1、霍爾效應(yīng) 例. 一由南指向北均勻的磁場, 磁感應(yīng)強度B=1.5T。如果有一個5.0MeV的質(zhì)子沿豎直向下的方向通過磁場，問作用在質(zhì)子上的力有多大？(質(zhì)子質(zhì)量m=1.6710-27kg)解：方向向東+ + + + + + + + + + + + +- - - - - - - - - - - - - -離子源1. 速度選擇器(selector of velocity)FmFevE 取得了速度選擇的目的。 B電荷在電場和磁場中運動的實例+ 改變E與B的比值?？梢赃x擇不同速度的粒子。2. 質(zhì)譜儀(mass spectrograph)質(zhì)譜儀是研究物質(zhì)同位素的儀器。RN ：離子源P：速度選擇器 荷質(zhì)比：

2、q、v、B不變，R與m成正比，同位素按質(zhì)量大小排列+- P N B3. 回旋加速器(cyclotron)回旋加速器是原子核物理、高能物理等實驗研究的一種基本設(shè)備。通過半圓盒的時間：V B振蕩周期：頻率：粒子動能：4. 磁聚焦(magnetic focus)軸對稱磁場(短線圈) 磁透鏡(電子顯微鏡)h近似相等均勻磁場，且 很?。?. 磁約束(magnetic leash)應(yīng)用于受控熱核聚變(磁約束、慣性約束)橫向:在強磁場中可以將離子約束在小范圍，脫離器壁。 縱向:非均勻磁場。 反射磁鏡磁瓶:離子在兩磁鏡間振蕩。 霍爾效應(yīng)(Hall effect)方向向上，形成(2) 用電子論解釋載流子q =

3、-e，漂移速率yzUBxI+ + + + + + + + + +- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - dbU1U2 -vFeFm動態(tài)平衡時：(1) 現(xiàn)象：導體中通電流I，磁場 垂直于I，在既垂直于I，又垂直于 方向出現(xiàn)電勢差U。附：應(yīng)用磁聚焦現(xiàn)象求荷質(zhì)比U陰極控制極陽極BlhT=vcosv0qB=2mU陰極控制極陽極Bl=lv0 xTn調(diào)節(jié)B ,使比值為正整數(shù)n , 即:lv0 xT12Umve20 x=BT=2me又因為:nBm2=8Ue2l22所以:=(1.758819620.00000053)1011C/kgmeyzUHBxI+ +

4、+ + + + + + + +- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - dbU1U2 -vFeFm令： 若圖示電流由正電荷流動形成，則UH反向，由此可確定半導體類型。RH ：霍爾系數(shù)E+安培力(Ampere force)設(shè)：電子數(shù)密度 n電流元截面積 S電流元中的電子數(shù): nSdl作用在電流元上的作用力：洛侖茲力：電流強度：1. 載流導線在磁場中受力IBS-任意形狀載流導線在磁場中受安培力：大小:方向: 右螺旋實驗驗證:平行長直電流間的相互作用“安培”的定義 dF12單位長度受力：B1B2設(shè)： I1=I2 =1(A)，a=1maI1I2dl1dF21dl2 “安培”的定義：兩平行長直導線相距1m，通過大小相等的電流，如果這時它們之間單位長度導線受到的磁場力正好是210-7Nm-1時，就把兩導線中所通過的電流定義為“1安培”。計算安培力步驟： 1、沿電流方向任意選取電流元為受力對象。 2、確定該電流元所在點的 B 、寫出 dF 的表達式、并確定 dF 的方向。 3、建立坐標，寫出 dF 的坐標分量式 。（若 dF 分布具有對稱性，分量式可少寫