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1掌握溶液溶解度與過飽和度的定義。掌握結(jié)晶操作的性能指標(biāo)、操作方式及控制方法。熟悉常見的工業(yè)結(jié)晶設(shè)備。2內(nèi)容綱要(一)概述結(jié)晶操作定義結(jié)晶操作優(yōu)點(diǎn)基本概念溶液溶解度溶液過飽和度結(jié)晶操作與控制操作的主要性能指標(biāo)結(jié)晶操作方式結(jié)晶操作控制3內(nèi)容綱要(二)結(jié)晶設(shè)備冷卻式結(jié)晶器蒸發(fā)式結(jié)晶器真空式結(jié)晶器4概述一、結(jié)晶操作定義:——從溶液、蒸汽或熔融物中析出固態(tài)晶體的分離過程。二、結(jié)晶操作優(yōu)點(diǎn):*操作選擇性較高;*能耗較低;*適于同分異構(gòu)體、共沸或熱敏性物系的分離;*操作溫度較低,對(duì)設(shè)備腐蝕及對(duì)環(huán)境污染均較小。5第一節(jié)基本概念一、溶液溶解度:*亦稱平衡濃度、飽和濃度;*乃相平衡參數(shù);*乃狀態(tài)函數(shù);*多隨溫度↑而↑。6第一節(jié)基本概念例:已知20℃和100℃時(shí)KNO3
在水中的溶解度分別為0.304和2.470kg·kg-1?,F(xiàn)將500kg、100℃的KNO3飽和水溶液,降溫至20℃,試計(jì)算理論上析出的晶體量。解:設(shè)100℃時(shí)500kg飽和水溶液中含有x1
kg的KNO31500
-
xx111
+
2.470=
2.470
x
=
500
·
2.470
=
355.9
kg設(shè)20℃時(shí)溶液中仍含有x2
kg的KNO31500
-
xx22=
0.304
x=
43.8kg
x1
-
x2
=
312.1kg7第一節(jié)基本概念二、溶液過飽和度:DC
=
C
-
C
*溶液溶解度,kg·kg-1溶液濃度,kg·kg-1溶液過飽和度kg·kg-1S
=
DC
=
C
-
C
*C
*
C
*溶液相對(duì)過飽和度,無因次8第一節(jié)基本概念*ab線:冷卻降溫*ac線:蒸發(fā)濃縮*ad線:冷卻降溫+蒸發(fā)濃縮9第二節(jié)結(jié)晶操作與控制①產(chǎn)品純度
影響
因素一、操作的主要性能指標(biāo):母液的影響晶體粒度的影響
晶簇的影響
色素等雜質(zhì)的影響②晶體產(chǎn)量:取決于溶液初始濃度和結(jié)晶后母液濃度,后者多由操作終了溫度所決定。10第二節(jié)結(jié)晶操作與控制二、結(jié)晶操作方式:
連續(xù)結(jié)晶操作1.方式分類
間歇結(jié)晶操作
半連續(xù)的結(jié)晶操作2.方式選用料液處理量是最為重要的選擇依據(jù)。一般情況下,對(duì)于料液的處理量小于100kg/h的結(jié)晶過程,宜選用間歇操作方式;而當(dāng)處理量大于20m3/h時(shí),則宜選用連續(xù)操作方式。此外,對(duì)于某些指定粒度分布或純度要求甚高的結(jié)晶過程,則只能選用間歇操作方式。11第二節(jié)結(jié)晶操作與控制三、結(jié)晶操作控制:連續(xù)結(jié)晶的操作控制*過飽和度控制:一般宜維持在介穩(wěn)區(qū)范圍內(nèi)。*細(xì)晶消除:涉及細(xì)晶切割粒度。間歇結(jié)晶的操作控制*添加晶種:可有效抑制結(jié)晶成核。*再結(jié)晶:又稱晶體的“熟化”操作。12第三節(jié)結(jié)晶設(shè)備常見分類
連續(xù)式按操作方式
—
半連續(xù)式
按流動(dòng)方式—
間歇式
母液循環(huán)型式
晶漿循環(huán)型按能否進(jìn)行粒度分級(jí)—粒析作用式
無粒析作用式
按過飽和度產(chǎn)生方法—
冷卻式
蒸發(fā)式
真空式13第三節(jié)結(jié)晶設(shè)備一、冷卻式結(jié)晶器:*連續(xù)式攪拌結(jié)晶槽14第三節(jié)結(jié)晶設(shè)備*帶攪拌的罐式結(jié)晶器15第三節(jié)結(jié)晶設(shè)備二、蒸發(fā)式結(jié)晶器:*奧斯陸蒸發(fā)式結(jié)晶器——操作性能優(yōu)異,結(jié)晶室中的晶體可被自動(dòng)分級(jí),但結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜、投資成本較高。16第三節(jié)結(jié)晶設(shè)備三、真空式結(jié)晶器:*間歇真空式結(jié)晶器——與蒸發(fā)式結(jié)晶器相比,真空式結(jié)晶器的操作溫度更低、真空度更高。17第三節(jié)結(jié)晶設(shè)備*連續(xù)真空式結(jié)晶器18溶液溶解度和過飽和度是結(jié)晶學(xué)理論研究及生產(chǎn)過程控制的兩個(gè)重要物理量。晶體的
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