存儲(chǔ)器與總線實(shí)驗(yàn)課件_第1頁(yè)
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計(jì)算機(jī)組成原理實(shí)驗(yàn)控制信號(hào)的字符串定義:S3-S0:表示運(yùn)算器操作選擇信號(hào),以控制16種算術(shù)運(yùn)算或羅晶晶運(yùn)算的一種;S1,S0,M又是移位寄存器的控制信號(hào)。M:表示運(yùn)算器方式選擇信號(hào),M=0執(zhí)行算術(shù)運(yùn)算操作;M=1執(zhí)行邏輯運(yùn)算操作;/CN:表示進(jìn)位控制信號(hào),/CN=0表示是進(jìn)位為1的帶進(jìn)位運(yùn)算;/CN=1LDCZY=0表示不帶進(jìn)位運(yùn)算,/CN=1LDCZY=1表示帶進(jìn)位運(yùn)算;/LOAD:當(dāng)/LOAD=0表示裝載PC值;/LOAD=1表示PC計(jì)數(shù)狀態(tài);/CE:表示主存(6116)的片選信號(hào),低電平有效;WE:表示主存(6116)的讀/寫(xiě)信號(hào);當(dāng)WE=1時(shí),表示寫(xiě);當(dāng)WE=0時(shí),表示讀。實(shí)驗(yàn)基本知識(shí):LDR0-LDR2:表示將數(shù)據(jù)總線內(nèi)容打入到R0-R2中,高電平有效;LDDR1-LDDR2:表示將數(shù)據(jù)總線內(nèi)容打入暫存器DR1-DR2中,高電平有效;LDIR:表示將數(shù)據(jù)總線內(nèi)容打入指令寄存器IR中,高電平有效;LDPC:表示程序計(jì)數(shù)器PC計(jì)數(shù)控制信號(hào),高電平有效,當(dāng)LOAD=1,LDPC=1時(shí),PC加1;LDAR:表示將數(shù)據(jù)總線內(nèi)容打入到地址寄存器中,高電平有效;LDCZY:表示進(jìn)位(CY),零(ZY)標(biāo)志控制信號(hào),高電平有效;實(shí)驗(yàn)基本知識(shí):A9,A8:表示片選信號(hào):A9A8選通00001111選通CS0選通CS1選通CS2選通CS3存儲(chǔ)器和總線實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)一實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/p>

熟悉存儲(chǔ)器和總線組成的硬件電路實(shí)驗(yàn)要求:按照實(shí)驗(yàn)步驟完成實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目,利用存儲(chǔ)器和總線傳輸數(shù)據(jù)。實(shí)驗(yàn)步驟:完成上述連接,仔細(xì)檢查無(wú)誤后方可進(jìn)入本實(shí)驗(yàn)。在閃動(dòng)的“P.”狀態(tài)下按動(dòng)增址命令鍵,使LED顯示器自左向右第一位顯示提示符“H.”,表示本裝置已進(jìn)入手動(dòng)單元實(shí)驗(yàn)狀態(tài)。實(shí)驗(yàn)步驟:內(nèi)部總線數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器給存儲(chǔ)器的00、01、02、03、04地址單元中分別寫(xiě)入數(shù)據(jù)11、12、13、14、15,具體操作步驟如下:實(shí)驗(yàn)步驟:數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)(00000000)三態(tài)門(mén)地址寄存器AR(00000000)存儲(chǔ)器RAM(00010001)三態(tài)門(mén)數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)(00010001)CBA=000CBA=001CE=1LDAR=1/CB=1按STEPCBA=000CBA=001LDAR=0LDAR=0/CE=0WE=1按STEP實(shí)驗(yàn)步驟:數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)(00000000)三態(tài)門(mén)地址寄存器AR(00000000)CBA=000CBA=001CE=1存儲(chǔ)器RAM(00010001)CBA=001/CE=1LDAR=1按STEPCBA=000/CE=0WE=0LDAR=0SRAM芯片HM6116

6116的工作方式/CE/OE/WE方式I/O引腳HXX未選中(待用)高阻LLH讀出DoutLXL寫(xiě)入Din數(shù)據(jù)收發(fā)器74LS245

74LS245是一種三態(tài)輸出的8總線收發(fā)器。該收發(fā)器有16個(gè)雙向傳送的數(shù)據(jù)端,即A1-A8,B1-B8,另有兩個(gè)控制端-使能端,方向控制端DIR,該芯片的功能見(jiàn)表。

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