1、非晶體系的吸收光譜非晶固體的能帶結(jié)構(gòu)無規(guī)網(wǎng)絡(luò)無定型材料的兩種結(jié)構(gòu)模型1摻雜和無序引起的帶邊的演化(a)完整晶體;(b)只有一個局域不完整性的晶體;(c)具有低濃度局域不完整性的晶體;(d)具有高濃度局域不完整性的晶體,形成局域帶尾態(tài).d2非晶固體的帶隙為帶隙態(tài)3非晶固體的吸收光譜a-Si:H以及純a-Si和C-Si的吸收光譜(A)冪指數(shù)區(qū) 1.8eV 103cm-1 (E-Eg)r(B)e指數(shù)區(qū)(Urbach邊) 1.4-1.8eV 103cm-1(C)弱吸收區(qū) 1.4eV 1cm-14 非晶固體的帶間吸收（冪指數(shù)吸收邊-伴隨光電導(dǎo)）考慮體系吸收一個光子，電子: Ei Ef能量關(guān)系初態(tài)態(tài)密度末

2、態(tài)態(tài)密度吸收系數(shù)為5對于拋物線能帶結(jié)構(gòu)，r1 = 1/2 , r2 = 1/2間接躍遷的吸收規(guī)律？ 非晶固體的光學(xué)帶隙測量a-Si:H吸收邊Tauc作圖法Klazes作圖法 Tauc作圖法（常用）取 坐標(biāo)擬合 Klazes作圖法令r1 = 1, r2 = 1取 坐標(biāo)擬合兩種方法Eg結(jié)果不同!6帶-帶尾態(tài)的吸收（e指數(shù)區(qū)）晶體帶尾態(tài)的形成，重摻雜引起： i:帶邊形成準(zhǔn)連續(xù)能級，并進入帶內(nèi)； ii:離化雜質(zhì)對帶邊的擾動；iii:雜質(zhì)產(chǎn)生的形變勢能。7N(E)E0EpEi光學(xué)躍遷示意圖考慮價帶到導(dǎo)帶尾態(tài)拋物線型能帶的躍遷Ep：P型重摻雜引起的費米能級Ei、E：躍遷的初態(tài)與末態(tài)價帶態(tài)密度為吸收光譜可以

3、用態(tài)密度卷積表示其中e指數(shù)分布的帶尾態(tài)導(dǎo)致e指數(shù)律的吸收邊!8帶隙態(tài)的吸收（弱吸收區(qū)）弱吸收區(qū)可歸結(jié)為帶隙態(tài)引起的吸收，優(yōu)化制備條件，可以減少帶隙態(tài)引起的吸收平臺。9非晶體系的發(fā)光光譜帶隙態(tài)非晶體中存在延展態(tài)（導(dǎo)帶和價帶）、局域態(tài)（導(dǎo)帶尾和價帶尾）以及帶隙態(tài)，發(fā)光躍遷與這些狀態(tài)有關(guān)。10:H不同襯底溫度下輝光放電法制備a-Si:H的發(fā)光光譜a-Si:H的發(fā)光光譜包括：主峰(1.21.3eV)：帶尾態(tài)躍遷次峰(0.9eV):帶隙態(tài)的躍遷11類激子假設(shè)：過熱的電子和空穴經(jīng)熱均化過程，到達帶尾態(tài)，重新束縛在一起形成類激子。輝光放電法制備a-Si:H的光電流密度和發(fā)光強度的溫度關(guān)系發(fā)光強度的溫度關(guān)系：v0: 晶格振動頻率vR:輻射復(fù)合幾率:無輻射躍遷激活能12CBVB輻射