1、2020年7月31日，法拉電子技術(shù)中心，1。薄膜電容器基礎(chǔ)知識，潘啟平，2020年7月31日，法拉電子技術(shù)中心，2。培訓(xùn)的主要內(nèi)容?；靖拍?。電容器的特性參數(shù)3。電容器選擇，2020年7月31日，法拉電子技術(shù)中心，3，1 1f=106 f=109 nf=1012 pf 1f=103 nf=106 pf 1nf=103 pf三位數(shù)表示法：ABC=AB10CpF。例如，104，223記數(shù)法：4p7，3n3，15n，68最常用的偏差等級有：J (5%)，K (10%)，M (20%)，法拉電子技術(shù)部，4，1，基本概念，按介質(zhì)分類的電容器：有機(jī)介質(zhì)電容器塑料薄膜，紙介質(zhì)，漆膜，復(fù)合介質(zhì)聚酯，OPP，

2、PEN，聚苯硫醚，聚苯硫醚，聚碳酸酯無機(jī)介質(zhì)電容器陶瓷，云母，玻璃薄膜和玻璃釉高頻陶瓷，鐵電陶瓷，半導(dǎo)體陶瓷電解電容器鋁電解，鉭電解，鈮目前，主要產(chǎn)品有陶瓷電容器，塑料薄膜電容器和電解電容器，2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，5，1。我公司主要使用的兩種薄膜介質(zhì)的比較，2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，6，1。薄膜電容器的分類(按用途)，2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，7，1，1。8.首先，基本概念，電容器1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。卷繞方式1)感應(yīng)卷繞方式：極板一般采用鋁箔，卷繞過程中引出線或引出片直接點(diǎn)焊在鋁箔電極上；例如CL11、CH11、CBB11。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心

3、，9。1.電容器的基本概念、內(nèi)部結(jié)構(gòu)2)無感繞組法：其極板有箔型(如CBB13)或金屬化電極(如CL21、CBB21、MKP21等)。)。利用這種結(jié)構(gòu)，在端面上纏繞、噴金或預(yù)焊接之后，同一極板的匝被短路，使得電流沿著極板的寬度方向而不是長度方向流動，從而縮短了電流流動路徑并降低了電容器的電感和損耗。2.疊片型：這是一種新型的無感電容器，性能優(yōu)越，易于生產(chǎn)自動化。例如CL23B、CL25、表面安裝電容器。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，10，2。電容器的特性參數(shù)，1。電容2，電容損耗3，絕緣電阻4，耐壓5，電容吸收現(xiàn)象6，溫度系數(shù)7，電容阻抗頻率特性，2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，

4、11。電容器的特性參數(shù)1。電容電容的電容是表征電容儲存電荷能力的參數(shù)，其數(shù)值等于極板上儲存的電荷q與極板上施加的電壓u的比值，即2020/7/31，F(xiàn)arah電子技術(shù)中心，12，非極性介質(zhì)的介電常數(shù)幾乎與頻率無關(guān)，電容的電容頻率特性良好。然而，極性介質(zhì)的介電常數(shù)隨頻率變化很大，其電容頻率特性較差。注釋：聚酯薄膜和聚丙烯薄膜，2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，13，電容器的特征參數(shù)，1。電容器損耗1。定義：在電場作用下單位時間內(nèi)加熱所消耗的能量稱為電容器損耗。2.一個理想的電容器可以把從電源獲得的所有能量儲存在電容器中；事實(shí)上，電容器在電路中消耗一定量的能量，也就是說，儲存在電容器中的一部分

5、電能被轉(zhuǎn)換成熱能，這一方面使電容器發(fā)熱，溫度上升；另一方面，它通過電容器表面散發(fā)到周圍環(huán)境中。3.通常以損耗角正切tg為特征：有功功率(電容器的損耗功率)Pc無功功率(電容器儲存的功率)。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，14，電容器損耗，2。電容器損耗與外部因素的關(guān)系1。電容器損耗與頻率的關(guān)系極性介質(zhì)電容器的損耗由低頻和中頻范圍內(nèi)的介質(zhì)和輔助介質(zhì)決定。通常，電導(dǎo)損失發(fā)生在低頻范圍，極化損失發(fā)生在中頻范圍。在高頻范圍內(nèi)，損耗主要由金屬零件引起。非極性介質(zhì)電容器的損耗主要由介質(zhì)在低頻時的電導(dǎo)率損耗決定，高頻時的損耗由金屬部分的損耗決定。2020年7月31日，法拉電子技術(shù)中心，15，電容器損耗

