式表明,金屬d軌道與配體群軌道的相互作用與角度重疊積分的平方成正比,這就是角重疊模型的由來。S角度與配體對于d軌道的相對位置有關,當配體在z軸上與dz2軌道進行重疊時S角度＝SσFσ(θ,φ)其中Sσ為最大重疊的積分,Fσ(θ,φ)為角重疊因子,角重疊因子Fσ(θ,φ)的物理意義是配體偏離z

軸θ度和

x

軸φ度時的重疊積分,只相當于最大重疊積分的一個分數(shù)(稱為角重疊因子)。44a

不同的d軌道有不同的重疊因子。這些因子列在右表中。于是,

S2＝kS角度2＝kSσ2Fσ2(θ,φ)

設kS2＝eσ

于是,S2＝eσFσ2(θ,φ)其中,eσ為角重疊參數(shù)。同樣,若配體軌道與金屬軌道是重疊時,有

S2＝eF2(θ,φ)一般地,eσ＞e

下頁表列出了當配體處于不同位置的金屬離子

d

軌道的和的角重疊因子的平方F2(θ,φ)和F2(θ,φ)值,由此可計算出配體軌道在不同位置時與金屬離子的

d

軌道的相互作用值。45a

在利用左表進行計算時,各種結構中配體的位置為：八面體：2－5；四面體：9－12；四方錐：1－5；平面正方形：2－5三角雙錐：

1、2、7、8、6；平面三角形：2、7、8；直線型：1、6；四配位的c2v結構：1、2、5、6。46a2d軌道的能量根據(jù)上表計算配體軌道重疊后各個軌道的能量位移值的方法是將各配體在表中每列重疊因子平方值加和起來就可以了。例如對于四面體排布,此時配體取9、10、11、12位置。對dz2、dx2－y2,分子軌道的能量位移是:2/3＋2/3＋2/3＋2/3＝8/3(eπ)

對dxy、dyz和dyz,分子軌道的能量位移是:(1/3＋1/3＋1/3＋1/3)eσ＋(2/9＋2/9＋2/9＋2/9)eπ＝4/3

eσ＋8/9

eπ所以,t2和e的能量間隔△t＝4/3

eσ＋8/9

eπ－8/3

eπ

＝4/9

(3

eσ－4

eπ)同理,可以算出八面體的eg(dz2、dx2－y2)和t2g(dxy、dyz、dyz)分子軌道的能量位移分別是3

eσ和4

e