1、1）概述:吸收電路是用以控制關(guān)斷浪涌電壓和續(xù)流二極管恢復(fù)浪涌電壓的。a.關(guān)斷浪涌關(guān)斷浪涌電壓是在關(guān)斷瞬間流過(guò)GBT的電流時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)高壓。圖1是半橋感性負(fù)載電路，圖2是它的波形。下面的IGBT由一組脈沖來(lái)控制導(dǎo)通和關(guān)斷。每當(dāng)下臂導(dǎo)通電流都將增加。 當(dāng)該IGBT關(guān)斷時(shí)，負(fù)載電流不能立即變化，由上臂續(xù)流二極管導(dǎo)通。如果 電路是理想的（不存在寄生電感），關(guān)斷時(shí)下臂上的電壓將上升，直到比母 線電壓高出一個(gè)壓降值。上臂的續(xù)流二極管隨后導(dǎo)通以防止電壓進(jìn)一步上 升。但實(shí)際電路中必有寄生電感（Lp），且增加的電壓VP=Lpxdi/dt,這個(gè) 電壓與電源電源電壓疊加并以浪涌形式加在下臂IGBT的兩端，在極端情況

2、 下可能因超過(guò)VCES而損壞。b.續(xù)流二極管的恢復(fù)浪涌當(dāng)續(xù)流二極管恢復(fù)時(shí)會(huì)產(chǎn)生與關(guān)斷浪涌電壓相似的浪涌電壓。當(dāng)下臂IGBT開(kāi)通時(shí)，續(xù)流管電流轉(zhuǎn)移到下臂IGBT而下降。而當(dāng)恢復(fù)時(shí)， 線路中的寄生電感產(chǎn)生一個(gè)浪涌電壓LP x di/dt.c.接地回路當(dāng)控制信號(hào)（柵極驅(qū)動(dòng)）與主電流共用一個(gè)電流路徑時(shí)會(huì)導(dǎo)致接地回路。由于主回路有很高的di/dt，至使在具有寄生電感的功率回路產(chǎn)生感應(yīng)電壓，而 導(dǎo)致可能感應(yīng)到柵極把本來(lái)截止的IGBT導(dǎo)通。下圖描述了避免接地回路的噪聲。圖A：這種電路適合于小電流六合一封裝的模塊。圖B：這種電路適合于200A額定電流的模塊。（下臂柵極電源獨(dú)立）圖C：超過(guò)300A的模塊推薦使用

3、。d.減小功率電路之電感浪涌電壓與寄生電感LP成正比。所以在大電流模塊的使用中更要降低回路電感RLT田，奸E二ASTHCKHES5 0F BU&PUTES迭層母線結(jié)構(gòu)橫截面圖（極板放大以示細(xì)節(jié)）2.2.吸收電路之設(shè)計(jì)大電流三相變頻器主回路布局吸收電路的類型:a.b.圖A:由一個(gè)低感電容跨接在C1E2間，六合一的模塊接在PN之間。圖B：該二極管箝住瞬變電壓，抑制諧振。RC時(shí)間常數(shù)應(yīng)為開(kāi)關(guān)周期的約為 1/3 (t=T/3=1/3f ).圖口大電流應(yīng)用電路。圖D:能有效控制瞬變電壓，寄生震蕩及噪音。不過(guò)高頻應(yīng)用欠佳。吸收電感的作用：此圖中 V=LS x di/dt (關(guān)斷電壓波形)Ls=吸收電路的寄生電感；di/dt=關(guān)斷瞬間或恢復(fù)瞬間的di/dt 由此可見(jiàn)大功率IGBT電路必須采用低感吸收電路。母線電感的作用：c.設(shè)初試?yán)擞亢箅S著吸收電容的充電，第二次瞬間電壓為 V2則：1/2Lp I =1/2CA V22 （p=母線電感，I二工作電流，C二吸收電容；V2=吸收電容峰值；）則 C=LPI2