精品文檔-下載后可編輯一文解析IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)浪涌抗擾度試驗(yàn)-設(shè)計(jì)應(yīng)用不同的電子、電氣產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)對(duì)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)的要求是不同的，但這些標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)大多都直接或間接引用GB/T17626.5-1999（idtIEC61000-4-5:2022）：《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)》這一國(guó)家電磁兼容基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)，并按其中的試驗(yàn)方法進(jìn)行試驗(yàn)。

按照IEC61000－4－5（GB/T17626.5）標(biāo)準(zhǔn)的要求分別模擬在電源線上和通信線路上的雷擊浪涌試驗(yàn)。由于線路的阻抗不一樣，浪涌在這兩種線路上的波形也不一樣，要分別模擬。

（1）主要用于電源線路試驗(yàn)的1.2/50μs（電壓波）和8/20μs（電流波）的雷擊浪涌發(fā)生器。

電源線路試驗(yàn)的雷擊浪涌發(fā)生器

雷擊浪涌發(fā)生器：短路電流和開(kāi)路電壓的電路在一個(gè)發(fā)生器。提供兩個(gè)波形：發(fā)生器輸出開(kāi)路時(shí)提供電壓波；發(fā)生器短路時(shí)提供電流波。電源線路試驗(yàn)的綜合波發(fā)生器結(jié)構(gòu)圖如圖所示。

U—高壓源；Rc—充電電阻；Cc—儲(chǔ)能電容；Rs—脈沖持續(xù)時(shí)間形成電阻；Lr—上升時(shí)間形成電感對(duì)浪涌抗擾度試驗(yàn)綜合波發(fā)生器的基本要求：

開(kāi)路輸出電壓（10%）0.5kVP~4kVP；

短路輸出電流（10%）0.25kAP~4kAP

發(fā)生器內(nèi)阻：2Ω，可附加10Ω或40Ω，以形成12Ω或42Ω的內(nèi)阻輸出極性：正/負(fù)；

移相范圍：0度~360度；

重復(fù)頻率：至少每分鐘1次

（2）用于通信線路試驗(yàn)的10/700μs浪涌電壓發(fā)生器用于通信線路的10/700μs浪涌波發(fā)生器又稱(chēng)為CCITT波發(fā)生器，這是符合聯(lián)合國(guó)下屬?lài)?guó)際電報(bào)和電話咨詢委員會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)CCITT）要求的一種浪涌電壓試驗(yàn)波形。發(fā)生器的電路原理圖如圖所示。

10/700μs浪涌發(fā)生器電路原理圖

U—高壓源，Rc—充電電阻，Cc—儲(chǔ)能電容（20μF）；Rs—脈沖持續(xù)時(shí)間形成電阻（50Ω），Rm—阻抗匹配電阻（Rm1=15Ω，Rm2=25Ω），Cs—上升時(shí)間形成0.2μF），S1—使用外部匹配電阻時(shí)，開(kāi)關(guān)合上。發(fā)生器只提供電壓波，波形圖如下，其波前時(shí)間T1=1.67×T=10μs±30%，半峰值時(shí)間T2=700μs±20%。

對(duì)浪涌抗擾度試驗(yàn)發(fā)生器的基本性能要求是：

開(kāi)路峰值輸出電壓（峰值）：0.5kV～4kV

動(dòng)態(tài)內(nèi)阻：40Ω

輸出極性：正/負(fù)

浪涌抗擾度試驗(yàn)方法和注意點(diǎn)：

由于浪涌試驗(yàn)的電壓和電流波形相對(duì)較緩，因此對(duì)試驗(yàn)室的配置比較簡(jiǎn)單。對(duì)于電源線上的試驗(yàn)，都是通過(guò)耦合去耦網(wǎng)絡(luò)來(lái)完成的。

試驗(yàn)中要注意以下幾點(diǎn)：

1、試驗(yàn)前務(wù)必按照制造商的要求加接地保護(hù)措施。

2、試驗(yàn)速率每分種1次，不宜太快，以便給保護(hù)器件有一個(gè)性能恢復(fù)的過(guò)程。事實(shí)上，自然界的雷擊現(xiàn)象和開(kāi)關(guān)站大型開(kāi)關(guān)的切換也不可能有非常高的重復(fù)率現(xiàn)象存在。

3、試驗(yàn)一般正/負(fù)極性各做5次。

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