半導體知識介紹

陳燦文2012.3.26半導體知識介紹1內容1.半導體相關知識介紹2.半導體產業(yè)介紹3.半導體晶圓制造4.半導體封裝測試5.封裝形式介紹6.封裝測試廠流程細則7.半導體中國產業(yè)分布，著名半導體廠內容1.半導體相關知識介紹2制程相關：晶圓制造工藝的微米是指IC內電路與電路之間的距離。制造工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發(fā)展，。密度愈高的IC電路設計，意味著在同樣大小面積的IC中，可以擁有密度更高、功能更復雜的電路設計。微電子技術的發(fā)展與進步，主要是靠工藝技術的不斷改進，使得器件的特征尺寸不斷縮小，從而集成度不斷提高，功耗降低，器件性能得到提高。晶圓尺寸.6寸——8寸——12寸——16寸（400um)芯片的厚度：整體芯片的厚度。引腳大小及個數封裝形式制程相關：晶圓制造工藝的微米是指IC內電路與電路之間的距離。3半導體生產環(huán)境：無塵室「無塵室」是指將一定空間范圍內之空氣中的微粒子、有害空氣、細菌等之污染物排除，并將室內之溫度、濕度、潔凈度、室內壓力、氣流速度與氣流分布、噪音振動及照明、靜電控制在某一需求范圍內，而所給予特別設計的車間。半導體生產環(huán)境：無塵室「無塵室」是指將一定空間范圍內之空氣中4無塵室的等級潔凈度級別

粒徑(um)

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700等級概念：如1000級，每立方英尺內,大于等于0.5的灰塵顆粒不能超過1000顆無塵室的等級潔凈度級別

粒徑(um)

5IC產業(yè)鏈芯片制作完整過程包括：芯片設計、晶圓制造、芯片生產（封裝、測試）等幾個環(huán)節(jié)。芯片設計晶圓制造，FAB晶圓廠。芯片封裝芯片測試設計晶圓制造芯片封測封裝測試廠IC產業(yè)鏈芯片制作完整過程包括：芯片設計、晶圓制造、芯片生6Customer客戶ICDesignIC設計WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測試Assembly&TestIC封裝測試SMTIC組裝IC產業(yè)鏈CustomerICDesignWaferFabWafe7IC微電子技術

IC整體流程簡介一顆完整的芯片制造出需要經過300多道工序，歷時3個月。IC微電子技術

IC整體流程簡介一顆完整的芯片制造出需要經過8半導體晶圓制造：

WaferFabrication

晶圓：Wafer芯片的原料晶圓：晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產的成本越低，但對工藝就要求的越高。石英/沙子一定純度的硅（多晶硅）純硅初步提純高度提純溶解單晶硅晶棒經過一系列的操作半導體晶圓制造：WaferFabrication

晶圓9拉單晶多晶硅硅錠中晶體的晶向是雜亂無章的，如果使用它來制作半導體器件，其電學特性將非常糟糕，所以必須把多晶硅制作成單晶硅，這個過程可以形象地稱作拉單晶(CrystalPulling)。將高純度的多晶硅碾碎，放入石英坩堝，加高溫到1400°C，注意反應的環(huán)境是高純度的惰性氣體氬(Ar)。精確的控制溫度，單晶硅就隨著晶種被拉出來了。經過切片后產生真正成型的晶園。半導體工業(yè)使用的晶園并不是純粹的硅晶園，而是經過摻雜了的N型或者P型硅晶園。這是一套非常復雜的工藝，用到很多不同種類的化學藥品。做完這一步，晶園才可以交付到半導體芯片制作工廠。拉單晶多晶硅硅錠中晶體的晶向是雜亂無章的，如果使用它來制作半10晶圓的尺寸我們一般會聽到是幾寸的晶圓廠。一般現在有6寸,8寸,12寸晶圓。正在研究16寸400mm晶圓。這里的幾寸是指Wafer的直徑。1英寸=25.4mm，6寸晶圓就是直徑為150mm的晶圓。8寸200mm,12寸300mm。晶圓的尺寸我們一般會聽到是幾寸的晶圓廠。一般現在有6寸,8寸11封裝測試廠封裝測試生產流程：點INK(晶圓來料測試）——Grading研磨——SAWING劃片——diebonding固晶——WireBonding固線——Molding封膠——TirmFrom切筋——Test測試——包裝一般制程工序流程分為前/后道。前道：Grading,Sawing,diebond,wirebond.后道：Molding,TirmFrom,Test,Packing封裝測試廠封裝測試生產流程：12IC封測晶圓形成IC封測晶圓形成13Inking機此工序主要針對Wafer測試。晶圓廠出廠的晶圓不是全是好的。只是那邊測試,會給個MAP圖標注！那邊是壞die,那些是好die,所以一般此工序好多工廠是不會在測試，除了特別需求。Inking機此工序主要針對Wafer測試。14Grading研磨——減薄Grading研磨將從晶圓廠出來的Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到

