第一部分復(fù)型樣品及成像原理

§11-1復(fù)型樣品

§11-2質(zhì)厚襯度原理

第二部分晶體薄膜樣品成像分析§11-3薄膜樣品的制備

§11-4衍射襯度成像原理

§11-5消光距離

§11-6衍射襯度成像分析TEM的成像分析整理ppt、復(fù)型材料

復(fù)型——樣品表面形貌的復(fù)制。對(duì)復(fù)型材料的要求⑴復(fù)型材料必須是非晶態(tài)材料

⑵復(fù)型材料的粒子尺寸必須很?、菑?fù)型材料應(yīng)具備耐電子轟擊的性能§11-1復(fù)型樣品整理ppt3.

常用復(fù)型材料真空蒸發(fā)形成的碳膜通過澆鑄蒸發(fā)形成的塑料膜復(fù)型方法

一級(jí)復(fù)型法、二級(jí)復(fù)型法、萃取復(fù)型法三種。整理ppt二、復(fù)型技術(shù)（一）一級(jí)復(fù)型

1塑料一級(jí)復(fù)型（1）制作方法：樣品表面清潔滴溶液（體積濃度為1%的火棉膠醋酸戊酯溶液或醋酸纖維素丙酮溶液）溶劑蒸發(fā)成塑料薄膜（100nm左右）揭膜剪成對(duì)角線小于3mm的小方塊整理ppt圖塑料一級(jí)復(fù)型整理ppt（2）特點(diǎn)：⑴負(fù)復(fù)型——樣品中凸出部分在復(fù)型上凹下去的；⑵復(fù)型襯度圖像和光學(xué)金相顯微組織之間具有極好的對(duì)應(yīng)性；⑶制作簡(jiǎn)單。（3）不足：⑴只能做金相樣品的分析，不宜做表面起伏較大的斷口分析（因?yàn)閿嗫诟叨炔畋容^大無法做出較薄的復(fù)型）；⑵分辨率不高（塑料分子的直徑較大，分辨為直徑20nm左右）；⑶電子束照射下易分解。整理ppt2碳一級(jí)復(fù)型（1）.制備方法樣品表面清潔表面蒸鍍碳膜劃成對(duì)角線小于3mm的小方塊電解或化學(xué)分離清洗觀察整理ppt圖碳一級(jí)復(fù)型整理ppt（2）.與塑料一級(jí)復(fù)型的區(qū)別⑴C膜厚度基本相同，而塑料膜有一個(gè)面是平面，膜厚隨試樣而異；⑵塑料膜不破壞樣品，而C膜破壞樣品；⑶塑料膜因塑料分子較大，分辨率較低，而C粒子直徑較小，故C復(fù)型的分辨率高于塑料復(fù)型一個(gè)數(shù)量級(jí)（2nm左右）。整理ppt（二）.二級(jí)復(fù)型（塑料-碳二級(jí)復(fù)型）

1.制作方法（見下圖）a.首先制作塑料中間復(fù)型（圖a）。b.將塑料中間復(fù)型剝下后,在塑料中間復(fù)型上進(jìn)行碳復(fù)型（圖b）。為了增加襯度可在傾斜15°~45°的方向上噴鍍一層重金屬,如Cr、Au等（稱為投影），可在一次復(fù)型上先投影后噴鍍C膜，也可先噴鍍后投影。c.溶去中間復(fù)型得到最終復(fù)型（圖c）。整理ppt圖塑料－碳二級(jí)復(fù)型整理ppt（2）.特點(diǎn)：⑴不破壞原始樣品表面；⑵由于最終復(fù)型是帶有重金屬投影的C膜，復(fù)合膜的穩(wěn)定性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性都很好，在電子束照射下不易分解和破裂；⑶由于中間復(fù)型是塑料，故分辨率相當(dāng)于塑料一級(jí)復(fù)型；⑷厚度約為10nm，可被電子束穿過。

整理ppt

(a)30CrMnSi鋼回火組織(b)低碳鋼冷脆斷口的復(fù)型圖像整理ppt三萃取復(fù)型1.應(yīng)用：⑴觀察樣品中第二相顆粒的大小、形狀和分布;⑵對(duì)第二相粒子進(jìn)行電子衍射分析，測(cè)定其晶體結(jié)構(gòu)。