6、，2。電容器損耗與溫度的關(guān)系，電容器損耗的溫度特性主要取決于介質(zhì)的損耗曲線。OPP聚酯，tg(10-4)，T()，2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，16，電容器損耗，3。電容器損耗與電壓的關(guān)系一般來說，電壓對損耗影響不大，但當(dāng)電壓高到足以引起氣隙電離時，就會引起損耗增加。4.濕度對電容器損耗的影響。在潮濕環(huán)境中，水逐漸凝結(jié)在電容器表面，增加了漏電流，導(dǎo)致?lián)p耗增加。同時，進(jìn)入電容器的濕氣也會氧化和腐蝕金屬化層，導(dǎo)致?lián)p耗增加。為了防止這種影響，電容器必須防潮。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，17，絕緣電阻，1。電容器的絕緣電阻在評估大容量電容器的絕緣電阻時，引入了一個與電容器幾何尺寸無關(guān)

7、的時間常數(shù)參數(shù)。=RC公式，電容器的時間常數(shù)(M/F)或(s)；r絕緣電阻(m)。電容(f)絕緣電阻與測量時間的關(guān)系：電容的充電電流隨著時間的增加而減小，需要很長時間才能達(dá)到穩(wěn)定值，即漏電流。然而，測量需要很長時間，這在生產(chǎn)中是不允許的。為了一致性，標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的測量時間為1分鐘。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，18，絕緣電阻，2。絕緣電阻與溫度的關(guān)系基本符合介質(zhì)體積電阻與溫度的關(guān)系。測試絕緣電阻一般在205，即lgR1=lgR0 (t1-t0) R1是溫度t1時的絕緣電阻值，R0是溫度t0時的絕緣電阻值=0.03 0.035對于聚酯電容器=0.03 0.04，2020/7/31，法拉電子

8、技術(shù)中心，19，絕緣電阻隨溫度變化，Opppet，2020年7月31日，法拉電子技術(shù)中心，20，絕緣電阻，3。絕緣電阻與測量電壓的關(guān)系電容器絕緣電阻與外加電壓的關(guān)系主要取決于介質(zhì)絕緣電阻與電壓的關(guān)系。產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了測試電壓。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，21，絕緣電阻，2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，22，絕緣電阻，4。絕緣電阻與濕度的關(guān)系電容器介質(zhì)和輔助材料受潮后絕緣電阻會明顯降低。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，23，電容器耐壓，1。電容器的電壓參數(shù)額定工作電壓：指電容器在一定時間內(nèi)能夠可靠工作的電壓，額定工作電壓不僅由介質(zhì)決定，還與電容器的結(jié)構(gòu)和環(huán)境條件有關(guān)。頻率和

9、溫度增加，耐壓降低。測試電壓：為保證電容器的質(zhì)量，應(yīng)淘汰有明顯缺陷和擊穿電壓低的產(chǎn)品，并選擇合適的測試電壓。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，24，電容器耐壓，二。額定工作電壓(UR)、試驗(yàn)電壓(US)和擊穿電壓(UJ)之間的關(guān)系試驗(yàn)電壓和額定工作電壓之間的關(guān)系必須正確選擇試驗(yàn)電壓，如果過高，將會損壞原來的正常電容器。會造成隱患，降低可靠性，如果選擇過低，一些有明顯缺陷的產(chǎn)品可能無法消除。試驗(yàn)電壓與額定電壓的關(guān)系一般如下：表：2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，25。電容器的耐壓、擊穿電壓和額定工作電壓取決于設(shè)計和工藝，不同廠家產(chǎn)品的安全系數(shù)不同。擊穿電壓是指產(chǎn)品的極限電壓，是一種破壞性