封裝需要的厚度；磨片時，需要在正面（ActiveArea）貼膠帶保護電路區(qū)域

同時研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測量厚度；Taping粘膠帶BackGrinding磨片De-Taping去膠帶Grading研磨——減薄Grading研磨TapingBa15設備操作頁面設備操作頁面16SAWING切割

晶圓切割（Diesaw)，有時也叫“劃片”(Dicing)。一個Wafer上做出來的獨立的IC有幾百個到幾千個甚至上萬個，切割的目的是將整個晶圓上每一個獨立的IC通過高速旋轉的金剛石刀片切割開來將晶圓粘貼在藍膜（Mylar）上，使得

即使被切割開后，不會散落；通過SawBlade將整片Wafer切割成一

個個獨立的Dice，方便后面的DieAttach

等工序；WaferWash主要清洗Saw時候產生的各種粉塵，清潔Wafer；UV光照，光照后，底下貼膜不會沾的太緊。WaferMount晶圓安裝貼藍膜WaferSaw晶圓切割WaferWash清洗UV光照SAWING切割

晶圓切割（Diesaw)，有時也叫“劃17Diebonding固晶/裝片

DB就是把芯片裝配到框架上去銀漿成分為環(huán)氧樹脂填充金屬粉末（Ag）；有三個作用：將Die固定在DiePad，散熱作用，導電作用；

WriteEpoxy點銀漿DieAttach芯片粘接EpoxyCure銀漿固化EpoxyStorage：

零下50度存放；EpoxyAging：

使用之前回溫24H，除去氣泡；EpoxyWriting：

點銀漿于L/F的Pad上，Pattern可選；Diebonding固晶/裝片

DB就是把芯片裝配到框架上18引線框架【LeadFrame】引線框架提供電路連接和Die的固定作用；主要材料為銅，會在上面進行鍍銀、NiPdAu等材料；

易氧化，存放于氮氣柜中，濕度小于40%RH;晶圓和芯片除了生產需要都是存儲于氮氣柜中引線框架【LeadFrame】引線框架19圖解操作競寞芯片簿膜吸嘴抓片頭校正臺圓片簿膜裝片頭框架銀漿分配器圖解操作競寞芯片簿膜吸嘴抓片頭校正臺圓片簿膜裝片頭框架銀漿分20半導體相關技術及流程課件21Wirebonding固線/鍵合

WB目的:為了使芯片能與外界傳送及接收信號，就必須在芯片的接觸電極與框架的引腳之間，一個一個對應地用鍵合線連接起來，這個過程叫鍵合。線分為：金線，銀線，銅線，鋁線…金線采用的是99.99%的高純度金；同時，出于成本考慮，目前有采用銅

線和鋁線工藝的。優(yōu)點是成本降低，

同時工藝難度加大，良率降低；Wirebonding固線/鍵合

WB目的:為了使芯片能與22如何固線KeyWords：Capillary：陶瓷劈刀。W/B工藝中最核心的一個BondingTool，內部為空心，中間穿上金線，并

分別在芯片的Pad和LeadFrame的Lead上形成第

一和第二焊點；EFO：打火桿。用于在形成第一焊點時的燒球。打火桿打火形成高溫，將外露于Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊點（BondBall）；BondBall：第一焊點。指金線在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接點，一般為一個球形；Wedge：第二焊點。指金線在Cap的作用下，在LeadFrame上形成的焊接點，一般為月牙形（或者魚尾形）；W/B四要素：壓力（Force）、超聲（USGPower）、時間（Time）、溫度（Temperature）；如何固線KeyWords：23CompanyLogoEFO打火桿在磁嘴前燒球Cap下降到芯片的Pad上，在壓力和超聲形成第一焊點Cap牽引金線上升Cap下降到LeadFrame形成焊接Cap側向劃開，將金線切斷，形成魚尾Cap上提，完成一次動作Cap運動軌跡形成良好的WireLoopCompanyLogoEFO打火桿24封裝Molding主電控LF進料塑封料進料