2.制作方法a.首先對(duì)金相樣品進(jìn)行深腐蝕使第二相粒子容易從基體上剝落(見下圖);b.噴鍍C膜，使厚度稍厚，以便將第二相粒子包絡(luò)；c.將樣品用電解法或化學(xué)法溶解基體(電解液和化學(xué)試劑對(duì)第二相不起溶解作用)，帶有第二相粒子的萃取膜和樣品脫開，膜上第二相粒子的形狀、大小和分布仍保持原來的狀態(tài)；d.為了防止膜破碎，噴鍍C膜后先澆鑄一層塑料背膜，待萃取膜從樣品表面剝離后，再將背膜溶去。整理ppt圖萃取復(fù)型整理ppt三.粉末樣品制備用TEM還可觀察超細(xì)粉體（納米顆粒）的尺寸、形狀、尺寸分布等，其關(guān)鍵是粉末樣品制備——如何將超細(xì)顆粒分散開來，各自獨(dú)立不團(tuán)聚（見下圖）。

常用方法——膠粉混合法、支持膜分散粉末法。1.膠粉混合法在干凈玻璃片上滴火棉膠溶液，其上放少許粉末并攪勻，再將另一玻璃片壓上，對(duì)研突然抽開，稍干后，置于水中使膜脫落，用銅網(wǎng)撈出膜即可觀察。2.支持膜分散粉末法由于粉末顆粒一般都小于銅網(wǎng)小孔，因此首先制備對(duì)電子束透明的支持膜（碳膜或火棉膠膜）。將粉末制成懸浮液（攪拌均勻），用滴管滴一滴在附有支持膜的銅網(wǎng)上為防止粉末被電子束打落，可在粉末上再噴一層薄碳膜，使粉末夾在中間進(jìn)行觀察。整理ppt圖超細(xì)陶瓷粉末的透射電鏡照片整理ppt

質(zhì)厚襯度是解釋非晶態(tài)樣品（如復(fù)型）電子顯微圖像襯度的理論依據(jù)，是建立在非晶體樣品中原子對(duì)入射電子的散射和透射電子顯微鏡中小孔徑角成像基礎(chǔ)上的成像原理。一.

單個(gè)原子對(duì)入射電子的散射

原子的散射包括原子核和核外電子對(duì)入射電子的散射?！?1-2質(zhì)厚襯度成像原理整理ppt

原子核對(duì)入射電子的散射（為彈性散射）

a.

由于原子核的質(zhì)量遠(yuǎn)大于入射電子的質(zhì)量，因此原子核對(duì)入射電子的散射只改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，而能量沒有改變——彈性散射。

b.

散射角α——散射電子運(yùn)動(dòng)方向與原來入射方向之間的夾角用散射角α表示。（見下圖）整理ppt圖電子受原子的散射

(a)被原子核彈性散射；(b)被核外電子非彈性散射整理ppt其中：Z——原子核電荷U——入射電子加速電壓rn——瞄準(zhǔn)距離（電子運(yùn)動(dòng)方向與原子核的垂直距離）由公式可見：原子核電荷Z↑，α↑；加速電壓U↑，電子運(yùn)動(dòng)能量增大，α↓；瞄準(zhǔn)距離rn↓，電子越靠近原子核，α↑；

由此可見，凡離原子核為rn距離的電子均被散射到α角方向，所以，當(dāng)入射電子與原子核之間距離小于rn時(shí)，則被散射到大于α角度的方向上。整理pptc.

由

將rn為半徑的圓截面，稱為彈性散射截面，用σn表示：σn=πrn2σn表示一個(gè)孤立的原子核將入射電子散射到比α角度大的方向上的能力。整理ppt2.一個(gè)核外電子對(duì)入射電子的散射（非彈性散射）

a.由于入射電子與核外電子質(zhì)量相等，因此核外電子對(duì)入射電子的散射不僅使其方向改變，能量也發(fā)生改變，為非彈性散射。

b.核外電子對(duì)入射電子的散射角其中：e——電子電荷U——加速電壓re——入射電子對(duì)核外電子的瞄準(zhǔn)距

c.核外電子的非彈性散射截面σe

σe=πre2整理ppt3.一個(gè)原子對(duì)入射電子的散射截面σ。：

σ。=σn+Zσe因此，一個(gè)孤立原子將電子散射到α角以外的散射截面σ。——等于原子核彈性散射截面σn和所有核外電子非彈性散射截面Zσe之和。原子序數(shù)越大，產(chǎn)生彈性散射的截面的比例就越大。

彈性散射是透射電子顯微成像的基礎(chǔ)；而非彈性散射引起的色差（波長(zhǎng)變化）將使背景強(qiáng)度增高，圖像襯度降低。整理ppt二.