10、實(shí)驗(yàn)。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，26，電容器的吸收現(xiàn)象1。所謂吸收現(xiàn)象是由介質(zhì)中的慢極化引起的時間滯后現(xiàn)象極化的定義：在外加電場的作用下，宏觀偶極矩沿電場方向出現(xiàn)在電介質(zhì)中，束縛電荷出現(xiàn)在電介質(zhì)表面，這就是電介質(zhì)的極化。2.吸收系數(shù)：Ka越小越好，表明電容器可以盡快完成充放電過程。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，27，電容器1的溫度特性。等級溫度范圍的定義：電容器可以連續(xù)工作的環(huán)境溫度范圍，即等級溫度范圍。也就是說，電容器應(yīng)該在某個最低環(huán)境溫度(較低類別溫度)和某個最高環(huán)境溫度(較高類別溫度)之間工作。上限溫度等級為：40、55、70、85、100、125、200、250等。

11、下限溫度等級為：-10，-25，-40，-55，-65等。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，28，2，溫度特性1)電容的溫度系數(shù)c:溫度變化一度時電容的相對變化值。(1/)在實(shí)踐中，通常希望知道某一溫度范圍內(nèi)的c，因此在工程中經(jīng)常使用以下公式：(1/)室溫t1下C1電容；在類別溫度t2下，C2上限處的電容C通常非常小，通常為10-6/，也就是說，ppm/c具有正(例如，聚酯)和負(fù)(例如，OPP)，2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，29，2)。電容C/C的溫度特性指的是在C/C=(C2-C1)/C1100% C1電容類別溫度范圍內(nèi)的給定溫度范圍。室溫(20) C/C僅適用于電容隨溫度變化

12、很大的電容器。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，30，電容器的阻抗和頻率特性：在交流電路中，電容器的阻抗如下：從圖中可以看出，當(dāng)頻率增加時，容抗隨著頻率的增加而減小，而感抗隨著頻率的增加而增加，z-f電容器的阻抗和頻率特性表現(xiàn)出U形特性。當(dāng)f=f0時，R rm為等效串聯(lián)電阻。容量的錯誤增加發(fā)生在f0附近。當(dāng)ff0時，電容器沒有容抗，但呈現(xiàn)感抗，然后電容器失去其功能。因此，電容器的工作頻率應(yīng)該遠(yuǎn)低于諧振頻率f0。2020/7/31，法拉電子技術(shù)中心，31。3.薄膜電容器的選擇1.根據(jù)應(yīng)用或電路原理確定電容器的類型：1.1 DC電路：選擇通用薄膜電容器。低電壓：盒式，高性能：CL23B，CL2

13、3/大間距浸入式，小型化：CL21X便宜；CL11容量穩(wěn)定；CBB21、CBB13、CH11精度高；CBB71、CBB72、CBB70是表面安裝的；CLN51、CBS52為中高壓；體積??；CL21、CL20容量穩(wěn)定；CBB81表面貼裝：CLN51，2020/7/31，F(xiàn)arah電子技術(shù)中心，32，3，薄膜電容器的選擇，1.2交流脈沖電路(S校正電路，反向傳播電路，峰值吸收電路，燈):脈沖電容器反向傳播電路：CBB81，CBB81B，CBB81A S校正電路：CBB21，CBB21B，CBB21A，CBB13電子鎮(zhèn)流器：MKP21，MKP81，MMKP82，MMKP。CL21，CL23B，CL25，CBB21，2020/7/31，F(xiàn)arah電子技術(shù)中心，33。iii .薄膜電容器的選擇。1.3安全電容器的選擇：電源跳線(抑制差模干擾):x型X2型CBB62(CQC) MKP61、MKP62(CQC、UL、ENEC) X1型MKP63(CQC、UL、ENEC)電源對地(抑制共模干擾):y型Y2型： KP63(CQC CBB 71A是一種箔結(jié)構(gòu)，溫度系