LFShifter模具預熱臺

出料手臂

進料手臂

模具

產品出料去殘膠/塑封料進料

AutoMold模機器構造封裝Molding主電控LF進料塑封料LFShifter25MoldingMD(封膠）的作用：是為了保護器件不受環(huán)境影響（外部沖擊，熱及水傷）而能長期可靠工作,在表面封一層膠。封裝形式按封裝材料劃分為：金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝。塑料封裝材料：環(huán)氧樹脂塑封料。

存儲溫度：-15-5度。使用前從冰庫拿出，回溫24H,除回溫時間，可使用時間48H。也就是說暴露在空氣中72小時后不可使用。MoldingMD(封膠）的作用：是為了保護器件不受環(huán)境影響26如何封裝此過程分為三段時間：溶解時間，注膠時間，固化時間。整個時間一般在30秒以上。一般在40S左右。MoldingCycleL/F置于模具中，每個Die位于Cavity。模具合模-塊狀EMC放入模具孔中-高溫下，EMC開始熔化，順著軌道流向Cavity中-從底部開始，逐漸覆蓋芯片-完全覆蓋包裹完畢，并成型固化如何封裝MoldingCycleL/F置于模具中，每個Di27常見封裝形式DIP雙列直插式封裝；SIP單列直插式封裝DIPSOP

SOP小型雙列鷗翼封裝；SSOP更小型SOP;

QFP四邊帶引線的扁平封裝QFP加前綴“F”為帶散熱片加前綴“S”為縮小型“T”為薄型；”C”為陶瓷；P為塑料FSIPPGA針柵陣列封裝；BGA球柵陣列封裝PGABGA常見封裝形式DIP雙列直插式封裝；SIP單列直28烤箱將封好膠的芯片，放入烤箱烘烤。此步驟主要是作用：保護IC內部結構，消除內部氧氣，水珠，應力等?？鞠錅囟仍?25度左右，歷時5H左右。烤箱將封好膠的芯片，放入烤箱烘烤。此步驟主要是作用：保護IC29電鍍

電鍍是金屬和化學的方法，在Leadframe的表面鍍上一層鍍層，以防止外界環(huán)境的影響（潮濕和熱）。并且使元器件在PCB板上容易焊接及提高導電性。引線腳的后處理工藝有：電鍍（SolderPlating)和浸錫（SolderDipping)兩種。電鍍成分，通常有純錫、和錫鉛電鍍兩種。沒電鍍前電鍍后電鍍電鍍是金屬和化學的方法，在Leadframe的表面30X-RayX-Ray設備：X-Ray機器內部產生X光照射IC產品，可透過表面膠體，看清芯片內部狀況。如金線是否彎曲、斷裂、弧度高度，die是否偏位等。X-RayX-Ray設備：X-Ray機器內部產生X光照射IC31TrimForm切筋成型

T/F：把塑封后的框架上的制品分割成一個一個的IC產品。沖塑切筋切腳沖彎切吊筋TrimForm切筋成型

T/F：把塑封后的框架上的制品分32LaskMarking打字/印字利用激光在封膠體上刻字。如標準商標，產品型號等。機器上有個激光頭產生激光源，將電腦設計好的圖標與文字打印在封膠體上。JKaiLaskMarking打字/印字利用激光在封膠體上刻字。33測試：Test測試工序是確保向客戶提供產品的電氣性能符合要求的關鍵工序.它利用與中測相類似的測試臺以及自動分選器，測定IC的電氣特性，把良品、不良品區(qū)分開來.測試按功能可分為DC測試（直流特性）、AC測試（交流特性或timing特性）及FT測試（邏輯功能測試）三大類。同時還有一些輔助工序，如BT老化、插入、拔出、實裝測試、電容充放電測試等。

