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文檔簡介

快速找引晶溫度簡介目的: 拉晶時間,降低生產本錢,提高公司效益.目前現狀:提蓋子后爐內溫度比較低,引晶溫度不好找或找引晶溫度時間較長期望:提蓋子后能夠快速(30分鐘內)找到引晶溫度,引出高質量的單晶,到達三段式引晶效果。提蓋子是在較低溫度下進展,蓋子提出后爐內溫度一般比較低,為了能夠快速找到引晶溫度 節(jié)約時間和本錢,同時能引出高質量的單晶(三段式引晶)。測完電阻具體操作:1、 率上升至引晶功率以上3—5kw，將堝轉降至2轉，堝位求降至離液面3—5mm對籽晶進展預熱。2、 等待幾分鐘后看熱場測量值與本爐引晶時設定值的差值當差值較小時〔p左右，此時可以降籽晶至熔硅中，進展熔接。當籽晶四周漸漸3、待熔接好后，漸漸上升堝轉〔升至引晶時的堝轉，五分鐘內完成4個點時，直接點“手動引晶”工藝流程，進展手動引晶即可。此方法的好處：1、 節(jié)約調溫時間2、 高溫熔接3、 高溫時升堝轉降溫可以到達開頭低拉速中途高拉速引晶后期為低速，符合三段式引晶。附：相關爐臺試驗數據介紹SG0909098-4承受此操作后的一些相關數據和圖片介紹。相關數據：晶體編號放蓋子測電阻時間隔離時間副室凈化時間切換手動時間0909098-415：0015：1115：1815：26手動引晶時間調溫時間引晶時間放肩成功率15：50394616：36一次成功39分鐘。以以下圖為相關圖片：1、以以下圖為提蓋子后副室隔離及引晶時的生長記錄2、此圖為引晶時晶體生長速率曲線數據不簡潔放飛。3、以以下圖為依據此方法引出的細頸外觀質量4、本爐晶體引晶一次成功，具體晶體圖片未進展記錄。以以下圖為本爐拉晶記

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