透射電子顯微鏡小孔徑角成像透射電鏡的分辨本領(lǐng)與孔徑角有關(guān)，小孔徑角成像能提高TEM的分辨本領(lǐng)。

具體措施：如下圖，在物鏡背焦面上沿徑向插入一個(gè)小孔徑的物鏡光闌，如此以來，散射角大于α的電子被擋掉，只允許散射角小于α的電子通過物鏡光闌參于成像。整理ppt圖小孔徑角成像整理ppt質(zhì)厚襯度成像原理

像襯度：是圖像上不同成像單元間亮度（強(qiáng)度）的差別。非晶體樣品透射電子顯微鏡圖像襯度是由于樣品不同微區(qū)間存在原子序數(shù)或厚度或密度的差異而形成的，即質(zhì)量厚度襯度，簡(jiǎn)稱質(zhì)厚襯度。整理ppt3.質(zhì)量襯度原理A是解釋非晶態(tài)樣品（如復(fù)型）電子顯微圖像襯度的理論依據(jù);B是建立在非晶體樣品中原子對(duì)入射電子的彈性散射和透射電子顯微鏡中小孔徑角成像基礎(chǔ)上的成像原理;C

當(dāng)電子穿過樣品時(shí)，通過與原子核的彈性作用被散射而偏離光軸，彈性散射角與Z成正比，此外，隨樣品厚度或密度增大，彈性散射增強(qiáng)；D所以，樣品上原子序數(shù)較高或樣品較厚、密度較大的區(qū)域（較暗）比原子序數(shù)較低或樣品較薄密度較小的區(qū)域（較亮）將使更多電子散射偏離光軸，從而表現(xiàn)出襯度。整理ppt4.影響質(zhì)量襯度的因素

a.TEM物鏡光欄孔徑孔徑較大,將有較多的散射電子進(jìn)入物鏡光闌參與成像，圖像在總體上亮度增加，但卻使散射和非散射區(qū)域襯度降低。

b.加速電壓由rn=Ze/Uα可知，U較低時(shí)，散射角和散射截面增大，較多的電子被散射到光欄孔外，使襯度提高，但亮度降低。整理ppt復(fù)型樣品（非晶）-----進(jìn)行表面形貌分析-----質(zhì)厚襯度原理晶體薄膜樣品-----可以觀察內(nèi)部的精細(xì)結(jié)構(gòu)，比如晶體缺陷、界面等，還可進(jìn)行電子衍射分析------衍射襯度成像原理