外觀測試：它通過IC的圖像二元化分析與測試。檢查IC的管腳（如管腳形狀、間距、平坦度、管腳間異物等）、樹脂（異物附著、樹脂欠缺）、打印（打印偏移、欠缺）、IC方向等項目，并分揀出外觀不合格品。測試：Test測試工序是確保向客戶提供產品的電氣性能符合34包裝Packing包裝的主要目的是保證運輸過程中的產品安全，及長期存放時的產品可靠性。因此對包裝材料的強度、重量、溫濕度特性、抗靜電性能都有一定的要求。包裝按容器形態(tài)可分為載帶包裝、托盤包裝及料管包裝；按干燥形態(tài)可分為簡易干包、完全干包及通常包裝；按端數形態(tài)又可分為滿杯（滿箱）包裝與非滿杯包裝。一般采用托盤完全干包。采用真空抽壓的方法包裝Packing包裝的主要目的是保證運輸過程中的產品安全，35WaferIncoming晶圓是否需要研磨貼膠布TapingWafer研磨GrindingWafer撕膠布DetapingWafer是否使用UVTape貼晶圓WaferMount(BlueTape)貼晶圓WaferMount(UVTape)晶圓切割WaferSaw晶圓清洗WaferClean晶圓檢驗PSI是否照UVNoYesYesNo紫外線照射UV接下頁YesNo封裝測試整體流程細則WaferIncoming是否需要研磨貼膠布研磨撕膠布De36銀膠烘烤EpoxyCure推力試驗PushingTest電漿清洗Plasma特殊產品一般產品接線拉力推球試驗WirePull&Ball接線WireBond是否需要覆晶前段製程完成YesNo覆晶膠DieCoating覆晶膠烘烤CoatingCure接下頁接線目檢PBI上片DieBond銀膠烘烤推力試驗電漿清洗特殊產品一般產品接線拉力推球試驗接線37NoYes烘烤Cureing植散熱片電漿清洗PlasmaNo壓模Molding蓋背印BackMark壓模後烘烤PostmoldCure接下頁是否為BGA產品BGA產品點膠

WireCoating是否需要植散熱片YesNoYes烘烤植散熱片電漿清洗No壓模蓋背印38正印烘烤MarkCure切連桿Deiunk切單Sigulation彎腳裝盤LeadTrim&Form測球BallScan彎腳裝盤LeadTrim&Form後站製程完成測試/檢測FVI包裝出貨一般產品PDIP產品BGA產品切連桿Dejunk除膠渣Deflsh除膠渣Deflsh電鍍SolderPlating電鍍SolderPlating蓋正印Mark蓋正印Mark正印烘烤MarkCure植球BallMount水洗D.I.Water過IRIR-Reflow為何種產品正印烘烤切連桿切單彎腳裝盤測球彎腳392003.4營業(yè)一部中國IC企業(yè)分布圖

上海市ShanghaiChipPAC、Amkor、Intel、IBM松下Simconix、Chipmos、Liteon、Vishay、華旭威宇(GAPT)、

凱虹(DIODES)、捷敏(GEM)

Alphatec、日月光、宏盛、

泰隆(ACE)、尼賽拉中芯(SMIC)、貝岑(UMC)、宏力(GSMC)

華虹NEC、先進(ASMC)、臺積電(TSMC)蘇州市Suzhou瑞薩、

SAMSUNG、

飛索、PHILIPS、松下NationalSemiconductor、EPSON、SANYOFairchildSemiconductor、巨豊KASEN、SPIL和艦(UMC)、旺宏(Macronix)無錫市WuxiTOSHIBA、INFENION、AUK、華潤、矽格、敦南、華晶南通市NantongFUJITSU江陰市Jiangin長電科技

寧波市ninbao明昕、元泰

、中緯、元泰

紹興市Shaohsin華越芯裝、華越電子天津市TianjingMotorola

北京市Beijing首鋼NEC、瑞薩、東光首鋼NEC、訊創(chuàng)、中芯環(huán)球、燕東深圳市*廣東GuangdonST、南科、GSMC、廣半、風華、南科天水市華天楽山市ONSEMIPhoenix，INTEL■：Assembly■：FAB杭州市HangzhouHANA（嘉興）士蘭微電子廣西+貴州Sichun斯壯（桂林）永光（貴陽）2003.4營業(yè)一部中國IC企業(yè)分布圖上海市Shangh40

