基于單片機(jī)的電子負(fù)載設(shè)計(jì)與程序開發(fā)_第1頁
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基于單片機(jī)的電子負(fù)載設(shè)計(jì)與程序開發(fā)_第3頁
基于單片機(jī)的電子負(fù)載設(shè)計(jì)與程序開發(fā)_第4頁
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文檔簡介

基于單片機(jī)的電子負(fù)載設(shè)計(jì)與程序開發(fā)3.4多模式控制邏輯(1)恒流模式(CC)設(shè)定目標(biāo)電流`I_set`,采樣實(shí)際電流`I_act`,通過PID算法輸出PWM占空比,控制MOS管導(dǎo)通程度,使`I_act`穩(wěn)定在`I_set`。(2)恒壓模式(CV)設(shè)定目標(biāo)電壓`V_set`,采樣實(shí)際電壓`V_act`,PID輸出控制占空比,使`V_act`穩(wěn)定在`V_set`(需結(jié)合電流限制,避免過流)。(3)恒阻模式(CR)根據(jù)歐姆定律,`I_set=V_act/R_set`,將計(jì)算出的`I_set`作為恒流模式的設(shè)定值,間接實(shí)現(xiàn)恒阻特性。四、系統(tǒng)測試與優(yōu)化4.1性能測試(1)恒流模式測試測試條件:輸入電壓24V,設(shè)定電流1A;測試結(jié)果:實(shí)際電流穩(wěn)定在1.00A±0.01A,紋波≤5mA,響應(yīng)時(shí)間≤100ms(負(fù)載突變時(shí))。(2)恒壓模式測試測試條件:設(shè)定電壓12V,負(fù)載電流0.5A~2A變化;測試結(jié)果:輸出電壓穩(wěn)定在12.0V±0.05V,負(fù)載調(diào)整率≤0.5%。(3)保護(hù)功能測試過流測試:設(shè)定電流2A,強(qiáng)制輸入電流3A,系統(tǒng)在50ms內(nèi)關(guān)斷功率管,顯示屏報(bào)警;過熱測試:加熱散熱片至90℃,系統(tǒng)關(guān)斷并提示“過熱保護(hù)”。4.2問題與優(yōu)化(1)紋波過大問題:PWM開關(guān)頻率低(如1kHz),導(dǎo)致電流紋波達(dá)20mA;優(yōu)化:提高PWM頻率至20kHz,增加輸出濾波電容(100μF+0.1μF),紋波降至5mA以內(nèi)。(2)溫度過高問題:MOS管溫度超過90℃,觸發(fā)保護(hù);優(yōu)化:更換更大散熱片(面積增加50%),增加散熱風(fēng)扇(風(fēng)速2m/s),溫度穩(wěn)定在75℃以內(nèi)。(3)采樣精度不足問題:10位ADC導(dǎo)致電流分辨率僅為10mA;優(yōu)化:外接ADS1115(16位ADC),分辨率提升至0.1mA,滿足高精度測試需求。五、結(jié)論與展望本文設(shè)計(jì)的基于單片機(jī)的電子負(fù)載,實(shí)現(xiàn)了恒流、恒壓、恒阻三種工作模式,精度≤0.5%,響應(yīng)時(shí)間≤100ms,具備完善的保護(hù)功能,滿足中小功率(≤100W)測試場景需求。通過硬件優(yōu)化(如散熱、濾波)與軟件算法(如PID控制、濾波處理),系統(tǒng)性能達(dá)到實(shí)用化水平。未來可從以下方向改進(jìn):功率擴(kuò)展:采用多MOS管并聯(lián)+均流電路,支持500W以上大功率測試;智能化升級:增加藍(lán)牙/WiFi模塊,通過手機(jī)APP遠(yuǎn)程控制與數(shù)據(jù)記錄;算法優(yōu)化:引入模糊PID算法,自適應(yīng)不同負(fù)載特性,進(jìn)一步提高控制精度。該設(shè)

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