第二部分晶體薄膜衍襯成像分析§11-3薄膜樣品的制備§11-4衍射襯度成像原理整理ppt一般要求電子束對(duì)薄膜樣品的穿透能力和加速電壓有關(guān)。當(dāng)電子束的加速電壓為200kv時(shí)，就可以穿透厚度為500nm的鐵膜，如果加速電壓為1000kv時(shí)，則可以穿透厚度大致為1500nm的鐵膜。從圖像分析的角度來看，樣品的厚度較大時(shí)，往往會(huì)使膜內(nèi)不同深度層上的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)彼此重疊而相互干擾，得到的圖像過于復(fù)雜，以至于難以進(jìn)行分析。但從另一方面來看，如果樣品太薄則表面效應(yīng)將起著十分重要的作用。以至于造成薄膜樣品中相變和塑性變形的進(jìn)行方式有別于大塊樣品。因此，為了適應(yīng)不同的研究目的，應(yīng)分別選用適當(dāng)厚度的樣品，對(duì)于一般的金屬材料而言，樣品厚度都在500nm以下。整理ppt合乎要求的薄膜樣品必須具備下列條件：首先，薄膜樣品的組織結(jié)構(gòu)必須和大塊樣品相同，在制備過程中，這些組織結(jié)構(gòu)不發(fā)生變化。第二，樣品相對(duì)于電子束而言必須有足夠的“透明度”，因?yàn)橹挥袠悠纺鼙彪娮邮高^，才有可能進(jìn)行觀察和分析。第三，薄膜樣品應(yīng)有一定的強(qiáng)度和剛度，在制備、夾持和操作過程中，有一定的機(jī)械力作用下不會(huì)引起變形或損失。最后，在制備過程中不允許表面產(chǎn)生氧化和腐蝕。氧化和腐蝕會(huì)使樣品的透明度下降，并造成多種假像。整理ppt5.2.2工藝過程金屬薄片的線切割第一步驟是從實(shí)物或大塊試樣上切割厚度為0.3～0.5mm厚的薄片。（電火花線切割法——是目前用的最廣泛的方法，切割時(shí)損傷層比較淺，可以通過后續(xù)的磨制或減薄過程去除。電火花切割只能用導(dǎo)電樣品，對(duì)于陶瓷等不導(dǎo)電樣品可用金剛石刃內(nèi)圓切割機(jī)切片。）見右圖。第二步驟是樣品薄片的預(yù)先減薄。預(yù)先減薄的方法有兩種，即機(jī)械法和化學(xué)法。（機(jī)械減薄法——是通過手工研磨來完成的）；（化學(xué)薄化法——這種方法是把切割好的金屬薄片放入配制好的化學(xué)試劑中，使它表面受腐蝕而繼續(xù)減薄。因?yàn)楹辖鹬懈鹘M成相的腐蝕傾向是不同的，所以在進(jìn)行化學(xué)腐蝕減薄時(shí)，應(yīng)注意減薄液的選擇?；瘜W(xué)減薄的速度很快，應(yīng)注意操作時(shí)必須動(dòng)作迅速。優(yōu)點(diǎn)：表面沒有機(jī)械硬化層，薄化后樣品的厚度可以控制在20～50μm）。整理ppt第三步驟是最終減薄。目前效率最高和操作最簡(jiǎn)便的方法是雙噴電解拋光法；下圖為一臺(tái)雙噴式電解拋光裝置的示意圖。用雙噴拋光裝置制備好的樣品可以直接裝入電鏡，進(jìn)行分析觀察。（如果要求較高的金屬薄膜樣品，再雙噴后再進(jìn)行離子減薄，觀察效果會(huì)更好。）

雙噴式電解減薄裝置示意圖

對(duì)于不導(dǎo)電的陶瓷薄膜樣品，可采用如下工藝。（首先采用金剛石刃內(nèi)圓切割機(jī)切片，再進(jìn)行機(jī)械研磨，最后采用離子減薄。所謂離子減薄就是離子束再樣品的兩側(cè)以一定的傾角（5?～30?）轟擊樣品，使之減薄。）

整理ppt一.衍射襯度的含義1.衍射襯度——對(duì)晶體樣品，電子將發(fā)生相干散射而形成衍射，所以在晶體樣品的成像過程中，起決定作用的是晶體對(duì)電子的衍射，由樣品各處衍射束強(qiáng)度的差異形成的襯度為衍射襯度，簡(jiǎn)稱衍襯。2.影響衍射襯度的主要因素：是晶體取向和結(jié)構(gòu)振幅，對(duì)沒有成分差異的單相材料，衍射襯度是由樣品各處滿足布拉格條件程度的差異造成的。整理ppt3.衍射襯度的形成

假設(shè)：

I0=IHKL+I透①相鄰晶粒A、B：取向不同B晶粒：（HKL）晶面滿足布拉格角θ，產(chǎn)生衍射，衍射束強(qiáng)度為IHKL。I0=IHKL+I透A晶粒：所有晶面均不產(chǎn)生衍射。透射束強(qiáng)度近似等于入射束I0

整理ppt整理ppt②

在物鏡背焦面上加一光闌，擋住B晶粒的衍射束，讓透射束通過光闌到達(dá)像平面成像。像平面上A、B晶粒的亮度不同：IA≈I0IB≈I0－IHKL

A晶粒亮，B晶粒暗，表現(xiàn)出襯度不同的像。整理ppt整理ppt二衍射襯度原理1

衍射襯度原理是晶體薄膜樣品在TEM中的成像原理；2由于電子束在晶體中會(huì)產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，在薄晶樣品中可近似認(rèn)為只有透射束和衍射束；3由于樣品中各微區(qū)晶體取向和結(jié)構(gòu)的差異，故其滿足衍射條件或衍射強(qiáng)度不同；4因此，采用物鏡光闌擋住衍射束讓透射束成像（或擋住透射束讓衍射束成像），可獲得具有一定襯度的圖像。整理ppt三.明場(chǎng)像與暗場(chǎng)像明場(chǎng)像（BF）——讓透射束通過物鏡光闌而把衍射束擋掉得到圖像襯度的方法叫做明場(chǎng)成像，所得到的像叫明場(chǎng)像。暗場(chǎng)像（DF）——通過調(diào)節(jié)物鏡光闌孔位置，擋住透射只讓衍射束IHKL通過光闌孔成像的方式叫暗場(chǎng)成像，所成的像稱為暗場(chǎng)像。整理ppt中心暗場(chǎng)成像（CDF）（見圖11-3）：