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41半導體知識介紹

陳燦文2012.3.26半導體知識介紹42內容1.半導體相關知識介紹2.半導體產業(yè)介紹3.半導體晶圓制造4.半導體封裝測試5.封裝形式介紹6.封裝測試廠流程細則7.半導體中國產業(yè)分布，著名半導體廠內容1.半導體相關知識介紹43制程相關：晶圓制造工藝的微米是指IC內電路與電路之間的距離。制造工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發(fā)展，。密度愈高的IC電路設計，意味著在同樣大小面積的IC中，可以擁有密度更高、功能更復雜的電路設計。微電子技術的發(fā)展與進步，主要是靠工藝技術的不斷改進，使得器件的特征尺寸不斷縮小，從而集成度不斷提高，功耗降低，器件性能得到提高。晶圓尺寸.6寸——8寸——12寸——16寸（400um)芯片的厚度：整體芯片的厚度。引腳大小及個數封裝形式制程相關：晶圓制造工藝的微米是指IC內電路與電路之間的距離。44半導體生產環(huán)境：無塵室「無塵室」是指將一定空間范圍內之空氣中的微粒子、有害空氣、細菌等之污染物排除，并將室內之溫度、濕度、潔凈度、室內壓力、氣流速度與氣流分布、噪音振動及照明、靜電控制在某一需求范圍內，而所給予特別設計的車間。半導體生產環(huán)境：無塵室「無塵室」是指將一定空間范圍內之空氣中45無塵室的等級潔凈度級別

粒徑(um)

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46IC產業(yè)鏈芯片制作完整過程包括：芯片設計、晶圓制造、芯片生產（封裝、測試）等幾個環(huán)節(jié)。芯片設計晶圓制造，FAB晶圓廠。芯片封裝芯片測試設計晶圓制造芯片封測封裝測試廠IC產業(yè)鏈芯片制作完整過程包括：芯片設計、晶圓制造、芯片生47Customer客戶ICDesignIC設計WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測試Assembly&TestIC封裝測試SMTIC組裝IC產業(yè)鏈CustomerICDesignWaferFabWafe48IC微電子技術

IC整體流程簡介一顆完整的芯片制造出需要經過300多道工序，歷時3個月。IC微電子技術

IC整體流程簡介一顆完整的芯片制造出需要經過49半導體晶圓制造：

WaferFabrication

晶圓：Wafer芯片的原料晶圓：晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產的成本越低，但對工藝就要求的越高。石英/沙子一定純度的硅（多晶硅）純硅初步提純高度提純溶解單晶硅晶棒經過一系列的操作半導體晶圓制造：WaferFabrication

晶圓50拉單晶多晶硅硅錠中晶體的晶向是雜亂無章的，如果使用它來制作半導體器件，其電學特性將非常糟糕，所以必須把多晶硅制作成單晶硅，這個過程可以形象地稱作拉單晶(CrystalPulling)。將高純度的多晶硅碾碎，放入石英坩堝，加高溫到1400°C，注意反應的環(huán)境是高純度的惰性氣體氬(Ar)。精確的控制溫度，單晶硅就隨著晶種被拉出來了。經過切片后產生真正成型的晶園。半導體工業(yè)使用的晶園并不是純粹的硅晶園，而是經過摻雜了的N型或者P型硅晶園。這是一套非常復雜的工藝，用到很多不同種類的化學藥品。做完這一步，晶園才可以交付到半導體芯片制作工廠。拉單晶多晶硅硅錠中晶體的晶向是雜亂無章的，如果使用它來制作半51晶圓的尺寸我們一般會聽到是幾寸的晶圓廠。一般現在有6寸,8寸,12寸晶圓。正在研究16寸400mm晶圓。這里的幾寸是指Wafer的直徑。1英寸=25.4mm，6寸晶圓就是直徑為150mm的晶圓。8寸200mm,12寸300mm。晶圓的尺寸我們一般會聽到是幾寸的晶圓廠。一般現在有6寸,8寸52封裝測試廠封裝測試生產流程：點INK(晶圓來料測試）——Grading研磨——SAWING劃片——diebonding固晶——WireBonding固線——Molding封膠——TirmFrom切筋——Test測試——包裝一般制程工序流程分為前/后道。前道：Grading,Sawing,diebond,wirebond.后道：Molding,TirmFrom,Test,Packing封裝測試廠封裝測試生產流程：53IC封測晶圓形成IC封測晶圓形成54Inking機此工序主要針對Wafer測試。晶圓廠出廠的晶圓不是全是好的。只是那邊測試,會給個MAP圖標注！那邊是壞die,那些是好die,所以一般此工序好多工廠是不會在測試，除了特別需求。Inking機此工序主要針對Wafer測試。55Grading研磨——減薄Grading研磨將從晶圓廠出來的Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到

封裝需要的厚度；磨片時，需要在正面（ActiveArea）貼膠帶保護電路區(qū)域

同時研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測量厚度；Taping粘膠帶BackGrinding磨片De-Taping去膠帶Grading研磨——減薄Grading研磨TapingBa56設備操作頁面設備操作頁面57SAWING切割

