1、單芯片靜電電容測(cè)量方式- PCap01，Zorro，huagsunfengacamchinasalesrepresentative，PCap01內(nèi)置DSP的靜電電容測(cè)量專用SoC， 基于專利PICOCAP測(cè)量原理的前端轉(zhuǎn)換單元高精度、最小轉(zhuǎn)換時(shí)間2 s低功耗內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)固件03.01xx支持單端和差動(dòng)接地傳感器，單端和差動(dòng)浮動(dòng)傳感器可以通過接地電容補(bǔ)償芯片內(nèi)部寄生電容， 可以通過寄生電容補(bǔ)償內(nèi)部和外部寄生電容，可以通過內(nèi)部或外部感溫電阻測(cè)量溫度提供未處理的電容和電阻率輸出的電容式傳感器的應(yīng)用或者電容式變送器，包括電容式濕度、位移、壓力、力、加速度、傾斜角、液位傳感器等應(yīng)用中國市場(chǎng)的年度1千萬只以上

2、的需求，具有核心優(yōu)勢(shì)， 競爭方案(AD7746 )多的BOM外置MCU或DSP為2路靜電容量測(cè)量頻率10 - 90 Hz的精度最多可測(cè)量4 fF 21-b的有效精度的典型測(cè)量功耗0.7 mA溫度穩(wěn)定性1 aF/芯片成本$5.00/1 KU，PCap01方案極少的BOM接地電機(jī)在能夠測(cè)量8路靜電電容的懸吊模式下，4路電容器(零電位、零偏置電壓)的測(cè)量精度最高為6 aF 5 Hz，10 pF基極電容器17-b 5 Hz，100 pF基極電容器，10 pF激勵(lì)電容器測(cè)量頻率最高為500 kHz，測(cè)量消耗功率最高為4 A 3 Hz 48-b DSP內(nèi)置硬件結(jié)構(gòu)48 x 48 RAM 4k OTP 4k

3、 SRAM內(nèi)置CDC以及RDC RDC精度為0.005 K專利的PICOCAP測(cè)量技術(shù)不需要晶體振動(dòng)PWM和PDM輸出，可實(shí)現(xiàn)I2C和SPI數(shù)字通信端口、內(nèi)部框架、 支持多種傳感器的單端接地單端浮動(dòng)差分通過浮動(dòng)屏蔽線連接傳感器的系統(tǒng)框圖、不需要外部MCU和DSP的多種傳感器連接方式最多可測(cè)量8路電容(接地模式)最多可測(cè)量4路電容(浮動(dòng)模式) 內(nèi)置4k SRAM為了以穩(wěn)定的電源輸入電源線上的開關(guān)穩(wěn)壓器，通過線性穩(wěn)壓器與芯片隔離，增益誤差vs .供電電壓、卓越性能、零點(diǎn)失步漂移9.5 aF/K VDD 3.0 V 10 pF COG陶瓷參照容量、增益失步漂移vs .溫度、增益漂移vs. RDC精度

4、20下的感溫系數(shù)Tk 20為參考內(nèi)部鋁/聚乙烯硅的精度值、管腳及封裝、管腳定義QFN32 QFN24封裝裸片2.04 mm x 1.54 mm， 線寬120 m QFN32 5 mm x 5 mm QFN24 4 mm x 4 mm、CDC測(cè)量、周期時(shí)間充放電時(shí)間外部電路、補(bǔ)償測(cè)量、寄生電容通過接地電容，內(nèi)部寄生電容及內(nèi)部比較延遲通過浮動(dòng)電容，補(bǔ)償外部對(duì)地寄生電容的浮動(dòng)電容，外部補(bǔ)償測(cè)量、補(bǔ)償測(cè)量、 浮動(dòng)/接地電容、內(nèi)部補(bǔ)償測(cè)量、 演示套件PCap01-EVA-KIT PCap01-MB主板PC01-AD插件模塊PICOPROG V2.0可編程控制器高密度DSUB15電纜USB電纜電源墻盒CD-ROM數(shù)據(jù)手冊(cè)Windows操作系統(tǒng)Zorro，huangsunfengacamchinasalesrepresentati