把入射電子束方向傾斜2θ角度，而物鏡光闌仍在光軸位置，讓衍射束平行于光軸通過物鏡光闌孔成像，而讓透射束成為離軸光線被物鏡光闌擋掉的成像模式。

整理ppt小結(jié)

在衍襯成像方法中，某一最符合布拉格條件的（hkl）晶面組強(qiáng)衍射束起著十分關(guān)鍵的作用。因?yàn)樗苯記Q定了圖像的襯度。特別是在暗場(chǎng)條件下，像點(diǎn)的亮度直接等于樣品上相應(yīng)的物點(diǎn)在光闌孔所選定的那個(gè)方向上的衍射強(qiáng)度，而明場(chǎng)像的襯度特征是跟它互補(bǔ)的（至少在不考慮吸收的時(shí)候是這樣的）。正是因?yàn)檠苌鋱D像完全是由衍射強(qiáng)度的差別所產(chǎn)生的，所以這種圖像必將是樣品內(nèi)不同部位晶體學(xué)特征的直接反映。

整理ppt§11-5消光距離一.消光距離的引出1.前提條件-----簡(jiǎn)單的雙光束條件2.透射波----和入射波方向相同衍射波3.衍射波強(qiáng)度隨厚度的變化4.衍射波強(qiáng)度和透射波強(qiáng)度之間的轉(zhuǎn)化整理ppt整理ppt二.消光距離1消光距離----由于強(qiáng)烈的動(dòng)力學(xué)相互作用，使透射波和衍射波強(qiáng)度在晶體深度方向上發(fā)生振蕩，振蕩的深度周期叫做消光距離，記做ξg。式中Vc——晶胞體積；

θ——衍射晶面的布拉格角；

Fg——衍射晶面的結(jié)構(gòu)因子。

整理ppt2.ξg影響的因素內(nèi)因：

a.晶胞的大小、晶體結(jié)構(gòu)；b.結(jié)構(gòu)因子：即原子的種類、數(shù)量、位置；c.參與衍射的晶面。

外因：電子束波長(zhǎng)（或加速電壓）整理ppt整理ppt§11-6衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)簡(jiǎn)介

一.前言衍射襯度圖像分析——必須借助于電子衍射的運(yùn)動(dòng)學(xué)或動(dòng)力學(xué)理論。運(yùn)動(dòng)學(xué)和動(dòng)力學(xué)理論的主要區(qū)別：運(yùn)動(dòng)學(xué)----不考慮吸收的前提下，衍射線強(qiáng)度隨電子束的透入深度增大，透射束不斷減弱。動(dòng)力學(xué)----透射束衍射線能量在厚度方向交替變化。整理ppt二.運(yùn)動(dòng)學(xué)基本假設(shè)1.運(yùn)動(dòng)學(xué)理論有兩個(gè)先決條件(1)不考慮衍射束和入射束之間的相互作用，也就是說兩者之間沒有能量的交換。（存在偏離矢量）(2)不考慮電子束通過晶體樣品時(shí)引起的多次反射和吸收。換言之，由于樣品非常薄，因此反射和吸收可以忽略。

整理ppt2.基本假設(shè)（1）雙光束近似

假定電子束透過薄晶體試樣成像時(shí)，除了透射束外只存在一束較強(qiáng)的衍射束。這束較強(qiáng)衍射束的反射晶面位置接近布拉格條件，但不是精確符合布拉格條件（即存在一個(gè)偏離矢量s）。如此假設(shè)原因：①存在一個(gè)偏離矢量可使衍射束強(qiáng)度遠(yuǎn)小于透射束，可保證二者之間無能量轉(zhuǎn)換；②可認(rèn)為I入=I衍+I透整理ppt（2）柱體近似