晶圓切割（Diesaw)，有時也叫“劃片”(Dicing)。一個Wafer上做出來的獨立的IC有幾百個到幾千個甚至上萬個，切割的目的是將整個晶圓上每一個獨立的IC通過高速旋轉的金剛石刀片切割開來將晶圓粘貼在藍膜（Mylar）上，使得

即使被切割開后，不會散落；通過SawBlade將整片Wafer切割成一

個個獨立的Dice，方便后面的DieAttach

等工序；WaferWash主要清洗Saw時候產生的各種粉塵，清潔Wafer；UV光照，光照后，底下貼膜不會沾的太緊。WaferMount晶圓安裝貼藍膜WaferSaw晶圓切割WaferWash清洗UV光照SAWING切割

晶圓切割（Diesaw)，有時也叫“劃58Diebonding固晶/裝片

DB就是把芯片裝配到框架上去銀漿成分為環(huán)氧樹脂填充金屬粉末（Ag）；有三個作用：將Die固定在DiePad，散熱作用，導電作用；

WriteEpoxy點銀漿DieAttach芯片粘接EpoxyCure銀漿固化EpoxyStorage：

零下50度存放；EpoxyAging：

使用之前回溫24H，除去氣泡；EpoxyWriting：

點銀漿于L/F的Pad上，Pattern可選；Diebonding固晶/裝片

DB就是把芯片裝配到框架上59引線框架【LeadFrame】引線框架提供電路連接和Die的固定作用；主要材料為銅，會在上面進行鍍銀、NiPdAu等材料；

易氧化，存放于氮氣柜中，濕度小于40%RH;晶圓和芯片除了生產需要都是存儲于氮氣柜中引線框架【LeadFrame】引線框架60圖解操作競寞芯片簿膜吸嘴抓片頭校正臺圓片簿膜裝片頭框架銀漿分配器圖解操作競寞芯片簿膜吸嘴抓片頭校正臺圓片簿膜裝片頭框架銀漿分61半導體相關技術及流程課件62Wirebonding固線/鍵合

WB目的:為了使芯片能與外界傳送及接收信號，就必須在芯片的接觸電極與框架的引腳之間，一個一個對應地用鍵合線連接起來，這個過程叫鍵合。線分為：金線，銀線，銅線，鋁線…金線采用的是99.99%的高純度金；同時，出于成本考慮，目前有采用銅

線和鋁線工藝的。優(yōu)點是成本降低，

同時工藝難度加大，良率降低；Wirebonding固線/鍵合

WB目的:為了使芯片能與63如何固線KeyWords：Capillary：陶瓷劈刀。W/B工藝中最核心的一個BondingTool，內部為空心，中間穿上金線，并

分別在芯片的Pad和LeadFrame的Lead上形成第

一和第二焊點；EFO：打火桿。用于在形成第一焊點時的燒球。打火桿打火形成高溫，將外露于Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊點（BondBall）；BondBall：第一焊點。指金線在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接點，一般為一個球形；Wedge：第二焊點。指金線在Cap的作用下，在LeadFrame上形成的焊接點，一般為月牙形（或者魚尾形）；W/B四要素：壓力（Force）、超聲（USGPower）、時間（Time）、溫度（Temperature）；如何固線KeyWords：64CompanyLogoEFO打火桿在磁嘴前燒球Cap下降到芯片的Pad上，在壓力和超聲形成第一焊點Cap牽引金線上升Cap下降到LeadFrame形成焊接Cap側向劃開，將金線切斷，形成魚尾Cap上提，完成一次動作Cap運動軌跡形成良好的WireLoopCompanyLogoEFO打火桿65封裝Molding主電控LF進料塑封料進料

LFShifter模具預熱臺

出料手臂

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模具

產品出料去殘膠/塑封料進料

AutoMold模機器構造封裝Molding主電控LF進料塑封料LFShifter66MoldingMD(封膠）的作用：是為了保護器件不受環(huán)境影響（外部沖擊，熱及水傷）而能長期可靠工作,在表面封一層膠。封裝形式按封裝材料劃分為：金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝。塑料封裝材料：環(huán)氧樹脂塑封料。

