2023年通信電子計算機技能考試-半導體芯片制造工考試參考題庫（含答案）（圖片大小可任意調(diào)節(jié)）第I卷一.全考點試題庫(共20題)1.在半導體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）

正確答案:正確2.遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）

正確答案:正確3.位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。（）

正確答案:正確4.解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

正確答案:光刻膠選擇比是指顯影液與曝光的光刻膠反應的速度快慢，選擇比越高，反應速度越快，所以要比例高。5.值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）

正確答案:正確6.腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、鹽酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氫氟酸

正確答案:D7.寫出IC制造的5個步驟。

正確答案:8.在半導體工藝中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。

正確答案:光刻膠；洗液9.Ⅰ號液是（）過氧化氫清洗液.

A、堿性

B、酸性

C、中性

正確答案:A10.雜質(zhì)原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。

正確答案:替位；間隙11.二氧化硅薄膜在集成電路中具有怎樣的應用？

正確答案:①器件保護（避免劃傷和污染），因sio2致密；

②表面鈍化（飽和懸掛鍵，降低界面態(tài)；需一定厚度，降低漏電流等）；

③用作絕緣介質(zhì)和隔離（LOCOS，STI）如：隔離（如場氧，需要一定的厚度）；

④絕緣柵（膜厚均勻，無電荷和雜質(zhì)，需干氧氧化）、多層布線絕緣層、電容介質(zhì)等；

⑤選擇性擴散摻雜的掩膜。12.砷化鎵相對于硅的優(yōu)點是什么？

正確答案:砷化鎵具有比硅更高的電子遷移率，因此多數(shù)載流子也移動得比硅中的更快。砷化鎵也有減小寄生電容和信號損耗的特性。這些特性使得集成電路的速度比由硅制成的電路更快。GaAs器件增進的信號速度允許它們在通信系統(tǒng)中響應高頻微波信號并精確地把它們轉(zhuǎn)換成電信號。硅基半導體速度太慢以至于不能響應微波頻率。砷化鎵的材料電阻率更大，這使得砷化鎵襯底上制造的半導體器件之間很容易實現(xiàn)隔離，不會產(chǎn)生電學性能的損失。13.光刻中采用步進掃描技術(shù)獲得了什么好處？

正確答案:增大了曝光場，可以獲得較大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它還具有在整個掃描過程調(diào)節(jié)聚焦的能力。14.什么是多層金屬化？它對芯片加工來說為什么是必需的？

正確答案:15.描述RF濺射系統(tǒng)。

正確答案:16.什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？

正確答案:硅化物是難熔金屬與硅反應形成的金屬化合物，是一種具有熱穩(wěn)定性的金屬化合物，并且在硅/難熔金屬的分界面具有低的電阻率。

難熔金屬硅化物的優(yōu)點和其作用：

1、降低接觸電阻

2、作為金屬與有源層的粘合劑

3、高溫穩(wěn)定性好，抗電遷移性能好

4、可直接在多晶硅上淀積難熔金屬，經(jīng)加溫處理形成硅化物，工藝與現(xiàn)有硅柵工藝兼容17.什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問題是什么？

正確答案:自然氧化層：如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱為自然氧化層。硅片上最初的自然氧化層生長始于潮濕，當硅片表面暴露在空氣中時，一秒鐘內(nèi)就有幾十層水分子吸附在硅片上并滲透到硅表面，這引起硅表面甚至在室溫下就發(fā)生氧化。

自然氧化層引起的問題是：

①將妨礙其他工藝步驟，如硅片上單晶薄膜的生長和超薄氧化層的生長。

②另一個問題在于金屬導體的接觸區(qū)，如果有氧化層的存在，將增加接觸電阻，減少甚至可能阻止電流流過。

③對半導體性能和可靠性有很大的影響18.簡述外延薄膜的生長過程，其最顯著的特征是什么？

正確答案:

生長過程：①傳輸：反應物從氣相經(jīng)邊界層轉(zhuǎn)移到Si表面；②吸附：反應物吸附在Si表面；③化學反應：在Si表面進行化學反應，得到Si及副產(chǎn)物；④脫吸：副產(chǎn)物脫離吸附；⑤逸出：脫吸的副產(chǎn)物從表面轉(zhuǎn)移到氣相，逸出反應室；⑥加接：生成的Si原子加接到晶格點陣上，延續(xù)襯底晶向

生長特征：橫向二維的層層長。晶面的構(gòu)造可用三個密切聯(lián)系的特征表示：平臺、扭轉(zhuǎn)、臺階

如果吸附原子A保持不動，其他硅原子可以被吸附過來，形成硅串或硅島。大量的硅串在合并時，必定會產(chǎn)生嚴重的缺陷或形成多晶薄膜。

如果吸附原子具有比較高的能量，那么這個原子更傾向于沿著表面遷移，如果遷移到一個臺階邊緣的位置，如圖B位置，由于Si-Si鍵的相互作用，位置B比位置A更穩(wěn)定，吸附原子就有很大的可能性保持在此位置。吸附原子最穩(wěn)定的位置是所謂的扭轉(zhuǎn)位置，如圖中的位置C。當吸附原子到達一個扭轉(zhuǎn)位置時，形成了一半的Si-Si鍵，進一步的遷移就不太可能發(fā)生了。在繼續(xù)生長過程