------把成像單元縮小到和一個(gè)晶胞相當(dāng)?shù)某叨取？梢约俣ㄍ干涫脱苌涫寄茉谝粋€(gè)和晶胞尺寸相當(dāng)?shù)木е鶅?nèi)通過，此晶柱的截面積等于或略大于一個(gè)晶胞的底面積，相鄰晶柱內(nèi)的衍射波不相干擾，晶柱底面上的衍射強(qiáng)度只代表一個(gè)晶柱內(nèi)晶體結(jié)構(gòu)的情況。因此只要把各個(gè)晶柱底部的衍射強(qiáng)度記錄下來，就可以推測(cè)出整個(gè)晶體下表面的衍射強(qiáng)度（襯度）。整理ppt三.理想晶體的衍射強(qiáng)度

1.理想晶體的衍射強(qiáng)度Ig（柱體下表面處）公式的得出：晶柱上表面到下表面各層原子面在衍射線方向衍射波振幅疊加的總合，根據(jù)下表面振幅求出強(qiáng)度。整理ppt2.等厚條紋（衍射強(qiáng)度隨樣品厚度的變化）①條件：如果晶體保持在確定的位向，則衍射晶面偏離矢量s保持恒定，則隨晶體厚度t變化。②公式分析：a當(dāng)t=n/s時(shí)，

Ig=0b當(dāng)t=（n+1/2）/s時(shí)，Ig=1/(sξg)2整理ppt整理ppt③應(yīng)用：傾斜晶界：襯度為明暗相間的條紋，亮暗周期為，同一條紋上晶體厚度相等----稱為等厚條紋。整理ppt整理ppt整理ppt3.等傾條紋

①條件：t＝常數(shù)，如果把沒有缺陷的薄晶體稍加彎曲，薄晶體上各點(diǎn)具有不同的偏離矢量s（晶體位向發(fā)生連續(xù)變化），此時(shí)強(qiáng)度隨s變化。則在衍襯圖像上可以出現(xiàn)等傾條紋。整理ppt

②公式分析：a.當(dāng)s

=（n+1/2）/t時(shí)，Ig有極大值，如s=0，±3/2t,±5/2t,…。b.當(dāng)s＝±n/t時(shí)，=0衍射強(qiáng)度隨s的變化發(fā)生周期振蕩-----彎曲消光襯度特點(diǎn)：明暗相間的條紋，稱為等傾條紋。

整理ppt整理ppt③等傾條紋和等厚條紋的區(qū)別

a.等傾條紋在視場(chǎng)中很容易移動(dòng)。（樣品受到電子束照射后，由于溫度升高而變形，在視野中就可看到彎曲消光條紋的運(yùn)動(dòng)。此外，如果我們把樣品稍加傾動(dòng)，彎曲消光條紋就會(huì)發(fā)生大幅度掃動(dòng)。這些現(xiàn)象都是由于晶面轉(zhuǎn)動(dòng)引起偏移矢量大小改變而造成的。）b.如果樣品的變形狀態(tài)比較復(fù)雜，那么等傾條紋大都不具有對(duì)稱的特征。整理ppt

電子穿過非理想晶體的晶柱后，晶柱底部衍射波振幅會(huì)產(chǎn)生附加的位相差，這是因?yàn)榫w中存在缺陷時(shí)，晶柱會(huì)發(fā)生畸變。四.非理想晶體的衍射襯度非理想晶體晶柱底部衍射波振幅：其中：φ’=φ+αα為由缺陷引起的附加的位相角整理ppt五.晶體缺陷分析

主要分析的晶體缺陷有下列三種，即層錯(cuò)、孿晶、位錯(cuò)和第二相粒子在基體上造成的畸變。整理ppt1.層錯(cuò)

堆積層錯(cuò)是最簡(jiǎn)單的平面缺陷。層錯(cuò)發(fā)生在確定的晶面上，層錯(cuò)面上、下方分別時(shí)位向相同的兩塊理想晶體，但下方晶體相對(duì)于上方晶體存在一個(gè)恒定的位移R。整理ppt（1）平行于表面的層錯(cuò)襯度特征：存在層錯(cuò)的區(qū)域?qū)⑴c無層錯(cuò)區(qū)域出現(xiàn)不同的亮度，即構(gòu)成了襯度。層錯(cuò)區(qū)顯示為均勻的亮區(qū)或暗區(qū)。襯度形成原因：由于層錯(cuò)面