存儲溫度：-15-5度。使用前從冰庫拿出，回溫24H,除回溫時間，可使用時間48H。也就是說暴露在空氣中72小時后不可使用。MoldingMD(封膠）的作用：是為了保護器件不受環(huán)境影響67如何封裝此過程分為三段時間：溶解時間，注膠時間，固化時間。整個時間一般在30秒以上。一般在40S左右。MoldingCycleL/F置于模具中，每個Die位于Cavity。模具合模-塊狀EMC放入模具孔中-高溫下，EMC開始熔化，順著軌道流向Cavity中-從底部開始，逐漸覆蓋芯片-完全覆蓋包裹完畢，并成型固化如何封裝MoldingCycleL/F置于模具中，每個Di68常見封裝形式DIP雙列直插式封裝；SIP單列直插式封裝DIPSOP

SOP小型雙列鷗翼封裝；SSOP更小型SOP;

QFP四邊帶引線的扁平封裝QFP加前綴“F”為帶散熱片加前綴“S”為縮小型“T”為薄型；”C”為陶瓷；P為塑料FSIPPGA針柵陣列封裝；BGA球柵陣列封裝PGABGA常見封裝形式DIP雙列直插式封裝；SIP單列直69烤箱將封好膠的芯片，放入烤箱烘烤。此步驟主要是作用：保護IC內部結構，消除內部氧氣，水珠，應力等。烤箱溫度在125度左右，歷時5H左右?？鞠鋵⒎夂媚z的芯片，放入烤箱烘烤。此步驟主要是作用：保護IC70電鍍

電鍍是金屬和化學的方法，在Leadframe的表面鍍上一層鍍層，以防止外界環(huán)境的影響（潮濕和熱）。并且使元器件在PCB板上容易焊接及提高導電性。引線腳的后處理工藝有：電鍍（SolderPlating)和浸錫（SolderDipping)兩種。電鍍成分，通常有純錫、和錫鉛電鍍兩種。沒電鍍前電鍍后電鍍電鍍是金屬和化學的方法，在Leadframe的表面71X-RayX-Ray設備：X-Ray機器內部產生X光照射IC產品，可透過表面膠體，看清芯片內部狀況。如金線是否彎曲、斷裂、弧度高度，die是否偏位等。X-RayX-Ray設備：X-Ray機器內部產生X光照射IC72TrimForm切筋成型

T/F：把塑封后的框架上的制品分割成一個一個的IC產品。沖塑切筋切腳沖彎切吊筋TrimForm切筋成型

T/F：把塑封后的框架上的制品分73LaskMarking打字/印字利用激光在封膠體上刻字。如標準商標，產品型號等。機器上有個激光頭產生激光源，將電腦設計好的圖標與文字打印在封膠體上。JKaiLaskMarking打字/印字利用激光在封膠體上刻字。74測試：Test測試工序是確保向客戶提供產品的電氣性能符合要求的關鍵工序.它利用與中測相類似的測試臺以及自動分選器，測定IC的電氣特性，把良品、不良品區(qū)分開來.測試按功能可分為DC測試（直流特性）、AC測試（交流特性或timing特性）及FT測試（邏輯功能測試）三大類。同時還有一些輔助工序，如BT老化、插入、拔出、實裝測試、電容充放電測試等。

外觀測試：它通過IC的圖像二元化分析與測試。檢查IC的管腳（如管腳形狀、間距、平坦度、管腳間異物等）、樹脂（異物附著、樹脂欠缺）、打印（打印偏移、欠缺）、IC方向等項目，并分揀出外觀不合格品。測試：Test測試工序是確保向客戶提供產品的電氣性能符合75包裝Packing包裝的主要目的是保證運輸過程中的產品安全，及長期存放時的產品可靠性。因此對包裝材料的強度、重量、溫濕度特性、抗靜電性能都有一定的要求。包裝按容器形態(tài)可分為載帶包裝、托盤包裝及料管包裝；按干燥形態(tài)可分為簡易干包、完全干包及通常包裝；按端數形態(tài)又可分為滿杯（滿箱）包裝與非滿杯包裝。一般采用托盤完全干包。采用真空抽壓的方法包裝Packing包裝的主要目的是保證運輸過程中的產品安全，76WaferIncoming晶圓是否需要研磨貼膠布TapingWafer研磨GrindingWafer撕膠布DetapingWafer是否使用UVTape貼晶圓WaferMount(BlueTape)貼晶圓WaferMount(UVTape)晶圓切割WaferSaw晶圓清洗WaferClean晶圓檢驗PSI是否